Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "równanie Poissona" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-10 z 10
Tytuł:
Numerical efficiency of iterative solvers for the poisson equation using equation using computer cluster
Efektywność numeryczna iteracyjnych technik rozwiązania równania Poissona na klastrze komputerowym
Autorzy:
Gościk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/341125.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
Tematy:
metody iteracyjne
metoda różnic skończonych
równanie Poissona
iterative solvers
finite difference method
Poisson equation
Opis:
We present a set of numerical results which were obtained by systematic investigation of eciency of compilers implemented on Mordor cluster (http://mordor.wi.pb.edu.pl) running Linux distribution CentOS 4, kernel ver. 2.6. As a generic problem the finite dierence based framework for solution of the Poisson equation has been taken (with discretization on grid topologically equivalent to a Cartesian grid). The PDE converted to an algebraic system of equations is solved by adopting so-called nonstationary, Krylov type, iterative methods: conjugate gradient (CG), bi-conjugate gradient (Bi-CG), conjugate gradient squared (CGS) and bi-conjugate gradient stabilized (Bi-CGSTAB). The code was implemented using two dierent compilers, such as gcc (GNU Compiler Collection - ver. 3.4.6) and icc (Intel C++ Compiler - ver. 9.1). All performances reported were done with the Xeon 3.2 GHz processor that has own memory 2 GB.
Przedstawiono wstępne wyniki badania efektywności sekwencyjnego przetwarzania danych w algorytmach rozwiązywania dużych układów równań liniowych na klastrze obliczeniowym Mordor (http://mordor.wi.pb.edu.pl) zarządzanym przez system operacyjny Linux (dystrybucja CentOS 4, wersja jądra 2.6). Szczególną uwagę zwrócono na wpływ doboru opcji optymalizacyjnych w dost˛epnych kompilatorach na wydajność obliczeniową kodu komputerowego. Jako bazowe do rozważań przyjęto duże układy równań liniowych z macierzą współczynników o strukturze rzadkiej. Takie układy równań generowane są w procedurze numerycznego rozwiązania równania Poissona, którego aproksymację otrzymuje się na gruncie metody różnic skończonych (dyskretyzacja na uporządkowanej siatce różnicowej w kartezjańskim układzie współżędnych prostokątnych). Cząstkowe równanie różniczkowe przekształcone do postaci układu równań liniowych rozwiązano z wykorzystaniem czterech metod iteracyjnych typu Kryłowa: gradientów sprzężonych (CG), gradientów bisprzężonych (Bi-CG), kwadratowego gradientu sprzężonego (CGS) oraz stabilizowaną metodą wzajemnie sprzężonych gradientów (Bi-CGSTAB). Metody te wdrożono generując własne oprogramowanie oraz zaimplementowano z wykorzystaniem dwóch różnych kompilatorów gcc (GNU Compiler Collection - wesja 3.4.6) oraz icc (Intel C++ Compiler - wersja 9.1). Wyniki wszystkich testów efektywności obliczeniowej uzyskano rozwiązując sformułowane zagadnienie testowe przy użyciu jednego procesora Xeon 3.2 Ghz wchodzącego w skład jednego węzła obliczeniowego z pamięcią własną 2GB.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Informatyka; 2008, 3; 39-52
1644-0331
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Politechniki Białostockiej. Informatyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Numerical simulation of coupled quantum dots
Autorzy:
Machowska-Podsiadło, E.
Mączka, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378437.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Tematy:
kropki kwantowe
równanie Poissona
równanie Schrodingera
LDA
symulacja numeryczna
quantum dots
Poisson equation
Schrödinger equation
numerical simulation
Opis:
In the work we present self-consistent solutions of Poisson and Schrödinger equations which describe electron states in coupled quantum dots. Results for two neighbouring quantum dots formed in an electrostatic way are discussed. Zero-dimensional electron gas is investigated in the structure proposed by Kastner [1] and presented in our earlier works [2-4]. In the work results of simulations performed in three- and two-dimensional space are shown. We included Hartree potential for modeling Coulomb interactions among electrons in the system. We also considered the exchange and correlation potentials which ensured that each discrete energy level was occupied by only one electron. The exchange and correlation potentials were taken into account with the help of the Local Density Approximation (LDA).
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2005-2006, 37/38, 13; 1-4
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Crack detection by the topological gradient method
Autorzy:
Amstutz, S.
Horchani, I.
Masmoudi, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/970147.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
Tematy:
wykrywanie pęknięć
wrażliwość topologiczna
gradient topologiczny
równanie Poissona
crack detection
topological sensitivity
topological gradient
Poisson equation
Opis:
The topological sensitivity analysis consists in studying the behavior of a shape functional when modifying the topology of the domain. In general, the perturbation under consideration is the creation of a small hole. In this paper, the topological asymptotic expansion is obtained for the Laplace equation with respect to the insertion of a short crack inside a plane domain. This result is illustrated by some numerical experiments in the context of crack detection.
Źródło:
Control and Cybernetics; 2005, 34, 1; 81-101
0324-8569
Pojawia się w:
Control and Cybernetics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Improved XFEM for the Poisson Equation with Discontinuous Coefficients
Autorzy:
Stąpór, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/140045.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Poisson equation
weak discontinuity
extended finite element method
XFEM
równanie Poissona
słaba nieciągłość
rozszerzona metoda elementów skończonych
Opis:
Discontinuous coefficients in the Poisson equation lead to the weak discontinuity in the solution, e.g. the gradient in the field quantity exhibits a rapid change across an interface. In the real world, discontinuities are frequently found (cracks, material interfaces, voids, phase-change phenomena) and their mathematical model can be represented by Poisson type equation. In this study, the extended finite element method (XFEM) is used to solve the formulated discontinuous problem. The XFEM solution introduce the discontinuity through nodal enrichment function, and controls it by additional degrees of freedom. This allows one to make the finite element mesh independent of discontinuity location. The quality of the solution depends mainly on the assumed enrichment basis functions. In the paper, a new set of enrichments are proposed in the solution of the Poisson equation with discontinuous coefficients. The global and local error estimates are used in order to assess the quality of the solution. The stability of the solution is investigated using the condition number of the stiffness matrix. The solutions obtained with standard and new enrichment functions are compared and discussed.
Źródło:
Archive of Mechanical Engineering; 2017, LXIV, 1; 123-144
0004-0738
Pojawia się w:
Archive of Mechanical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An enhanced XFEM for the discontinuous Poisson problem
Autorzy:
Stąpór, Paweł
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/140096.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
discontinuity
extended finite element method
XFEM
recovery procedure
Poisson equation
nieciągłość
rozszerzona metoda elementów skończonych
procedura odzyskiwania
równanie Poissona
Opis:
In the paper, the extended finite element method (XFEM) is combined with a recovery procedure in the analysis of the discontinuous Poisson problem. The model considers the weak as well as the strong discontinuity. Computationally efficient low-order finite elements provided good convergence are used. The combination of the XFEM with a recovery procedure allows for optimal convergence rates in the gradient i.e. as the same order as the primary solution. The discontinuity is modelled independently of the finite element mesh using a step-enrichment and level set approach. The results show improved gradient prediction locally for the interface element and globally for the entire domain.
Źródło:
Archive of Mechanical Engineering; 2019, LXVI, 1; 25-37
0004-0738
Pojawia się w:
Archive of Mechanical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An analytical-numerical method for calculating the stationary thermal field in electrical systems with elliptical cross-sections
Autorzy:
Gołębiowski, Jerzy
Zaręba, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2128141.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
analytical-numerical methods of field theory
elliptical conductors
Poisson's equation
metody teorii pola analityczno-numeryczne
przewodniki eliptyczne
równanie Poissona
Opis:
In this article, an analytical-numerical approach to calculating a stationary thermal field in the elliptical region is presented. The eigenfunctions of the Laplace operator were determined analytically, whereas the coefficients of the eigenfunctions were obtained numerically. The cooling was modeled with 3rd kind (Hankel’s) boundary condition, where the total heat transfer coefficient was the sum of the convective and radiative components. The method was used to analyze the thermal field in an elliptical conductor and a dielectrically heated elliptical column. The basic parameters of these systems, i.e. their steady-state current rating and the maximum charge temperature, were determined. The results were verified using the finite element method and have been presented graphically.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 2; e136738, 1--6
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An analytical-numerical method for calculating the stationary thermal field in electrical systems with elliptical cross-sections
Autorzy:
Gołębiowski, Jerzy
Zaręba, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173609.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
analytical-numerical methods of field theory
elliptical conductors
Poisson's equation
metody teorii pola analityczno-numeryczne
przewodniki eliptyczne
równanie Poissona
Opis:
In this article, an analytical-numerical approach to calculating a stationary thermal field in the elliptical region is presented. The eigenfunctions of the Laplace operator were determined analytically, whereas the coefficients of the eigenfunctions were obtained numerically. The cooling was modeled with 3rd kind (Hankel’s) boundary condition, where the total heat transfer coefficient was the sum of the convective and radiative components. The method was used to analyze the thermal field in an elliptical conductor and a dielectrically heated elliptical column. The basic parameters of these systems, i.e. their steady-state current rating and the maximum charge temperature, were determined. The results were verified using the finite element method and have been presented graphically.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 2; art. no. e136738
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hermite spline interpolation on patches for parallelly solving the Vlasov-Poisson equation
Autorzy:
Crouseilles, N.
Latu, G.
Sonnendrücker, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/929688.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Uniwersytet Zielonogórski. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
równanie Vlasova-Poissona
metoda Lagrangiana
równoległość
Vlasov-Poisson equation
semi-Lagrangian method
parallelism
Opis:
This work is devoted to the numerical simulation of the Vlasov equation using a phase space grid. In contrast to Particle- In-Cell (PIC) methods, which are known to be noisy, we propose a semi-Lagrangian-type method to discretize the Vlasov equation in the two-dimensional phase space. As this kind of method requires a huge computational effort, one has to carry out the simulations on parallel machines. For this purpose, we present a method using patches decomposing the phase domain, each patch being devoted to a processor. Some Hermite boundary conditions allow for the reconstruction of a good approximation of the global solution. Several numerical results demonstrate the accuracy and the good scalability of the method with up to 64 processors. This work is a part of the CALVI project.
Źródło:
International Journal of Applied Mathematics and Computer Science; 2007, 17, 3; 335-349
1641-876X
2083-8492
Pojawia się w:
International Journal of Applied Mathematics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Autorzy:
Schwarz, Mike
Calvet, Laurie E.
Snyder, John P.
Krauss, Tillmann
Schwalke, Udo
Kloes, Alexander
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397926.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
Poisson equation
device simulation
field emission
modeling
MOSFET
process simulation
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
tunneling current
równanie Poissona
emisja polowa
modelowanie
symulacja procesu
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we focus on the implementation of a process flow of SB-MOSFETs into the process simulator of the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. An improved structure containing topography is briefly discussed and further device simulations are applied with the latest physical models available. Key parameters are discussed and finally the results are compared with fabricated SB-MOSFETs in terms of accuracy and capability of process simulations.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 1-8
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-10 z 10

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies