- Tytuł:
-
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range - Autorzy:
-
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Wegner, R.
Piersa, N.
Surma, B.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Materna, A.
Gładki, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
- Data publikacji:
- 2006
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
optyka w podczerwieni
monokryształ
transmitancja monokryształów
zastosowanie materiałów półprzewodnikowych - Opis:
-
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł