Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zhang, J" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Solution of some problems of single-scale wavelet transform processor using a magnetostatic surface wave device
Autorzy:
Lu, W.
Kuang, L.
Lü, X.
Zhu, C.
Zhang, T.
Zhang, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221174.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
wavelet transform processor
magnetostatic surface wave (MSSW)
interdigital transducer
direct coupling
insertion loss
Opis:
In this paper, we investigate the implementation schemes of a single-scale wavelet transform processor using magnetostatic surface wave (MSSW) devices. There are three implementation schemes: the interdigital transducer, the meander line transducer and the grating transducer. Because the interdigital transducer has excellent properties, namely, good frequency characteristic and low insertion loss, we use the interdigital transducer as the implementation scheme of a single-scale wavelet transform processor using MSSW device. In the paper, we also present the solutions to the three key problems: the direct coupling between the input transducer and the output transducer, the insertion loss, and the loss characteristics of the gyromagnetic film having an influence on the wavelet transform processor. There are two methods of reducing the direct coupling between the input transducer and the output transducer: increasing the distance between the input transducer and the output transducer, and placing a metal "wall" between the input transducer and the output transducer. There also are two methods of reducing the insertion loss of a single-scale wavelet transform processor using a MSSW device for scale: the appropriate thickness of the yttrium iron garnet (YIG) film and the uniform magnetic field. The smaller the ferromagnetic resonance linewidth of the gyromagnetic film, the smaller the magnetostatic wave propagation loss.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 4; 685-692
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New compensation scheme of magneto-optical current sensor for temperature stability improvement
Autorzy:
Chen, J.
Li, H.
Zhang, M.
Zhang, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221874.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
magneto-optical current sensor
normalization
Verdet constant
birefringence
Opis:
A novel magneto-optical current sensor (MOCS) with two sensing arms is proposed to improve the temperature stability. One of the arms, with a highly stable permanent magnet attached and orthogonal to the other one, is designed to provide a reference that follows the temperature characteristics of the sensing material. By a normalization operation between two arms, the temperature drift is compensated adaptively and a sensing output proportional to the measured current can be reached. A dual-input and dual-output structure is specially designed for the reference sensing arm to demodulate the DC Faraday rotation angle. This scheme compensates simultaneously two main temperature influence factors, the Verdet constant and linear birefringence. Validation tests were carried out and are discussed.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2012, 19, 3; 611-616
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost i właściwości optyczne kryształu BaGd2 (MoO4)4 domieszkowanego Er3+
Growth and optical properties of Er3+-doped BaGdcrystal 2 (MoO4)4
Autorzy:
Han, S.
Wang, J.
Zhang, H.
Pan, S.
Xv, H.
Wang, Y.
Shen, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/142191.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
Wytwarzanie kryształów
ciepło właściwe
widmo
czas trwania fluorescencji
crystal growth
specific heat
spectrum
fluorescence lifetime
Opis:
Pojedynczy kryształ BaGd2(MoO4)4 domieszkowany 1% at. Er3+ wyhodowano metodą Czochralskiego. Omówiono szczegóły procedury otrzymywania i wzrostu kryształu. Kryształ ma doskonałą płaszczyznę poślizgu (010), a jego łupliwość czyni go przydatnym jako ośrodek czynny w mikrolaserach. Zmierzono widmo absorpcyjne w zakresie światła widzialnego i bliskiej podczerwieni (NIR) w temperaturze pokojowej. W zakresie od 380 do 1600 nm występuje kilka intensywnych pików absorpcyjnych. Zmierzono również widmo fluorescencyjne wzbudzane za pomocą lampy ksenonowej. Zaobserwowano intensywny pik emisyjny NIR 1536 nm. Czasy trwania fluorescencji 4I13/2 oraz 4I11/2 wyznaczone za pomocą dopasowania krzywej wykładniczej wyniosły odpowiednio 5,85 ms i 112,62 μs. Ciepło właściw Er3+ BaGd2(MoO4)4 w 25°C wynosi 0,471 J g-1 K-1. Na podstawie zmierzonych widm obliczono parametry optyczne na podstawie teorii Judda-Ofelta (J–O).
A 1 at % Er3+ doped BaGd2(MoO4)4 single crystal was grown by the Czochralski method. Details on the preparation and growth procedures were discussed. The crystal has a perfect (010) cleavage plane, and the cleavage character makes the crystal suitable as a gain medium for microchip lasers. The absorption spectrum in the visible and near-infrared (NIR) regions was measured at room temperature. There are several strong absorption peaks in the range from 380 to 1600 nm. The fluorescence spectrum excited by a Xenon lamp was also measured. A strong NIR emission peak located at 1536 nm was observed. The fluorescence lifetimes of 4I13/2 and 4I11/23+:BaGd2(MoO4)4 at 25°C is 0.471 J g-1 K-1. Using the measured spectra, the optical parameters were calculated using the J–O theory.
Źródło:
Chemik; 2013, 67, 9; 763-770
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies