Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hejduk, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
Porównanie składu pokarmowego uszatek asio otus zimujących w Starych Skoszewach (Park Krajobrazowy Wzniesień Łódzkich) w latach 2001-2002 i 2015
Diet comparison of Long-eared Owl Asio otus wintering in Stare Skoszewy (Lodz Hills Landscape Park) in 2001-2002 and 2015
Autorzy:
Kaminski, M.
Gach, K.
Zieleniak, A.
Hejduk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/881935.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Leśny Zakład Doświadczalny. Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej w Rogowie
Tematy:
ptaki
sowy
sowa uszata
Asio otus
wypluwki
sklad pokarmu
analiza porownawcza
Park Krajobrazowy Wzniesien Lodzkich
Źródło:
Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej; 2016, 18, 4[49A]
1509-1414
Pojawia się w:
Studia i Materiały Centrum Edukacji Przyrodniczo-Leśnej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Notatki przyrodnicze. Ssaki.
Autorzy:
Bargiel, R
Radzicki, G.
Hejduk, J.
Kowalski, M.
Gwardjan, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/33009.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Mazowiecko-Świętokrzyskie Towarzystwo Ornitologiczne
Tematy:
zebielek karliczek
Nizina Mazowiecka
Crocidura suaveolens
ssaki
lodz
nietoperze
Nizina Podlaska
mroczek posrebrzany
Vespertilio murinus
Źródło:
Kulon; 1999, 04, 1-2; 85-87
1427-3098
Pojawia się w:
Kulon
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Reżim opadów i przepływów w zlewni rzeki Zagożdżonki po profile Płachty Stare i Czarna
Precipitation and discharge regime in Zagożdżonka catchment at Płachty Stare and Czarna Gauge stations
Autorzy:
Hejduk, A.
Kaznowska, E.
Hejduk, L.
Gładecki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/338996.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Instytut Technologiczno-Przyrodniczy
Tematy:
niżówki
opady
przepływy
rzeka Zagożdżonka
wezbrania
zlewnia nizinna
discharge
flood
lowland catchment
precipitations
streamflow drought
Zagożdżonka River
Opis:
Celem pracy jest ocena reżimu opadów i przepływów w okresie 2011–2015 na tle lat 1963–2015 (opady) i 1991–2015 (przepływy) w zlewni rzeki Zagożdżonki po profile Płachty Stare i Czarna. Okres badawczy obejmuje realizację w wyżej wymienionej zlewni dwóch projektów badawczych finansowanych przez Narodowe Centrum Nauki dotyczących wezbrań zimowych i niżówek. Charakterystyki opadów dokonano na podstawie analizy sum dobowych, miesięcznych, półrocznych i rocznych. Do oceny zmienności sum opadów miesięcznych i rocznych zastosowano kryterium KACZOROWSKIEJ [1962]. Wartości przepływów dobowych z wielolecia, odnotowanych w profilach pomiarowych Płachty Stare (1963–2015) i Czarna (1991–2015) stanowiły podstawę charakterystyki hydrologicznej. Stosując kryterium hydrologiczne zaproponowane przez OZGĘ-ZIELIŃSKĄ [1990], na hydrogramach przepływów wyodrębniono niżówki i wezbrania. Za dolną granicę wezbrania przyjęto przepływ NWQ (najniższy z maksymalnych przepływów rocznych), zaś za granicę niżówek przyjęto przepływ SNQ (średni z najniższych przepływów rocznych). Charakterystyki hydrologiczne lat 2011– 2015 odniesiono do wielolecia 1963–2015.
The aim of the study was to evaluate precipitation and hydrological conditions in the period 2011–2015 against the background of long term data collected in the Zagożdżonka River catchment. Precipitation characteristics are based on the analysis of daily, monthly, semi-annual and annual totals. The criterion presented by KACZOROWSKA [1962] was used to evaluate the variability of monthly and yearly precipitation totals. Hydrological characteristic was based on daily flows data recorded in Płachty Stare (1963–2015) and Czarna (1992–2015) gauging station. Two extreme phenomena as flood and drought were identified using daily hydrograph. The threshold of SNQ (mean of the lowest annual flows) was used for flood identification, as well as the threshold of NWQ flow (the lowest of the highest annual flows) was used to identify droughts.
Źródło:
Woda-Środowisko-Obszary Wiejskie; 2018, 18, 1; 37-55
1642-8145
Pojawia się w:
Woda-Środowisko-Obszary Wiejskie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wieloletnia zmienność odpływu z małej zlewni rzecznej w regionie Puszczy Kozienickiej
Long-term variability of runoff from a small catchment in the region of the Kozienice Forest
Autorzy:
Banasik, K.
Hejduk, L.
Hejduk, A.
Kaznowska, E.
Banasik, J.
Byczkowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/994346.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Leśne
Tematy:
lesnictwo
Puszcza Kozienicka
zlewnie rzek
zlewnie male
zlewnia Zagozdzonki
opady atmosferyczne
zmiennosc opadow
odplyw wody
zmiennosc odplywu
forested watershed
climate change
runoff decrease
trend analysis
Opis:
Kozienice Forest (central Poland) belongs to very valuable areas from touristic and ecological point of view. Water resources are important factor of further development of this region. Analysis of 49−year (1963−2011) annual and seasonal rainfall and runoff characteristics from a small (82 km²) catchment of Zagożdżonka River, with forestation ratio of 0.40, indicated a statistically significant decrease for six of the nine considered parameters. Mann−Kendall test was used for trend analysis. Decreased trend was indicated for annual runoff and annual runoff coefficient, median discharge, summer half−year runoff coefficient, median summer discharge and for low mean 30−day discharge. No trend was detected for annual precipitation and summer half year precipitation nor for summer half year runoff.
Źródło:
Sylwan; 2013, 157, 08; 578-586
0039-7660
Pojawia się w:
Sylwan
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Obliczanie przepływów maksymalnych rocznych o określonym prawdopodobieństwie przewyższenia w małej zlewni z zastosowaniem metod statystycznych oraz metod pośrednich
Estimation of probable flood flows in small catchments with the use of direct (statistical) and indirect methods
Autorzy:
Banasik, K.
Byczkowski, A.
Hejduk, L.
Gładecki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/339584.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Instytut Technologiczno-Przyrodniczy
Tematy:
charakterystyki hydrologiczne
małe zlewnie
przepływy prawdopodobne
hydrological characteristics
small watershed
T-year flood flows
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki obliczeń przepływów maksymalnych rocznych prawdopodobnych (WQp), określonych metodami statystycznymi oraz metodami pośrednimi, w małej zlewni rzeki Zagożdżonka, położonej na Równinie Radomskiej, ok. 100 km na południe od Warszawy. Dane do obliczeń statystycznych pochodzą z własnych badań hydrologicznych, prowadzonych przez Katedrę Inżynierii Wodnej SGGW (d. Katedrę Budownictwa Wodnego) od 1962 r. Wyniki porównań wykazują znaczne różnice między wartościami WQp, określonymi różnymi metodami. Uzasadnia to potrzebę doskonalenia metod pośrednich wyznaczania przepływów maksymalnych prawdopodobnych w małych zlewniach rzecznych.
Direct (statistical) and indirect methods have been applied for estimating T-year flood flows at the gauging station of a small lowland river Zagożdżonka located in Radom Plain ca. 100 km south of Warsaw. River flow data used for statistical analysis were collected by the Department of Water Engineering, Warsaw University of Life Sciences - SGGW since 1962. Comparison of the study results showed significant differences of T-year flood flows estimated with various methods. This confirms the need to continue the improvement of indirect methods for small catchments.
Źródło:
Woda-Środowisko-Obszary Wiejskie; 2012, 12, 3; 17-26
1642-8145
Pojawia się w:
Woda-Środowisko-Obszary Wiejskie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
Autorzy:
Zynek, J.
Hejduk, K.
Klima, K.
Możdżonek, M.
Stonert, A.
Turos, A.
Rzodkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192312.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
azotek krzemu
PECVD
fotodioda planarna
InP
silicon nitride
planar photodiode
Opis:
Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.
Silicon nitride films, deposited on InP wafers by the PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method, have been investigated in terms of their applicability in the technology of InP based planar photodiodes with the InxGa1-xAs quantum well absorption region. In order to compensate the mechanical stress in the films, the plasma was excited by two radio-frequency sources operating at frequencies of 13,56 MHz and 100 kHz. The films were deposited at different temperatures in the range of 250 - 300°C. The chemical composition of all examined films, determined by the RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) method, is very close to that of stoichiometric Si3N4. The films contain a large amount of hydrogen. The hydrogen content, evaluated by the NRA (Nuclear Reactions Analysis) technique, exceeds 30 %. The silicon nitride films deposited at 300°C have grown much faster on InP wafers than on Si wafers placed beside these and the structure of both films is different. As the films deposited on Si are amorphous with smooth surfaces, the films deposited on InP are heterogeneous with rough surfaces. These last ones exhibit lower Si-N bond concentration, lower refractive index, higher extinction coefficient, lower resistivity and lower dielectric breakdown strength than the films deposited on silicon. Deterioration of the film quality is caused probably by the reaction of phosphorus, released from the InP substrate at the beginning of the deposition process, with deposited SiNx:H. Such films should not be used in the fabrication of InP based planar photodiodes. When the deposition temperature decreases, the properties of silicon nitride films improve. Their structure becomes more homogeneous and the Si-N bond concentration increases. The silicon nitride films deposited on InP at 250°C have the same amorphous structure and the same Si-N bond concentration, determined from FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) absorption characteristics, as the films deposited on silicon. They exhibit the highest refractive index, the lowest extinction coefficient, the highest resistivity and the highest dielectric breakdown strength. These films are continuous, they do not crack during thermal processes and they can be applied as masking layers for the selective Zn diffusion used to form the p-n junctions. Unfortunately the films deposited at 250°C have the highest hydrogen content and the highest effective charge density. These films cannot be applied directly to passivate the p-n junction side surfaces. Measurements of hydrogen depth profiles and of FTIR absorption characteristics have revealed that the amount of hydrogen and of Si-N, Si-H and N-H bonds changed during annealing. An analysis of C-V characteristics of Al/Si3N4:H/InP MIS capacitors containing these films has shown, that annealing of the Si3N4:H films reduced the electronic defect state density at the Si3N4:H/InP interface. It is possible to take advantage of the thermal instability of silicon nitrides deposited by the PECVD method and to reduce the trap state density and the effective charge density by proper annealing processes. These investigations have enabled us to achieve reverse current values as low as 4 - 15 pA at the voltage of - 5 V and 200 - 500 pA at the voltage of -50 V for planar InP diodes with the 320 um diameter p-n junction. A high yield of 90 % is obtained. These results make a good base for development of planar photodiodes with InxGa1-xAs quantum wells inserted into the depletion region of the InP p-n junction.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 95-113
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies