- Tytuł:
-
Detektory fotoemisyjne na bazie związków AIII BV
Photoemissive detectors on the basis of AIII BV semiconductors - Autorzy:
-
Wojas, W.
Wojas, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/211202.pdf
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
- Tematy:
-
półprzewodniki
powinowactwo elektronowe
detektory na podczerwień
semiconductors
electron affinity
photoemitters
detectors for infrared radiation - Opis:
-
Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy AIII BV w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków półprzewodnikowych do wykorzystania zjawiska ujemnego powinowactwa do budowy czułych fotoemiterów. Opisano procesy technologiczne otrzymywania takich emiterów przez nakładanie (napylanie) warstw tlenku cezu na arsenek galu. Wymieniono warunki, jakie powinien spełnić fotoemiter. Podano przykłady budowy i zastosowania detektorów do wykrywania padającego promieniowania bliskiej i średniej podczerwieni.
The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors AIII BV in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negative electron affinity to construct sensitive photoemitters. The technological process of fabrication of these emitters with Cs2O layer on GaAs is described. We present the conditions for the photoemitter. We show the examples of detectors for detecting near infrared and middle infrared radiation. - Źródło:
-
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2010, 59, 4; 239-260
1234-5865 - Pojawia się w:
- Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł