Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "spintronics" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Conception of Magnetic Memory Switched by Time Dependant Current Density and Current Electron Spin Polarization
Autorzy:
Steblinski, Paul
Blachowicz, Tomasz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227198.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
spintronics
magnetic logic
BPM memories
magnetic simulations
Opis:
In this article the magnetic memory model with nano-meter size made from iron cells was proposed. For a purpose of determining the model specifications, the magnetic probes group with different geometrical parameters were examined using numeric simulations for the two different time duration of transitions among quasi-stable magnetic distributions found in the system, derived from the energy minimums. The geometrical parameters range was found, for which the 16 quasi–stable energetic states exist for the each probe. Having considered these results the 4 bits magnetic cells systems can be designed whose state is changed by spin-polarized current. Time dependent current densities and the current electron spin polarization directions were determined for all cases of transitions among quasi-stable states, for discovered set of 4 bits cells with different geometrical parameters. The 16-states cells, with the least geometrical area, achieved the 300 times bigger writing density in comparison to actual semiconductor solutions with the largest writing densities. The transitions among quasi-stable states of cells were examined for the time durations 10⁵ times shorter than that for up to date solutions.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2019, 65, 2; 309-312
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Rezonansowa dioda tunelowa z elektrodami magnetycznymi
Autorzy:
Szczepański, Tomasz
Kudła, Sylwia
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/129532.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Rzeszowska im. Ignacego Łukasiewicza. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
resonant tunnelling
diode
magnetic tunnelling diode
spintronics
rezonansowa dioda tunelowa
magnetyczna dioda tunelowa
spintronika
Opis:
We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
Źródło:
Physics for Economy; 2019, 3, 1; 41-51
2544-7742
2544-7750
Pojawia się w:
Physics for Economy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies