Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "technologia CMOS" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Multiple output CMOS current amplifier
    Autorzy:
    Pankiewicz, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201141.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    current amplifier
    current follower
    current mirror
    CMOS technology
    wzmacniacz prądowy
    prąd
    technologia CMOS
    Opis:
    In this paper the multiple output current amplifier basic cell is proposed. The triple output current mirror and current follower circuit are described in detail. The cell consists of a split nMOS differential pair and accompanying biasing current sources. It is suitable for low voltage operation and exhibits highly linear DC response. Through cell devices scaling, not only unity, but also any current gains are achievable. As examples, a current amplifier and bandpass biquad section designed in CMOS TSMC 90nm technology are presented. The current amplifier is powered from a 1.2V supply. MOS transistors scaling was chosen to obtain output gains equal to -2, 1 and 2. Simulated real gains are -1.941, 0.966 and 1.932 respectively. The 3dB passband obtained is above 20MHz, while current consumption is independent of input and output currents and is only 7.77μA. The bandpass biquad section utilises the previously presented amplifier, two capacitors and one resistor, and has a Q factor equal to 4 and pole frequency equal to 100 kHz.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 2; 301-306
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Low voltage, high-speed four-quadrant cmos transconductance multiplier
    Niskonapięciowy szybki czteroćwiartkowy trans-konduktancyjny układ mnożący w technologii cmos
    Autorzy:
    Jasielski, J.
    Kuta, S.
    Machowski, W.
    Kołodziejski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/389872.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Bydgoska im. Jana i Jędrzeja Śniadeckich. Wydawnictwo PB
    Tematy:
    analog VLSI
    four-quadrant multiplier
    CMOS
    analogowe układy VLSI
    czteroćwiartkowy układ mnożący
    technologia CMOS
    Opis:
    The paper presents an analog four-quadrant transconductance multiplier designed in CMOS technology, suitable for low voltage and operating at high-speed. The transconductance multiplier with Gilbert-like architecture uses a cascade of a combination of two linear current dividers implemented by means of the differential pairs to produce a linear dependence between the tail current and the two output currents. To adopt the circuit for low voltage, simple current mirrors have been applied to couple the first- and the second stage of the current dividers cascade. High-speed operation is possible thanks to simple architecture of building blocks using RF CMOS transistors with sufficiently large biasing currents. A complete circuits schematic with input driving peripherials, as well as simulation results of entire multiplier have also been presented.
    W artykule zaprezentowano szybki niskonapięciowy czteroćwiartkowy układ mnożący zaprojektowany w technologii CMOS. Architektura układu oparta jest o strukturę typu Gilberta. W układzie zastosowano kaskadowe połączenie dwóch stopni transkonduktancyjnych zrealizowanych w oparciu o pary różnicowe. Aby układ mógł pracować w zakresie niskich napięć zasilających poszczególne stopnie zostały sprzęgnięte przy pomocy prostych luster prądowych. Duża szybkość działania została osiągnięta dzięki prostej architekturze układu oraz zastosowaniu tranzystorów RF pracujących przy odpowiednio dużych wartościach prądów. W pracy zaprezentowano również wejściowe niskonapięciowe bloki pomocnicze oraz wyniki symulacji kompletnego układu mnożącego.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe. Telekomunikacja i Elektronika / Uniwersytet Technologiczno-Przyrodniczy w Bydgoszczy; 2010, 13; 115-124
    1899-0088
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe. Telekomunikacja i Elektronika / Uniwersytet Technologiczno-Przyrodniczy w Bydgoszczy
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies