Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "scattering process" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The effect of elastic and inelastic scattering on electronic transport in open systems
Autorzy:
Kulinowski, Karol
Wołoszyn, Maciej
Radecka, Marta
Spisak, Bartłomiej J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/329792.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Uniwersytet Zielonogórski. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
kinetic equation
relaxation time approximation
scattering process
równanie kinetyczne
czas relaksacji
proces rozpraszania
Opis:
The purpose of this study is to apply the distribution function formalism to the problem of electronic transport in open systems, and to numerically solve the kinetic equation with a dissipation term. This term is modeled within the relaxation time approximation and contains two parts, corresponding to elastic or inelastic processes. The collision operator is approximated as a sum of the semi-classical energy dissipation term and the momentum relaxation term, which randomizes the momentum but does not change the energy. As a result, the distribution of charge carriers changes due to the dissipation processes, which has a profound impact on the electronic transport through the simulated region discussed in terms of the current–voltage characteristics and their modification caused by the scattering. Measurements of the current–voltage characteristics for titanium dioxide thin layers are also presented, and compared with the results of numerical calculations.
Źródło:
International Journal of Applied Mathematics and Computer Science; 2019, 29, 3; 427-437
1641-876X
2083-8492
Pojawia się w:
International Journal of Applied Mathematics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data
Autorzy:
Zaunert, F.
Endres, R.
Stefanov, Y.
Schwalke, U.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308785.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
crystalline high-k gate dielectric
rare-earth oxide
praseodymium oxide
gadolinium oxide
damascene metal gate
CMP
CMOS process
TSUPREM4
MEDICI
interface state density
carrier mobility
remote coulomb scattering
Opis:
The evaluation of the world's first MOSFETs with epitaxially-grown rare-earth high-k gate dielectrics is the main issue of this work. Electrical device characterization has been performed on MOSFETs with high-k gate oxides as well as their reference counterparts with silicon dioxide gate dielectric. In addition, by means of technology simulation with TSUPREM4, models of these devices are established. Current-voltage characteristics and parameter extraction on the simulated structures is conducted with the device simulator MEDICI. Measured and simulated device characteristics are presented and the impact of interface state and fixed charge densities is discussed. Device parameters of high-k devices fabricated with standard poly-silicon gate and replacement metal gate process are compared.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 78-85
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies