Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Orlowski, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Inżynierowie w służbie Narodu
Engineers in the service of the Nation
Autorzy:
Orłowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/294003.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
polskie tradycje inżynieryjne
Kolej Transandyjska
Kolej Transsyberyjska
polscy konstruktorzy mostów
Polish engineering traditions
Trans-Andean railway
Trans-Siberian railway
Polish bridge constructors
Opis:
Niniejsza praca zwraca uwagę na bardzo ważną, ale zarazem prawie zupełnie zapomnianą rolę, jaką odegrali polscy inżynierowie różnych specjalności, zarówno w swojej ojczyźnie, jak i poza jej granicami, rolę pozostającą w cieniu najważniejszego zadania Polaków w epoce zaborów: odzyskania niepodległości za wszelką cenę. Szczególnie warto wspomnieć działalność Polaków za granicą w dziedzinie inżynierii. Może się to wydawać dziwne w przypadku narodu bez silnych tradycji w dziedzinie techniki. Do pewnego stopnia wytłumaczyć to można motywowanym patriotycznie pragnieniem przygotowania się do przyszłej walki zbrojnej o wolność i niepodległość, w której – jak oczekiwano – dziedzina inżynierii odgrywałaby coraz ważniejszą rolę.
The paper highlights a very important but almost completely forgotten role played by Polish engineers of different specialties in their homeland and abroad, remaining in the shadow of most conscious Poles’ agenda during the era of partitions: that of restoring their country’s independence at any price. Particularly noteworthy is the engineering activity of Poles abroad. This may seem surprising in the case of a nation without strong technological traditions. To some extent, it stemmed from a patriotically-motivated desire to get prepared for the future armed struggle for freedom and independence, in which – it was expected – the engineering profession would play an increasingly important part.
Źródło:
Architectus; 2014, 4(40); 3-19
1429-7507
2084-5227
Pojawia się w:
Architectus
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Profesor na trudne czasy
Professor for difficult times
Autorzy:
Orłowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/317628.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
historia nauki
Groszkowski Janusz
science history
Opis:
Artykuł poświęcony działalności prof. Janusza Groszkowskiego i jego uczniów.
The article describes life and scientific activity of prof. Janusz Groszkowski and his continuators.
Źródło:
Telekomunikacja i Techniki Informacyjne; 2018, 1-2; 21-25
1640-1549
1899-8933
Pojawia się w:
Telekomunikacja i Techniki Informacyjne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości fizykochemicznych odpadów wtórnych z Instalacji Termicznego Przetwarzania Odpadów Komunalnych ITPOK
Tests of physicochemical properties of secondary wastes from the Municipal Thermal Waste Treatment Plant ITPOK
Autorzy:
Wyrozębska, W.
Orłowski, B.
Czop, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/357058.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Śląska
Tematy:
spalanie
odpady wtórne
odpady komunalne
combustion
secondary wastes
municipal waste
Opis:
Przedstawiony artykuł traktuje o właściwościach fizykochemicznych odpadów wtórnych jakimi są popioły i żużle powstałe po termicznym przekształcaniu odpadów komunalnych. Omówiono problemy, obecne tendencje i oczekiwania stawiane w przyszłości gospodarce odpadami komunalnymi. Opisano także aspekty prawne i podstawy działania spalarni odpadów. Scharakteryzowano popiół pochodzący z oczyszczania gazów oraz żużel denny. Wyniki badań zestawiono tabelarycznie i porównano ich wielkości do obecnie obowiązujących norm oraz rozporządzeń. Przedstawiono wykorzystywane na świecie sposoby zagospodarowania odpadów wtórnych, a także zaproponowano konkretne rozwiązania, zgodne z ideą gospodarki o obiegu zamkniętym.
The presented article treats about the physical and chemical properties of secondary waste such as ashes and slags created after the thermal treatment of municipal waste. Problems, current trends and future expectations regarding municipal waste management are discussed. The legal aspects and the basics of the waste incineration plant are also described. Ash from gas treatment and bottom slag are characterized. The results of the research are tabulated and compared to the current standards and regulations. It presents the methods of utilizing secondary waste used in the world, as well as proposes specific solutions in line with the idea of circular economy.
Źródło:
Archiwum Gospodarki Odpadami i Ochrony Środowiska; 2018, 20, 2; 27-38
1733-4381
Pojawia się w:
Archiwum Gospodarki Odpadami i Ochrony Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Surma, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192036.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
obróbka termiczna
materiał półizolujący
własności elektryczne
annealing
SI crystal
electrical properties
Opis:
Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.
Influence of annealing conditions on the properties of undoped gallium phosphide crystals obtained from the melt: near stoichiometric, with gallium excess or phosphorus excess, as well as with different carbon concentration was investigated. Monocrystalline blocks with a thickness of 10 - 20 mm and wafers with a thickness of ∼ 700 urn were annealed. Annealing conditions such as the temperature, time and phosphorus vapor pressure in the ampoule allowing for obtaining semi-insulating material, were determined. It was confirmed that as result of annealing undoped GaP crystals with the carrier concentration n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ and carbon concentration Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ we can obtain SI n - type material. At the carbon concentration Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ the SI material of p - type can be obtained.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 27-38
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Surma, B.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192178.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
widmo absorpcyjne w podczerwieni
krzywa kalibracji
niedomieszkowany monokryształ GaP
określanie koncentracji węgla
Opis:
W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.
Method of carbon concentration assessment in GaP crystals was v It is based on absorption measurement on local vibration modes (LVM) method calibration curve and measurement conditions were found. Detection limit at 12 K and 300 K are 1 x 10[sup]15 cm³ i 1 x 10[sup]l6cm-³ respectively. GDMS dons indicate that limit detection is Nc ≥ 1 x 10[sup]17cm-³ for this method, surements versus reciprocal temperature confirm that carbon is a main undoped GaP monocrystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 2, 2; 24-35
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Wegner, R.
Piersa, N.
Surma, B.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Materna, A.
Gładki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
optyka w podczerwieni
monokryształ
transmitancja monokryształów
zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
Opis:
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies