Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "PECVD" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-11 z 11
    Tytuł:
    Bactericidal properties of Cu doped TiO2 films deposited on medical stainless steel
    Autorzy:
    Sobczyk-Guzenda, A.
    Owczarek, S.
    Jakubowski, W.
    Jędrzejczak, A.
    Gazicki-Lipman, M.
    Szymanowski, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/284706.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
    Tematy:
    stainless steel
    RF PECVD technique
    biomaterials
    Źródło:
    Engineering of Biomaterials; 2017, 20, no. 143 spec. iss.; 75
    1429-7248
    Pojawia się w:
    Engineering of Biomaterials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
    Autorzy:
    Mroczyński, R.
    Bieniek, T.
    Beck, R. B.
    Ćwil, M.
    Konarski, P.
    Hoffman, P.
    Schmeißer, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308687.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ultra-thin dielectrics
    oxynitride
    SIMS
    XPS
    PECVD
    Opis:
    In this paper differences in chemical composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated in planar rf plasma reactor are studied. The ultra-thin dielectric layers were obtained in the same reactor by two different methods: ultrashallow nitrogen implantation followed by plasma oxidation and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Chemical composition of silicon oxynitride layers was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). The spectroscopic ellipsometry was used to determine both the thickness and refractive index of the obtained layers. The XPS measurements show considerable differences between the composition of the fabricated layers using each of the above mentioned methods. The SIMS analysis confirms XPS results and indicates differences in nitrogen distribution.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 20-24
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
    Autorzy:
    Mroczyński, R.
    Głuszko, G.
    Beck, R. B.
    Jakubowski, A.
    Ćwil, M.
    Konarski, P.
    Hoffman, P.
    Schmeißer, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308691.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ultra-thin dielectrics
    silicon oxynitride
    PECVD
    CMOS
    Opis:
    This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Challenges in ultrathin oxide layers formation
    Autorzy:
    Beck, R.B.
    Jakubowski, A.
    Łukasiak, L.
    Korwin-Pawłowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/307646.pdf
    Data publikacji:
    2001
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    silicon technology
    oxidation
    PECVD
    RTO
    gate oxide
    ultrathin
    layers
    Opis:
    In near future silicon technology cannot do without ultrathin oxides, as it becomes clear from the "Roadmap'2000". Formation, however, of such layers, creates a lot of technical and technological problems. The aim of this paper is to present the technological methods, that potentially can be used for formation of ultrathin oxide layers for next generations ICs. The methods are briefly described and their pros and cons are discussed.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 27-34
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of RF ICP PECVD process parameters of diamond-like carbon films on DC bias and optical emission spectra
    Autorzy:
    Oleszkiewicz, W
    Markowski, J
    Srnanek, R
    Kijaszek, W
    Gryglewicz, J
    Kovac, J
    Tlaczala, M
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173686.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    PECVD
    diamond-like carbon layers
    OES
    Raman spectroscopy
    AFM
    Opis:
    The work presents the results of a research carried out with PlasmaLab Plus 100 system, manufactured by Oxford Instruments Company. The system was configured for deposition of diamond-like carbon films by ICP PECVD method. The change of an initial value of DC bias was investigated as a function of set values of the generator power (RF generator and ICP generator) in the constant power of the RF generator operation mode. The research shows that the value of DC bias nearly linearly depends on the RF generator power value and is affected only in a small degree by the power of ICP discharge. The capability of an installed OES spectrometer has been used to ensure the same starting conditions for the deposition processes of DLC films. The analysis of OES spectra of RF plasma discharge used in the deposition processes shows that the increase in ICP discharge power value results in the increased efficiency of the ionization process of a gaseous precursor (CH4). The quality of deposited DLC layers was examined by Raman spectroscopy. Basing on the acquired Raman spectra, the theoretical content of sp3 bonds in the structure of the film was estimated. The content is ranging from 30% to 65% and depends on ICP PECVD deposition process parameters.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2013, 43, 1; 109-115
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Bactericidal and hydrophilic plasma deposited thin TiO2 films on glass substrate
    Autorzy:
    Sobczyk-Guzenda, A.
    Szymanowski, H.
    Gazicki-Lipman, M.
    Kowalski, J.
    Jakubowski, W.
    Halamus, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/285691.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Polskie Towarzystwo Biominerałów
    Tematy:
    TiO2 thin films
    RF PECVD method
    bactericidal activity
    hydrophilic effect
    Opis:
    In recent years, titanium dioxide has attracted a great deal of attention as a material for photocatalytic applications. These applications include antibacterial effect as well as photocatalytic air and water purification. Another property of TiO2 concerns a substantial increase of its surface hydrophilicity upon irradiation. The aim of this work is to investigate thin TiO2films obtained by RF PECVD technique with respect to hydrophilic and long-term bactericidal activity. Structural studies, carried out by Raman spectroscopy show that all the investigated coatings are amorphous. The films exhibit agglomerates, with their amount depending on energetic conditions of deposition. Adhesion measured by a scratch test shows that films deposited at higher RF power adhere better than those synthesized at lower power values. UV irradiation causes death of nearly 100% of Escherichia coli population on TiO2films. The irradiated films are still active for about 30 min after the end of UV exposure. A substantial decrease of water contact angle is also observed upon the irradiation of the films with UV light.
    Źródło:
    Engineering of Biomaterials; 2009, 12, 85; 8-12
    1429-7248
    Pojawia się w:
    Engineering of Biomaterials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Microstructure and Mechanical Properties of Amorphous Hydrogenated DLC-Coated Ti-6Al-4V ELI Alloy with TiCN Interlayer Prepared by rf-PECVD
    Autorzy:
    Lee, Kwangmin
    Kang, Seokil
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355460.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    DLC coating
    rf-PECVD
    Ti-6Al-4V ELI alloy
    TiCN
    Opis:
    The low adherence of diamond-like carbon (DLC) films on titanium (Ti) alloys can be improved by using interlayer coatings. In this study, DLC (a-C:H) films were deposited using radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition (rf-PECVD), and a TiCN interlayer was applied between the extra low interstitial (ELI) grade of Ti-6Al-4V alloy and a-C:H film. The characteristics of the a-C:H-coated Ti-6Al-4V ELI alloy were investigated using field emission scanning electron microscopy, Vickers hardness, and scratch and wear tests. The DLC (a-C:H) films deposited by rf-PECVD had a thickness of 1.7 μm, and the TiCN interlayer hada thickness of 1.1 μm. Vickers hardness of the DLC (a-C:H) films were increased as a result of the influence of the TiCN interlayer. The resulting friction coefficient of the a-C:H-coated Ti-6Al-4V with the TiCN interlayer had an extremely low value of 0.07.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2020, 65, 4; 1357-1360
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Improvement of Tools Durability by Application of Hybrid Layer of Nitrided/PECVD Coating
    Poprawa trwałości narzędzi poprzez zastosowanie warstw hybrydowych azotowanie/PEC VD
    Autorzy:
    Gronostajski, Z.
    Kaszuba, M.
    Paschke, H.
    Zakrzewski, T.
    Rogaliński, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356165.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    forging
    tools
    nitride
    PVD
    CVD
    kucie
    narzędzia
    azotek
    technologie hybrydowe azotowanie/PECVD
    Opis:
    In the process of die hot forging the tools are subjected to three main factors leading to their destruction: the intensive thermal shocks, cyclically variable mechanical loads and intensive friction. The above mentioned factors causing destruction in the process of hot forging and warm forging concern mainly the surface of tools. Hybrid technique nitrided/PECVD belong to the latest methods of modifying the properties of the surface layer. In the paper the application of this technique for forging tools of constant velocity joint body is presented. The durability of the new tools is much better than the tools applied so far.
    W procesach kucia matrycowego na gorąco narzędzia poddawane są działaniu trzech głównych czynników powodujących ich niszczenie, tj. intensywnym szokom cieplnym, cyklicznie zmiennym obciążeniom mechanicznym oraz intensywnemu tarciu. Wymienione czynniki powodują zniszczenie głównie warstwy powiedzeniowej narzędzi, dlatego poszukuje się nowych metod podnoszących trwałość tej warstw. Jednym z rozwiązań jest stosowanie technologii hybrydowych azotowanie/PECVD. W pracy przedstawionozastosowanie takich warstw na narzędzia do kucia przegubów homokinetycznych. Badania wykazały, że narzędzia z warstwami hybrydowymi mają większą trwałość niż dotychczas stosowane.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 1609-1615
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characteristics of Carbide Interfacial Layer Formed During Deposition of DLC Films on 316L Stainless Steel Substrate
    Autorzy:
    Dudek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/354300.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    RF PECVD
    carbon films
    diamond like carbon film
    film growth
    carbides formation
    Opis:
    The paper presents the analysis of formation of interfacial layer during deposition of diamond like carbon film (DLC) on the 316L stainless steel by capacitive plasma discharge in the CH4 atmosphere. The structure of the interfacial layer of DLC film was strongly affected by the temperature increase during the initial stages of the process. Initially, thin interfacial layer of 5 nm has been formed. As the temperature had reached 210°C, the second phase of the process was marked by the onset of carbon atoms diffusion into the steel and by the interface thickness increase. Finally, the growth of chromium carbide interface, the upward diffusion of chromium and nickel atoms to film, the etching and the decrease of the DLC film thickness were observed at 233°C. These investigations were carried out ex-situ by spectroscopic ellipsometry, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 4; 2211-2216
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical analysis of thermal stresses in carbon films obtained by the RF PECVD method on the surface of a cannulated screw
    Analiza numeryczna naprężeń cieplnych w warstwie węglowej otrzymanej w procesie RF PECVD na powierzchni wkręta kostnego
    Autorzy:
    Sawicki, J.
    Dudek, M.
    Kaczmarek, Ł.
    Więcek, B.
    Świątczak, T.
    Olbrycht, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/350904.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    RF PECVD
    termografia
    warstwy węglowe
    naprężenie
    modelowanie elementów skończonych
    thermography
    carbon films
    residual stresses
    finite element modeling
    Opis:
    For many years, research on carbon films has been stimulated by the need to simultaneously optimize their biological and mechanical properties and by the challenges related to their deposition on medical implants. The residual mechanical stress occurring inside deposited films is the most important mechanical parameter which leads to the total destruction of these films by cracking and peeling. In the present work, we systematically studied the effect of ion bombardment during the process of radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD) by monitoring the temperature distribution on a cannulated screw using the infrared technique. The obtained experimental and finite element modeling (FEM) results show that stresses in carbon films deposited on a cannulated screw are quite inhomogeneous and depend on the geometry of the sample and the relative position of the studied contact area between the substrate/film interface and the surface of the film.
    Od wielu lat prowadzone są badania mające na celu zredukowanie naprężeń, w węglowych warstwach stosowanych na implanty medyczne, bez pogorszenia własności mechanicznych i biologicznych. Niemniej jednak poznanie mechanizmów wywołujących naprężenia wymaga szczegółowej analizy numerycznej. Wysoka wartość naprężeń mechanicznych występujących w osadzanych warstwach prowadzi poprzez pękanie i odwarstwienie do ich całkowitego zniszczenia, co znacząco organiczna praktyczne wykorzystanie warstw węglowych. W prezentowanej pracy, przeanalizowano wpływ bombardowania jonów podczas procesu plazmochemicznego (RF PECVD) na rozkład temperatury na powierzchni śruby ortopedycznej przy użyciu kamery termowizyjnej. Przeprowadzone eksperymenty i uzyskane rezultaty modelowania (MES) pokazały, ze naprężenia w warstwach węglowych osadzonych na śrubie ortopedycznej sa niejednorodne i zależą od rzeczywistej powierzchni styku pomiędzy podłożem a powłoka jak i geometrii samej próbki.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 1; 77-81
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optimization of radio frequency inductively coupled plasma enhanced chemical vapour deposition process of diamond-like carbon films
    Autorzy:
    Kijaszek, W.
    Oleszkiewicz, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/174787.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    diamond-like carbon
    radio frequency inductively coupled plasma enhanced chemical vapour deposition RF ICP PECVD
    Raman scattering spectroscopy
    spectroscopic ellipsometry
    Opis:
    The diamond-like carbon materials have unique mechanical, optical, electrical and chemical properties. The material is commonly applied in automotive industry, medicine and in other everyday life products. However, the diamond-like carbons are not used in micro- and optoelectronics on a wider scale due to technological problems. The application of the diamond-like carbon films in electronic structure is limited because the standard methods do not ensure that the quality and properties of the deposited film will be satisfactory for a specific application. On the other hand, more sophisticated methods that allow manufacturing the diamond-like carbon film with adequate properties, such as microwave assisted chemical vapour deposition, require heating of the substrate to high temperature (above 1000°C). The solution to the problem is the radio frequency inductively coupled plasma enhanced chemical vapour deposition method that allows deposition of the diamond-like carbon films with satisfactory properties and the process can be carried out at room temperature. In the paper, basic information and issues concerning the diamond-like carbon films manufacturing technology by radio frequency inductively coupled plasma enhanced chemical vapour deposition method will be explained. The diamond-like carbon films were investigated by the Raman scattering spectroscopy and the spectroscopic ellipsometry.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 167-172
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-11 z 11

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies