Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 31
Tytuł:
Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
Autorzy:
Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/208341.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC
Opis:
Określono wpływ energii fotonów na jakość obrazu prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V. Badania przeprowadzono dla centrów związanych z atomami Al, dla których termiczna emisja nośników ładunku obserwowana jest w zakresie temperatur 100-250 K. Zaproponowano mechanizm wyjaśniający znacznie lepszą jakość obrazu otrzymanego dla impulsu UV o energii fotonów 3,31 eV niż dla impulsu UV o energii fotonów 3,82 eV.
Effect of the photon energy on the quality of the spectral fringes image obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals have been determined. The studies were carried out for the centres related to Al atoms for which the thermal emission of charge carriers occurs in the temperatures range of 100-250 K. A mechanism explaining much better image quality when using UV pulse with the photon energy of 3.31 eV than that when using UV pulse with the photon energy of 3.82 eV has been proposed.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 1; 351-360
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ nierówności powierzchni na właściwości tribologiczne elementów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym SiC–42CrMo4
The effect of surface roughness on the tribological properties of sliding elements in material assembly SiC–42CrMo4
Autorzy:
Bulikowska, B.
Gałda, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/189668.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
chropowatość powierzchni
twardość
ceramika SiC
surface roughness
hardness
SiC ceramics
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań tribologicznych węzłów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym ceramika SiC–stal 42CrMo4. Powierzchnia stali została przygotowana w trzech wariantach wykończenia charakteryzowanych parametrem Ra. Analizie poddano także wpływ twardości materiału stalowych próbek w zakresie 22–42 HRC na wartość współczynnika tarcia. Badania realizowano z wykorzystaniem testera T-11 z węzłem ślizgowym typu kulka–tarcza w styku skoncentrowanym. W pracy porównano otrzymane wartości współczynnika tarcia w odniesieniu do współpracujących ślizgowo elementów. Statystyczną analizę wyników badań przeprowadzono z wykorzystaniem planu statycznego zdeterminowanego kompletnego z dwoma czynnikami wejściowymi na trzech poziomach zmienności. Wykazano, że chropowatość powierzchni oraz twardość materiału w sposób istotny wpływają na charakterystyki tribologiczne pracy węzłów ślizgowych SiC-42CrMo4.
The results of the investigations of sliding pairs of SiC ceramics and 42CrMo4 steel are presented in the article. The steel surface was prepared with three different technological methods of finishing. The surface roughness was defined by the Ra parameter. The effect of the material hardness of steel in the range of 22-42 HRC on the friction coefficient values was also examined. The examinations were realized with utilization of the T-11 tribotester with the sliding pair of the ball-on-disc type. The obtained friction coefficient values were compared in reference to cooperating elements of differential roughness and hardness. Tests were realized according to statistical 3-level completed plan PS/DC 32. It was demonstrated that both the surface roughness and the material hardness significantly influenced the tribological characteristics of the sliding assemblies SiC-42CrMo4.
Źródło:
Tribologia; 2015, 4; 21-31
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:
Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technologia SiC wkracza na rynek
SiC technology enters the market
Autorzy:
Kozłowska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/250082.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
przetwornica SiC
pojazdy szynowe
autobusy elektryczne
SiC converter
rolling stock
electric buses
Opis:
Węglik krzemu to jedna z najbardziej perspektywicznych technologii w obszarze energoelektroniki dużych mocy, która ma dać impuls do rozwoju nowoczesnego taboru szynowego i autobusów elektrycznych. Zapowiadana od kilku lat rewolucja technologiczna staje się faktem – firma MEDCOM wprowadziła produkty SiC do seryjnej produkcji, a pierwsze pojazdy wyposażone w przetwornice bazujące na węgliku krzemu już wyjechały na kolejowe tory.
Silicon carbide is one of the most promising technologies in the area of high-power power electronics devices, expected to provide new impetus for the development of modern rolling stock and electric buses. The technological revolution forecast for several years is now becoming reality – MEDCOM has introduced SiC products into series production and the first vehicles equipped with converters based on silicon carbide have already rolled onto the tracks.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2018, 9; 38-39
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Application of electron spin resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals
Autorzy:
Pawłowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192058.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
elektronowy rezonans spinowy
polityp kryształów SiC
określanie politypu kryształów
kryształ SiC
Opis:
W pracy przedstawiono widma elektronowego rezonansu spinowego (ESR) dla atomów azotu występujących w różnych politypach monokryształów SiC. Określono wartości czynnika rozszczepienia spektroskopowego g oraz wartości parametru A, charakteryzującego wielkość rozszczepienia wywołanego oddziaływaniem nadsubtelnym. Przeprowadzono identyfikację politypu oraz oszacowano zawartość azotu. Stwierdzono możliwość określania politypu monokryształów SiC na podstawie pomiaru linii ESR dla atomów azotu.
This work presents ESR spectra for nitrogen atoms in various polytypes of SiC crystals. The values of the spectroscopy splitting factor g, as well as of the parameter A describing the amount of splitting induced by hyperfine interaction were determined. The polytype identification was done and nitrogen content was estimated. The possibility of the SiC polytype identification on the grounds of nitrogen related ESR lines measurement was shown.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 1, 1; 70-86
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dwukierunkowa przetwornica DC/DC z wykorzystaniem elementów SiC
Bidirectional DC/DC converter built with the use of SiC elements
Autorzy:
Matelski, W.
Wolski, L.
Abramik, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408732.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
przekształtniki DC/DC
magazynowanie energii
półprzewodniki SiC
mikrosieci
DC/DC converters
energy storage
SiC semiconductors
microgrids
Opis:
W artykule opisane zostały prace nad rozwojem przetwornicy o wysokiej częstotliwości łączeń z wykorzystaniem półprzewodników z węglika krzemu. Układ przystosowano do współpracy z magazynem energii, będącym częścią mikrosieci prądu stałego zawierającej źródła OZE. Przedstawiona została budowa urządzenia oraz działanie opracowanego algorytmu sterowania. W pracy zawarto wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy o częstotliwości łączeń 500 kHz, współpracującej z superkondensatorowym zasobnikiem energii.
The article presents development process of the high frequency DC/DC converter built on the basis of silicon carbide elements. The device has been designed for energy storage applications, as a part of a DC microgrid with renewable energy sources. The structure and basics of the proposed control algorithm of the converter have been presented. The work contains the results of experimental tests of the converter operating with 500 kHz switching frequency in application with a supercapacitor.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2016, 3; 64-69
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Autorzy:
Kozubal, M.
Pawłowski, M.
Brzozowski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192415.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
DLTS
centra defektowe
SiC
defect centers
Opis:
W oparciu o miernik pojemności zestawiono nowy układ do pomiarów metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS). Rejestracja relaksacyjnych przebiegów pojemności pozwoliła na zastosowanie zaawansowanych procedur numerycznych, które umożliwiają uzyskanie dwuwymiarowych powierzchni widmowych. Na podstawie tych powierzchni możliwe jest następnie określenie temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku związanych z głębokimi poziomami defektowymi. Zależności te umożliwiają określenie podstawowych parametrów elektrycznych wykrytych centrów defektowych w materiałach półprzewodnikowych z większa precyzją i rozdzielczością niż dotychczas za pomocą spektrometru DLS-81. Artykuł opisuje projekt, budowę oraz proces uruchomienia nowego stanowiska pomiarowego do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej wraz z przykładowymi wynikami pomiarów oraz analizy numerycznej opartej na algorytmie korelacyjnym oraz algorytmie odwrotnej transformaty Laplace'a na przykładzie głębokich centrów defektowych wykrytych w warstwie epitaksjalnej 4H-SiC.
A new capacitance transient spectroscopy measurement system has been set up based on a capacitance meter. The acquisition of capacitance transients has allowed the application of advanced numerical methods which make obtaining two-dimensional spectral surfaces possible. These surfaces enable the determination of the temperature dependences of the emission rates of charge carriers related to deep defect levels. As a result, the electrical parameters of detected traps are likely to be specified with higher precision and resolution than when using the DLS-81 spectrometer. The present paper describes the design, construction and start up of the new measurement system for the characterization of defect centers by means of the deep level transient spectroscopy method with exemplary test results and a numerical analysis based on the correlation algorithm and the inverse Laplace transform algorithm for deep defect centers detected in the 4H-SiC epitaxial layer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 3, 3; 9-18
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane własności mechaniczne wyciskanych i ciągnionych kompozytów Al-SiCp otrzymanych z proszków
Some mechanical properties of extruded and drawn powder metallurgy Al-SiCp composites
Autorzy:
Nikiel, Piotr
Szczepanik, Stefan
Bednarczyk, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/212210.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Obróbki Plastycznej
Tematy:
proszek aluminium
proszek węglika krzemu
kompozyt Al-SiC
wyciskanie
ciągnienie
umocnienie
własności mechaniczne
aluminium powder
SiC particles
Al-SiC composites
extrusion
drawing
strengthening
mechanical properties
Opis:
Przedstawiono wyniki badań wpływu wielkości odkształcenia na zimno, zadanego podczas ciągnienia, na własności mechaniczne kompozytów na osnowie aluminium wzmacnianego cząstkami SiC. Materiały do badań wytworzono w procesie wyciskania na gorąco wyprasek otrzymanych przez prasowanie na zimno mieszanek proszków Al i SiC. Udział objętościowy cząstek SiC wynosił 5 i 10%. Dla porównania badanych własności wytworzono także próbki tylko z proszku aluminium. Odkształcenie na zimno aluminium i wytworzonych kompozytów realizowano w procesie ciągnienia, po przetoczeniu próbek ze średnicy 18 mm na średnicę 17 mm. Ciągnienie przeprowadzono na ciągarce ławowej z zastosowaniem oczek ciągarskich o średnicach 16, 14 i 12,2 mm. Własności mechaniczne wytworzonych materiałów badano w stanie po wyciskaniu oraz po każdym przejściu w procesie ciągnienia. Granica plastyczności aluminium i kompozytów Al-SiC w stanie po wyciskaniu jest porównywalna i zawiera się w przedziale 60–66 MPa. Podobnie jest w przypadku wytrzymałości na rozciąganie tych materiałów, która wyniosła 82–94 MPa. W rezultacie zastosowanego ciągnienia wytworzonych materiałów uzyskano znaczny wzrost granicy plastyczności, wytrzymałości na rozciąganie oraz twardości, który jest zależny od wielkości odkształcenia na zimno. Granica plastyczności aluminium po ciągnieniu na średnicę 12,2 mm wzrosła z 60 do 132 MPa, a kompozytów Al-5SiC i Al-10SiC wzrosła odpowiednio z 65 do 146 MPa i z 66 do 140 MPa. Wytrzymałość na rozciąganie aluminium po ciągnieniu na najmniejszą średnicę wzrosła z 94 do 139 MPa, a kompozytów o zawartości 5% i 10% SiC wzrosła odpowiednio z 93 do 149 MPa i z 82 do 136 MPa. Wprowadzenie cząstek SiC do aluminiowej osnowy o twardości 23 HV spowodowało wzrost twardości do wartości powyżej 29 HV, a po ciągnieniu na 12,2 mm twardość wzrosła do 43 i 46 HV odpowiednio dla materiałów o zawartości 5 i 10% SiC.
The effects of cold drawing on mechanical properties of Al–(5 and 10%)SiC composites, manufactured by hot extrusion of cold pressed powder mixture preforms, are reported. To assess the effect of SiC powder additions, similarly processed aluminium powder specimens were tested. The drawing was of 17 mm diameter machined extruded rods on a chain drawnbench with 16, 14 and 12.2 mm diameter dies. Tensile and compressive properties were investigated after extrusion and after each pass of the drawing process. The yield stress of aluminum and Al-SiC composites after extrusion is comparable and is in the range 60-66 MPa. Similarly is, in the case of the tensile strength of these materials, which was 82-94 MPa. As a result of the drawing process, a significant increase in yield strength, tensile strength and hardness was obtained, dependent on the strain during drawing. The yield strength of aluminum after drawing to a diameter of 12.2 mm increased from 60 to 132 MPa and for composites Al-5SiC and Al-10SiC increased respectively from 65 to 146 and from 66 to 140 MPa. The tensile strength of aluminum after drawing to the smallest diameter increased from 94 to 139 MPa, and for composites with 5% SiC and 10% SiC increased from 93 to 149 and from 82 to 136 MPa, respectively. The addition of 5 and 10% SiC particles to the aluminum matrix increase the hardness from 23 to values above 29 HV and after drawing to a diameter 12.2 mm, it increased to 43 and 46 HV for material with 5 and 10% SiC, respectively.
Źródło:
Obróbka Plastyczna Metali; 2019, 30, 1; 7-22
0867-2628
Pojawia się w:
Obróbka Plastyczna Metali
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Model hybrydowego energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych (EZT)
Hybrid power electronic traction transformer for electric multiple units (EMU)
Autorzy:
Koteras, Dariusz
Adamowicz, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268599.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
energoelektroniczny system napędowy
elektryczne zespoły trakcyjne
tranzystory SiC
autotransformator suchy
electric multiple unit
SiC MOSFET
dry transformer
Opis:
W artykule przedstawiono model układ hybrydowy energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych - EZT. Istota proponowanego rozwiązania zawiera się w zastosowaniu do obniżenia napięcia sieci trakcyjnej, zamiast tradycyjnego ciężkiego transformatora trakcyjnego (chłodzonego olejem) - suchego autotransformatora pracującego z częstotliwością sieci kolejowej oraz izolacji galwanicznej od sieci trakcyjnej. Izolacja ta jest realizowana za pomocą wielopoziomowego kaskadowego przekształtnika napięcia skonstruowanego z tranzystorów SiC MOSFET. W swojej strukturze zawiera on izolowane dwumostkowe przetwornice DC-DC z transformatorami pracującymi z częstotliwością 30 kHz. Układ jest przeznaczony do napędów oraz pokładowych systemów zasilania elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Układ może być zasilany z dwóch systemów: prądu stałego - 3 kV DC oraz prądu przemiennego - 15 kV, 16,7 Hz. W referacie pokazano wyniki analizy modelowania autotransformatora trakcyjnego 16,7 Hz o mocy 30 kVA, przeznaczonego do badań laboratoryjnych oraz wyniki badań laboratoryjnych izolowanej celki przekształtnikowej AC-DC-DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET wraz ze specjalnie zaprojektowanym transformatorem 30 kHz. Do modelowania autotransformatora trakcyjnego wykorzystano Metodę Elementów Skończonych (MES).
The paper presents a system of hybrid power electronic supplying system. The main advantage of the proposed solution is in the application of dry traction autotransformer to reduce the voltage of the traction network, instead of the traditional heavy oil-cooled traction transformer. Galvanic isolation from the catenary is implemented by means of an insulated multilevel cascade voltage converter constructed of SiC MOSFET transistors and incorporating in its structure double active bridge DC-DC converters with transformers operating at 30 kHz. The system is designed for traction drives and on-board auxiliary power supply systems for electric multiple units (EMU) supplied from two power systems: 3 kV DC and 15 kV, 16.7 Hz. The paper presents the results of analysis of a 16.7Hz hybrid supplying system consisted of the autotransformer model with 30 kVA power and the isolated AC-DC-DC-AC converter cell with SiC MOSFET transistors and a specially designed 30 kHz transformer. The Finite Element Method (FEM) was used to model the traction autotransformer.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2019, 67; 137-141
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi
Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray techniques
Autorzy:
Sakowska, H.
Mazur, K.
Teklińska, D.
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Gała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192399.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
utlenianie katalityczne
polerowanie
catalytic oxidation
polishing
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu utleniania chemicznego i wygrzewania na poprawę jakości polerowanej, krzemowej, powierzchni płytek SiC. Do chemicznego utleniania zastosowano reakcję Fentona. Czynnikiem utleniającym były rodniki hydroksylowe (OH*) powstające z rozkładu nadtlenku wodoru (H2O2) w obecności jonów żelaza Fe(II). Uzyskano poprawę parametrów chropowatości przy określonych warunkach utleniania. Wygrzewanie płytek polerowanych standardowo, w odpowiednio dobranych warunkach, pozwoliło na uzyskanie chropowatości na poziomie atomowym Ra ∼ 0,1 nm oraz znaczną redukcję warstwy uszkodzonej. Jakość krystaliczną płytek badano przy użyciu metod rentgenograficznych: dyfraktometrii, topografii i reflektometrii. Pomiary gładkości powierzchni, przed i po obróbce badano przy pomocy mikroskopu optycznego z kontrastem Nomarskiego i mikroskopu sił atomowych AFM.
Experimental results of chemical oxidation and thermal annealing and their influence on the improvement of the quality of the polished surface of silicon carbide (SiC) wafers have been presented. The Fenton process was used in the process of chemical oxidation. Hydroxyl radicals (OH*) generated during the decomposition of a hydrogen peroxide (H2O2) solution were the oxidizing agents. The quality of the roughness parametres was improved. After thermal annealing in vacuum at T 900°C a very smooth surface was obtained, subsurface damaged layers were reduced, with Ra ∼ 0,1 nm. Both the crystallographic quality and roughness of the layers were investigated using X-ray methods. The surface smoothness before and after processing was measured using an atomic force microscope (AFM) and an optical microscope.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 2, 2; 3-10
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza porównawcza sprawności różnych konfiguracji przetwornicy dla maszyn elektrycznych
Comparative analysis of efficiency of different configurations of an converter for electrical machines
Autorzy:
Jakubowski, T.
Pałka, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1372866.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
przetwornica obniżająca napięcie
sprawność
IGBT
SiC
przełączanie miękkie
Opis:
The paper deals with switching power losses of DC-DC step-down converters supplying electrical machines. Due to a wide range of the load current, converter change the transistor duty factors from 0 to 100%. Since conductive losses are strictly connected with transistor parameters, duty factor and transistor currents, switching losses are the only part of losses that can be reduced, especially for small duty factors. The paper discusses two methods of reducing switching losses, the first one with energy recovery snubber and the second with SiC diode connected anti-paralell with the load.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2010, 88; 141-145
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kodeks cywilny austriacki (ABGB) a wykonanie zobowiązań pieniężnych w II Rzeczypospolitej
The Austrian Civil Code (ABGB) and the performance of monetary liabilities in the Second Republic of Poland
Autorzy:
Jastrzębski, Robert
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/926050.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Uniwersytet Jagielloński. Wydawnictwo Uniwersytetu Jagiellońskiego
Tematy:
Austrian Civil Code (ABGB)
inflation
valorisation
the rebus sic stantibus clause
austriacki kodeks cywilny (ABGB)
inflacja
waloryzacja
klauzula rebus sic stantibus
Opis:
The article concerns the application of the Austrian Civil Code (ABGB) in the period of the Second Republic of Poland. The paper has three sections: preliminary issues; ABGB and case law; and final conclusions. The first section refers to the application of the Austrian Civil Code during the First World War, when a dramatic drop in purchasing power of the circulating Austrian currency took place in the region of Galicia. The second section discusses the then jurisprudence, based on the Civil Code of Austria (ABGB), which displayed a valorisation trend, despite the prevailing principle of monetary nominalism. In particular, the prevalent theory of private law and, in particular, the theories of F. Zoll, had a great impact on the subsequent fate of Polish valorisation regulations after the First World War. This primarily regards the regulation of the President of the Republic dated 14 May 1924 on the recalculation of private legal obligations named after its principal designer – lex Zoll, including a subsequent regulation contained in the regulation of the President of the Republic of Poland of 27 October 1933 called the Code of Obligations, including in art. 269 the rebus sic stantibus clause. In the last section, the author draws attention to the impact of ABGB, and specifically eminent jurists from Galicia, such as E. Till, F. Zoll, and K. Przybyłowski, on subsequent regulations, including directions in theory of law – the school of “free law” (Freirecht) or the school of “free scientific exploration”. It is worth noting that modern private law arrangements introduced in the 1990s to the Polish Civil Code of 1964, in the form of a rebus sic stantibus clause, have their source in the inflationary experiences after the First World War and Polish jurisprudence based precisely on the Civil Code of Austria (ABGB).
Źródło:
Krakowskie Studia z Historii Państwa i Prawa; 2013, 6, 3; 67-276
2084-4115
2084-4131
Pojawia się w:
Krakowskie Studia z Historii Państwa i Prawa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
Autorzy:
Raczkiewicz, M.
Tymicki, E.
Łukasiewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192158.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
polityp 3C
SiC
wzrost z roztworu
polytype 3C
solution growth
Opis:
W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.
In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 4-11
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration
Autorzy:
Przyborowska, K.
Dobrzański, L.
Możdżonek, M.
Surma, B.
Brzozowski, A.
Łapińska, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192250.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
SiC
grubość warstwy epitaksjalnej
chemiczne barwienie
thickness of epitaxial layer
chemical decoration
Opis:
Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.
A method of the chemical decoration of n and p SiC epitaxial layers has been established. Both n+n and p+p junctions are located under the wafer surface. The decoration and measurement of junction depth have been done using samples lapped at a small angle. Several staining solutions have been tested. In consequence, the best has been selected out of them to perform decoration under different circumstances. The processing conditions which enable an unambiguous thickness measurement have been determined. The reported method is simple and does not require specialised equipment. The results of junction depth measurements are consistent with those obtained using optical methods.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 14-17
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 31

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies