Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Caban, P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-14 z 14
    Tytuł:
    Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
    SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
    Autorzy:
    Stańczyk, B.
    Jagoda, A.
    Dobrzański, L.
    Caban, P.
    Możdżonek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiCN
    sputtering
    widmo podczerwieni
    widmo optycznej absorpcji
    dyfrakcja rentgenowska
    SIMS
    rf sputtering
    absorption spectrum
    IR spectrum
    X-ray diffraction
    Opis:
    Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
    Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
    Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Wierzbicka, E.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Sathish, N.
    Pągowska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    implementacja jonowa
    dyfrakcja
    ion implantation
    diffraction
    Opis:
    W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
    In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
    The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Borysiuk, J.
    Pathak, A. P.
    Sathish, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    heterostruktura
    AIIIN
    warstwa buforowa
    XRD
    heterostructure
    buffer layer
    Opis:
    Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
    The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
    The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
    Autorzy:
    Caban, P.
    Kościewicz, K.
    Strupiński, W.
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    LP MOVPE
    GaN
    4H-SiC
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
    The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
    The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
    Autorzy:
    Wesołowski, M.
    Strupiński, W.
    Zynek, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Lenkiewicz, D.
    Kościewicz, K.
    Czołak, D.
    Nizel, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    epitaksja związków półprzewodnikowych
    technologia MOCVD
    struktura półprzewodnikowa
    struktura fotoniczna
    zastosowanie komputerów
    studnia kwantowa
    metody numeryczne
    Opis:
    Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
    Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
    The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
    Autorzy:
    Lenkiewicz, D.
    Strupiński, W.
    Zdunek, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Kościewicz, K.
    Wesołowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Opis:
    Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
    The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Podstawowe obowiązki pracodawcy w zakresie występowania czynników rakotwórczych i/lub mutagennych w środowisku pracy
    Main obligations of the employer in terms of occurrence carcinogenic and/or mutagenic substances in environmental work
    Autorzy:
    Caban, A.
    Stradomski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/103606.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie. Wydawnictwo Uczelniane
    Tematy:
    czynniki rakotwórcze
    czynniki mutagenne
    carcinogenic substances
    mutagens substances
    Opis:
    Występowanie w środowisku pracy substancji rakotwórczych i/lub mutagennych stanowi bezpośrednie zagrożenie dla zdrowia lub życia osób narażonych na ich oddziaływanie. Oprócz standardowych obowiązków w zakresie bhp, na barkach pracodawcy spoczywają więc dodatkowe zadania wynikające z art. 222 § 1 K.p. W artykule omówiono szczegółowe reguły postępowania określone w Rozporządzeniu Ministra Zdrowia z dnia 24 lipca 2012 r. w sprawie substancji chemicznych, ich mieszanin, czynników lub procesów technologicznych o działaniu rakotwórczym lub mutagennym w środowisku pracy oraz zharmonizowaną klasyfikację kancerogenów i mutagenów. Celem wypełnienia nałożonych na pracodawcę obowiązków jest objęcie właściwą opieką zdrowotną pracowników zawodowo narażonych na kancerogeny i podjęcie szeroko rozumianych działań profilaktycznych.
    The occurrence in the workplace carcinogens and / or mutagens substances is a direct threat to the health or life of people exposed to their influence. In addition to standard health and safety obligations on the shoulders of the employer rest so additional tasks resulting from art. 222 § 1 K. P. The article discusses the detailed rules of conduct set out in the Regulation of the Minister of Health of 24 July 2012. On chemical substances and their mixtures, factors or technological processes with carcinogenic or mutagenic in the work environment. Order to comply the obligations imposed on the employer is taking proper care of the health of workers occupationally exposed to carcinogens and take preventive measures widely understood.
    Źródło:
    Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa; 2016, T. 4; 77-85
    2300-5343
    Pojawia się w:
    Prace Naukowe Akademii im. Jana Długosza w Częstochowie. Technika, Informatyka, Inżynieria Bezpieczeństwa
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Eco-driving, przegląd stanu zagadnienia
    Eco-driving, overview of issues state
    Autorzy:
    Caban, J.
    Sopoćko, M.
    Ignaciuk, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309588.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    ekojazda
    ochrona środowiska
    bezpieczeństwo jazdy
    eco-driving
    enviromental protection
    driving safety
    Opis:
    Doskonalenie techniki jazdy ze względu na korzyści ekonomiczne, ekologiczne oraz eksploatacyjne pojazdu określane terminem eco-driving, jest rozwiązaniem posiadającym duży potencjał aplikacyjny w różnych warunkach użytkowania pojazdów. W artykule przybliżono ideę eco-drivingu oraz zaprezentowano obszerny przegląd literatury w zakresie tej tematyki. Zaprezentowano też dostępne na wyposażeniu pojazdów układy wspomagające kierowcę, w zakresie ekonomiki jazdy. Artykuł jest wprowadzeniem w problematykę eko-jazdy i możliwości płynących z jej stosowania popartych doniesieniami literaturowymi z kraju i ze świata realizowanych przez różne ośrodki badawcze, a także doświadczeń autorów.
    The driving techniques improvement because of economic, environmental and operating benefits of vehicle referred to as eco-driving, is a solution having a large application potential in different conditions of vehicle use. The article brought closer the idea of eco-driving and presented an extensive review of the literature regarding this subject. Driver assistance systems available as vehicle equipment in the field of driving economics were also presented. The article is an introduction to the issues of ecodriving and capabilities resulting from its application supported by literature reports from around the country and the world carried out by various research centers and experienced authors.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2017, 18, 6; 93-98, CD
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza wytrzymałościowa wybranych elementów układu tłokowo-korbowego jednocylindrowego silnika o zs, Cz. II
    The analysis of strength of selected elements of piston-crankshaft single-cylinder diesel engine, Part 2
    Autorzy:
    Caban, J.
    Droździel, P.
    Winiarski, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/252184.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    silnik jednocylindrowy
    korbowód
    wał korbowy
    program ABAQUS
    analiza wytrzymałościowa
    single-cylinder diesel
    connecting rod
    crankshaft
    ABAQUS program
    strength analysis
    Opis:
    W artykule zaprezentowano analizę wytrzymałościową wybranych elementów układu tłokowo korbowego jednocylindrowego silnika o zapłonie samoczynnym. Analizie poddane zostały: tłok, korbowód, wał korbowy oraz sworzeń tłokowy. Wykonano modele geometryczne części silnika, które poddano obliczeniom numerycznym wykonanym w programie ABAQUS. Zaprezentowana analiza obejmuje obliczenia dotyczące rozkładu naprężeń i przemieszczeń w modelach części, rozkładu temperatury, a także uwzględnia zachowanie się części pod wpływem działania sił bezwładności. W tej części artykułu przedstawiono analizę korbowodu oraz wału korbowego przedmiotowego silnika.
    The paper presents the strength analysis of selected elements of the piston-crank single-cylinder diesel engine. The piston, the connecting rod, the crankshaft and the piston pin were analyzed. The geometrical models of the engine that were made, were subjected to numerical calculations in the ABAQUS program. The presented analysis includes calculations of the distribution of stresses and displacements in the models of parts, the temperature distribution and it also includes the behavior of the parts under the influence of inertia. This section concentrates on the analysis of the connecting rod and the crankshaft of the single-cylinder diesel engine.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2012, 9; 113-119, CD
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analiza wytrzymałościowa wybranych elementów układu tłokowo-korbowego jednocylindrowego silnika o zs, Cz. I
    The analysis of strength of selected elements of piston-crankshaft single-cylinder diesel engine, Part 1
    Autorzy:
    Caban, J.
    Droździel, P.
    Winiarski, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/250709.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    silnik jednocylindrowy
    tłok
    sworzeń tłokowy
    program ABAQUS
    analiza wytrzymałościowa
    single-cylinder diesel
    piston
    piston pin
    ABAQUS program
    strength analysis
    Opis:
    W artykule zaprezentowano analizę wytrzymałościową wybranych elementów układu tłokowo-korbowego jednocylindrowego silnika o zapłonie samoczynnym. Analizie poddane zostały: tłok, korbowód, wał korbowy oraz sworzeń tłokowy. Wykonano modele geometryczne części silnika, które poddano obliczeniom numerycznym wykonanym w programie ABAQUS. Zaprezentowana analiza obejmuje obliczenia dotyczące rozkładu naprężeń i przemieszczeń w modelach części, rozkładu temperatury, a także uwzględnia zachowanie się części pod wpływem działania sił bezwładności. W tej części artykułu przedstawiono analizę tłoka i sworznia tłokowego silnika jednocylindrowego.
    The paper presents the strength analysis of selected elements of the piston-crank single-cylinder diesel engine. The piston, the connecting rod, the crankshaft and the piston pin were analyzed. The geometrical models of the engine that were made, were subjected to numerical calculations in the ABAQUS program. The presented analysis includes calculations of the distribution of stresses and displacements in the models of parts, the temperature distribution and it also includes the behavior of the parts under the influence of inertia. This section concentrates on the analysis of the piston and the piston pin of the single cylinder direct injection diesel engine.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2012, 9; 105-111, CD
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Charakterystyka tribologiczna stopów magnezu stosowanych w środkach transportu
    Tribological characteristics of magnesium alloys used in means of transport
    Autorzy:
    Walczak, M.
    Caban, J.
    Pliżga, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/252324.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    testy tribologiczne
    stop magnezu
    transport
    test t-Studenta
    tribological tests
    magnesium alloy
    t-Student test
    Opis:
    Znajomość charakterystyk tribologicznych par materiałów ze sobą współpracujących, przydaje się przy ich doborze na ważne elementy środków transportu oraz w procesie kształtowania na drodze obróbki plastycznej. Artykuł dotyczy analizy charakterystyki zużycia tribologicznego ball-on-disc stopów magnezu Mg-Al-Zn wykorzystywanych w budowie różnych środków transportu. Testy tribologiczne prowadzono w warunkach tarcia technicznie suchego dla pary stop magnezu–stal 100Cr6. Badano twardość stopów, współczynnik zużycia i współczynnik tarcia, a ślady zużycia poddano obserwacjom SEM. Ocenę istotności zmian współczynnika zużycia przeprowadzono testem t-Studenta.
    Knowledge of the tribological characteristics of materials pairs of cooperating with one another, useful for the selection for important elements of means of transport and in the process of metal forming. The article concerns the analysis of the characteristics of tribological wear ball-on-disc magnesium alloys used in the construction of various means of transport. Tribological tests were carried out under dry friction pair magnesium alloysteel 100Cr6. Were tested wear rate and coefficient of friction of the sample, the signs of wear was SEM observation. The evaluation of the significance of changes in consumption coefficient was conducted by t-Student's test.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2015, 12; 1614-1617, CD
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wybrane zagadnienia zanieczyszczenia środowiska hałasem pochodzącym z pracy maszyn i urządzeń rolniczych
    Selected issues of the environmental noise pollution coming from the work of the agricultural machines and equipment
    Autorzy:
    Caban, J.
    Maksym, P.
    Marczuk, A.
    Droździel, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/313809.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    zanieczyszczenia środowiska
    maszyny rolnicze
    bezpieczeństwo pracy
    pollution
    agricultural machines
    work safety
    Opis:
    Bezpieczeństwo pracy w sektorze rolnictwa w znacznej mierze zależy od fachowej wiedzy w kontekście wykonywanych czynności agrotechnicznych, postępowaniu ze zwierzętami gospodarskimi oraz obsługi maszyn i urządzeń wykorzystywanych w produkcji rolniczej. W artykule zaprezentowano problematykę zagrożenia hałasem w rolniczym środowisku pracy. Przedstawiono główne źródła hałasu w rolnictwie oraz poziomy normatywne dla maszyn i urządzeń wykorzystywanych w indywidualnych gospodarstwach rolniczych. Zaprezentowano podstawowe formy przeciwdziałania zagrożeniu hałasem w sektorze rolnictwa w Polsce.
    Work safety in the agricultural sector largely depends on the expertise within the context of their operations agronomic, dealing with livestock and operation of machinery and equipment used in agricultural production. The article presents the problem of noise pollution in the agricultural working environment. We present the main sources of noise in agriculture and normative levels achieved by machinery and equipment used on farms. The basic forms of counteracting threats noise in the agricultural sector in Poland was presented.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 12; 55-58
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wybrane aspekty bezpieczeństwa transportu morskiego w basenie morza bałtyckiego
    Chosen aspects of safety of maritime transport in the Baltic Sea Basin
    Autorzy:
    Caban, J.
    Porębska, E.
    Sopoćko, M.
    Droździel, P.
    Vrábel, J.
    Šarkan, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/312679.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
    Tematy:
    bezpieczeństwo na morzu
    transport morski
    Morze Bałtyckie
    safety at sea
    maritime transport
    Baltic Sea
    Opis:
    Gospodarka morska jest w szczególny sposób narażona na niebezpieczeństwo ze względu na środowisko swojej działalności. Zagrożenia te wynikają zarówno z działań umyślnych, jak i przypadkowych (warunki hydrometeorologiczne, mechaniczne itp.). Są to zagrożenia zależne i niezależne od człowieka np. środowiskowe, bezpieczeństwo zdrowia i życia ludzi, czy mienia. Pomimo podejmowania prób ograniczania ryzyka niebezpieczeństwa, niemożliwe jest jego całkowite wyeliminowanie. Pomocne mogą być wszelkiego rodzaju systemy bezpieczeństwa, alarmowe, ratunkowe, oraz działania legislacyjne i edukacyjne armatorów i załóg statków do działań obronnych. W artykule przedstawiono wybrane aspekty bezpieczeństwa transportu w basenie morza Bałtyckiego oraz podjęto próbę analizy stanu bezpieczeństwa na tym akwenie.
    The maritime economy is particularly exposed to danger due to the environment of its operations. These risks result from deliberate actions, as well as incidental (hydrometeorological conditions, mechanical, etc.). These are the threat dependent and independent of human eg. environmental, safety health and life of humans or belongings. In spite of attempts to limit the risk of danger, it is impossible to completely eliminate it. May be helpful here all kinds of security systems, alarm, emergency, legislative and educational of ship owners and crews to the defense activities. The article presents some aspects of the state of transportation safety in the Baltic Sea Basin as well as undertaken the attempt to analyze the security state of this sea area.
    Źródło:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 12; 59-62
    1509-5878
    2450-7725
    Pojawia się w:
    Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badania płynu hamulcowego w samochodach osobowych
    Research on brake fluids in personal cars
    Autorzy:
    Caban, J.
    Holeša, L.
    Jachymek, M.
    Opielak, M.
    Stopa, P.
    Šarkan, B.
    Vrábel, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/253779.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
    Tematy:
    płyn hamulcowy
    starzenie płynu hamulcowego
    jakość płynu hamulcowego
    brake fluid
    brake fluid ageing
    brake fluid quality
    Opis:
    Na bezpieczeństwo w ruchu drogowym składa się wiele czynników, jednym z nich są sprawność techniczna pojazdu i dyspozycja kierowcy. W artykule przedstawiono badania jakości płynu hamulcowego zrealizowane na wybranej grupie samochodów osobowych. W przeprowadzonych badaniach określano temperaturę wrzenia płynu hamulcowego oraz procentową zawartość wody w płynie. Wykazano, że regularna wymiana płynu hamulcowego jest konieczna, a jej optymalna częstotliwość zależy nie tylko od konstrukcji układu, ale przede wszystkim od jakości płynu.
    The road traffic safety consists of many factors, one of them is technical performance of vehicle and disposition of driver. This paper presents research on the quality of the brake fluid conducted for a selected group of cars. The present study determined the boiling point of the brake fluid and the percentage of water in the fluid. It has been shown that regular replacement of brake fluid is required, and the optimum frequency depends not only on the design of the system, but also on the quality of the liquid.
    Źródło:
    TTS Technika Transportu Szynowego; 2013, 10; 1183-1192, CD
    1232-3829
    2543-5728
    Pojawia się w:
    TTS Technika Transportu Szynowego
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-14 z 14

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies