Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wang, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Fractional nonlocal integrodifferential equations of mixed type with time-varying generating operators and optimal control
Autorzy:
Wang, J.
Wei, W.
Yang, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/254750.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
fractional integrodifferential equations of mixed type
time-varying generating operators
nonlocal conditions
fixed point theorem
existence
optimal control
Opis:
In this paper, a class of fractional integrodifferential equations of mixed type with time-varying generating operators and nonlocal conditions is considered. Using a contraction mapping principle and Krasnoselskii's fixed point theorem via Gronwall's inequailty, the existence and uniqueness of mild solution are given. The existence of optimal pairs of systems governed by fractional integrodifferential equations of mixed type with time-varying generating operators and nonlocal conditions is also presented.
Źródło:
Opuscula Mathematica; 2010, 30, 2; 217-234
1232-9274
2300-6919
Pojawia się w:
Opuscula Mathematica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wzrost i właściwości optyczne kryształu BaGd2 (MoO4)4 domieszkowanego Er3+
Growth and optical properties of Er3+-doped BaGdcrystal 2 (MoO4)4
Autorzy:
Han, S.
Wang, J.
Zhang, H.
Pan, S.
Xv, H.
Wang, Y.
Shen, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/142191.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
Wytwarzanie kryształów
ciepło właściwe
widmo
czas trwania fluorescencji
crystal growth
specific heat
spectrum
fluorescence lifetime
Opis:
Pojedynczy kryształ BaGd2(MoO4)4 domieszkowany 1% at. Er3+ wyhodowano metodą Czochralskiego. Omówiono szczegóły procedury otrzymywania i wzrostu kryształu. Kryształ ma doskonałą płaszczyznę poślizgu (010), a jego łupliwość czyni go przydatnym jako ośrodek czynny w mikrolaserach. Zmierzono widmo absorpcyjne w zakresie światła widzialnego i bliskiej podczerwieni (NIR) w temperaturze pokojowej. W zakresie od 380 do 1600 nm występuje kilka intensywnych pików absorpcyjnych. Zmierzono również widmo fluorescencyjne wzbudzane za pomocą lampy ksenonowej. Zaobserwowano intensywny pik emisyjny NIR 1536 nm. Czasy trwania fluorescencji 4I13/2 oraz 4I11/2 wyznaczone za pomocą dopasowania krzywej wykładniczej wyniosły odpowiednio 5,85 ms i 112,62 μs. Ciepło właściw Er3+ BaGd2(MoO4)4 w 25°C wynosi 0,471 J g-1 K-1. Na podstawie zmierzonych widm obliczono parametry optyczne na podstawie teorii Judda-Ofelta (J–O).
A 1 at % Er3+ doped BaGd2(MoO4)4 single crystal was grown by the Czochralski method. Details on the preparation and growth procedures were discussed. The crystal has a perfect (010) cleavage plane, and the cleavage character makes the crystal suitable as a gain medium for microchip lasers. The absorption spectrum in the visible and near-infrared (NIR) regions was measured at room temperature. There are several strong absorption peaks in the range from 380 to 1600 nm. The fluorescence spectrum excited by a Xenon lamp was also measured. A strong NIR emission peak located at 1536 nm was observed. The fluorescence lifetimes of 4I13/2 and 4I11/23+:BaGd2(MoO4)4 at 25°C is 0.471 J g-1 K-1. Using the measured spectra, the optical parameters were calculated using the J–O theory.
Źródło:
Chemik; 2013, 67, 9; 763-770
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies