Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "spectral concentration" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Analiza wybranych właściwości różnych typów luksomierzy
Analysis of the chosen attributes of different types of luxmeters
Autorzy:
Banaszak, A.
Tabaka, P.
Wtorkiewicz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/158988.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
luksomierz (fotometr)
błąd kosinusowy
współczynnik (wskaźnik) korekcji barwowej
rozkład widmowy
wzorcowanie
błędy pomiaru
źródła światła
illuminance meter
cosine error the colour correction coefficient
spectral concentration
calibration
measurement error
light sources
Opis:
Podstawowym i najczęściej stosowanym miernikiem w fotometrii jest luksomierz. Aby mierzone natężenie oświetlenia odpowiadało wartości odniesienia, miernik ten musi spełniać szereg wymagań, do których zalicza się m.in. korekcję widmową oraz przestrzenną głowicy foto-metrycznej luksomierza. W ostatnich latach na rynku można spotkać coraz więcej fotometrów, które z uwagi na niską cenę cieszą się dużym zainteresowaniem. Bardzo często ich koszt jednostkowy jest niższy od ceny wzorcowania. W artykule, na podstawie przeprowadzonych pomiarów laboratoryjnych, przeanalizowano wybrane właściwości metrologiczne powszechnie używanych typów luksomierzy podczas weryfikacji parametrów oświetlenia we wnętrzach. Pomiarom poddano zarówno mierniki o wysokiej, jak i o niższej dokładności. Wobec faktu, że do oświetlania wnętrz stosowane są źródła światła o różnych rozkładach widmowych emitowanego promieniowania, zarejestrowano wskazania poszczególnych luksomierzy przy oświetleniu ich powierzchni światłoczułych lampami wyładowczymi oraz źródłami LED. Uzyskane wartości odniesiono do pomiarów otrzymanych przy użyciu lampy żarowej o temperaturze barwowej Tc = 2856 K – źródle, którego promieniowanie wykorzystywane jest przy wzorcowaniu fotometrów. Na podstawie przeprowadzonych badań wyznaczono błędy względne oraz błędy kosinusowe luksomierzy, a także współczynniki (wskaźniki) korekcji barwy. Pomiary uzupełniono rejestracją rozkładów widmowych źródeł światła wykorzystanych podczas pomiarów eksperymentalnych.
An iluminance meter is the basic and most frequently used measuring instrument in photometry. This instrument must meet a number of requirements e.g. a spectral and space correction of the photoelement in order to have the illuminance corresponding to the actual value. In the recent years, more and more photometers can be found on the market, which have generated a lot of attention because of their low price. Their individual cost is very often lower than the calibration price. On the grounds of the performed laboratory measurements, the chosen metrological attributes of commonly used luxmeters during the indoor verification of lighting parameters were analysed in the article. Instruments of high as well as low accuracy were tested. During the indoor lighting the light sources of different spectral concentration are used. Concerning this fact the individual luxmeters read-outs with light-sensitive surfaces lighted by the discharge lamp as well as LED sources were registered. Obtained results were compared with the values received during measurements carried out with the use of an electric lamp of the colour temperature Tc = 2856 K, i.e. a source, which radiation is used during the calibration of photometers. The relative and cosine errors as well as the colour correction coefficients (factors) were set down based on the carried out measurements. They were complemented with the registration of the spectral concentration locus of the light sources used during the experimental measurements.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 268; 83-99
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms
Autorzy:
Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192170.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRPITS
radiacyjne centrum defektowe
Si
procedura Laplace'a
radiation defect centres
Laplace procedure
Opis:
Przedstawiono procedurę wyznaczania koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Stwierdzono, że intensywność prążka Laplace'a jest proporcjonalna do amplitudy składowej wykładniczej przebiegu relaksacyjnego związanej z termiczną emisją nośników ładunku z centrów defektowych o określonych właściwościach. Nową procedurę wykorzystano do określenia koncentracji wybranych radiacyjnych centrów defektowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej napromieniowanej dawką protonów równą 1,7 x 1016 cm-2, a także w objętościowym monokrysztale krzemu, otrzymanym metodą Czochralskiego w polu magnetycznym (MCz Si), napromieniowanym różnymi dawkami wysokoenergetycznych neutronów. Stwierdzono, że koncentracja radiacyjnych pułapek TX1 (69 meV), identyfikowanych z kompleksami CiCs w krzemowej warstwie epitaksjalnej wynosi 2,5 x 1015 cm-3. Koncentracja pułapek TA6 (410 meV) identyfikowanych z lukami podwójnymi V2 (-/O) w MCz Si napromieniowanym dawkami neutronów 3 x 1015 cm-2 i 1 x 1016 cm-2 wynosi odpowiednio 4,0 x 1014 cm-2 i 5,5 x 1014 cm-3.
A new procedure for determining the defect center concentration from the Laplace spectral fringes, obtained as a result of analysis of the photocurrent waveforms, has been developed. It was found that the intensity of a Laplace spectral fringe is proportional to the amplitude of the exponential component of the relaxation waveform related to the thermal emission of charge carriers from a defect center with the given properties. The procedure is exemplified by the determination of the concentrations of selected radiation defect centers in an epitaxial layer of Si irradiated with a proton fluence of 1,7 x 1016 cm-2, as well as in samples of MCz Si irradiated with high energy neutrons. It was found that in the epitaxial layer, the concentration of the TX1 (69 meV) trap attributed to the CiCs complex is 2.5 x 1015 cm-3. In the latter material, the concentrations of the TA6 (410 meV) trap, identified with divacancies V2 (-/O), were found to be 4 x 1014 and 5.5 x 1014 cm-3 for the fluences of 3 x 1015 and 1 x 1016 cm-2, respectively.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 1, 1; 19-33
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies