Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zdunek, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Ocena możliwości wtórnego zastosowania odpadowych mas woskowych w technologii odlewania precyzyjnego
    Assessment of the Possibility of Application of Waste Wax in the Investment Casting Technology
    Autorzy:
    Wawulska-Marek, P.
    Białkowiec, A.
    Matysiak, H.
    Zdunek, J.
    Kurzydłowski, K. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/382367.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    masy modelowe
    woski
    regeneracja
    odlewanie precyzyjne
    mass model
    waxes
    regeneration
    precision casting
    Opis:
    W pracy podjęto próbę określenia możliwości odzysku odpadowych mas modelowych powstających podczas wytopu modeli woskowych z form ceramicznych. W pracy porównane zostały właściwości technologiczne komercyjnej masy woskowej stosowanej na modele układów wlewowych oraz właściwości odzyskanej masy woskowej. Ocenie poddano jakość technologiczną uzyskanych odpadowych mieszanek woskowych. Zastosowano szereg technik badawczych takich jak: TGA, DSC, pomiary lepkości, FTIR, twardość, a uzyskane wyniki poddano analizie pod kątem możliwości wtórnego zastosowania odzyskanych mas woskowych do wytwarzania układów wlewowych.
    The study attempts to determine the possibility of recovery of waste generated during the melting of wax patterns from ceramic moulds. In this work were compared to the technological characteristics of commercial kinds wax used for gating circuit patterns and the properties of the recovered wax. Quality assessment of technological obtained waste wax blends. A range of research techniques such as TGA, DSC, viscosity measurements, FTIR, hardness, and the results were analyzed for the possibility of re-use of recovered wax for manufacturing gating systems.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2014, 14, 2 spec.; 89-94
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zasady wykorzystania środków z Programu Rozwoju Obszarów Wiejskich na lata 2014-2020 do termomodernizacji gospodarstw rolnych
    Rules of using Rural Development Programme funds for the years 2014-2020 for thermo-modernisation of agricultural farms
    Autorzy:
    Huterska, A.
    Łapińska, J.
    Zdunek-Rosa, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/572396.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Problemy Rolnictwa Światowego; 2018, 18[33], 1; 58-65
    2081-6960
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Problemy Rolnictwa Światowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ jonów metali dwuwartościowych na właściwości reologiczne matrycy polisacharydowej z wytłoków jabłkowych
    Effect of divalent metal ions on rheological properties of polysaccharide matrix from apple pomace
    Autorzy:
    Cybulska, J.
    Mierczynska, J.
    Pieczywek, P.
    Stasiak, M.
    Zdunek, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/826842.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Technologów Żywności
    Opis:
    Wytłoki powstające podczas produkcji soku jabłkowego składają się głównie z polisacharydów ścian komórkowych, które stanowią błonnik pokarmowy. Związki te powodują znaczny wzrost lepkości roztworów wodnych dzięki zdolności do sieciowania jonami metali dwuwartościowych według modelu egg-box. Wytłoki jabłkowe poddawano fizycznym i chemicznym przekształceniom, uzyskując matrycę polisacharydową MPSN. Celem badań było określenie zdolności do sieciowania matrycy polisacharydowej MPSN za pomocą dwuwartościowych kationów metali Ca²+, Mg²+ i Fe²+. Na podstawie wzrostu lepkości pozornej badanych roztworów stwierdzono, że każdy zastosowany kation miał zdolności sieciujące, ale w największym stopniu sieciowanie zachodziło pod wpływem Ca²+ i Fe²+. Krzywe płynięcia matrycy MPSN opisano modelem Ostwalda de Waele’a. Roztwory MPSN z dodatkiem jonów wapnia w stężeniu 12 i 15 mM cechowały się najniższymi wartościami wskaźnika płynięcia i tym samym największym stopniem pseudoplastyczności. We wszystkich analizowanych materiałach wystąpiło zjawisko tiksotropii, które w przypadku dodatku Ca²+ i Fe² było zależne od ich stężenia, co świadczy o zdolności do odtwarzania struktury podczas relaksacji.
    Pomace produced during the apple juice production is composed mainly of cell wall polysaccharides, which constitute a dietary fibre. Since those compounds can be cross-linked with some divalent metal ions according to an egg-box model, they cause the viscosity of aqueous solutions to significantly increase. The apple pomace analyzed was physically and chemically transformed in order to obtain an MPSN polysaccharide matrix. The objective of the research study was to determine the ability of MPSN polysaccharide matrix to cross-link by means of the divalent metal cations of Ca²+, Mg²+, and Fe²+. On the basis of the increase in the apparent viscosity of the solutions analyzed, it was found that each ion applied had the cross-linking ability; however, the greatest degree of cross-linking was obtained by the Ca²+ and Fe²+ ions. The flow curves of MPSN matrix were described by an Ostwald de Waele’s model. The MPSN solutions with calcium ions added at 12 and 15 mM concentration rates were characterized by the lowest flow behaviour indices and, thus, by the highest pseudoplasticity degree. In all the analyzed samples, a thixotropy phenomenon occurred: in the case of Ca²+ and Fe, this phenomenon depended on their concentration rate. This fact proves their ability to regenerate structure during relaxation.
    Źródło:
    Żywność Nauka Technologia Jakość; 2015, 22, 2
    1425-6959
    Pojawia się w:
    Żywność Nauka Technologia Jakość
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
    The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
    Autorzy:
    Lenkiewicz, D.
    Strupiński, W.
    Zdunek, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Kościewicz, K.
    Wesołowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Opis:
    Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
    The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies