Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Domieszkowanie" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Reversible electron charge transfer in single-wall carbon nanotubes
    Autorzy:
    Costa, S.
    Bachmatiuk, A.
    Borowiak-Palen, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/779706.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    nanorurki węglowe jednościenne
    domieszkowanie
    Raman
    SWCNT
    doping
    Opis:
    Single-wall carbon nanotubes (SWCNT) have proved to be very special materials due to their unique electronic properties. Over the last years many scientists have dedicated their research to the study of the these materials as an electronic system. Amphoteric doping effects (n-type and p-type), which can be reversed, became a very popular way of manipulating the optic and electronic properties of carbon nanotubes. In the particular case of SWCNT, the most common and widely used procedure, which changes their properties, is acid treatment applied as a purification procedure. The effect of the addition of this kind of the dopant has been widely studied but not fully understood so far. Here, we present a study, of two kinds of SWCNT, produced within different techniques: (i) chemical vapors deposition and (ii) laser ablation. The main difference between the two types is the diameter distribution of the obtained materials, which is broad in the first technique and narrow in the second. After the acid treatment it is possible to observe a diameter sensitive doping effect on both samples. Resonance Raman spectroscopy, optical absorption spectroscopy (OAS) in UV/Vis/NIR and the Fourier transform middle-infrared (FTIR) spectroscopy have been applied for the characterization of the samples.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 2; 1-4
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Field emission and microstructural characterization of diamond films deposited by HF CVD method
    Emisja polowa i charakterystyka mikrostruktury warstw diamentowych nanoszonych przy użyciu metody HF CVD
    Autorzy:
    Jarzyńska, D.
    Staryga, E.
    Znamirowski, Z.
    Fabisiak, K.
    Gotszalk, T.
    Woszczyna, M.
    Strzelecki, W.
    Dłużniewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296561.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    warstwa diamentowa
    domieszkowanie
    emisja elektronowa
    diamond film
    doping
    electron emission
    Opis:
    Electron emission from diamond films (DF) deposited using HF CVD technique on silicon substrates has been studied. The field emission characteristics were analyzed using the Fowler-Nordheim model. The diamond films were also characterized by Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), Raman Spectroscopy (RS) and Electron Spin Resonance (ESR) techniques. The correlation between electron field emission of investigated films, Raman spectra and concentration of paramagnetic centres has been discussed. The electron emission properties of diamond films improved after doping with nitrogen. The field emission was obtained at turn-on electric field equal to about 10 V/µm and about 3 V/µm, for undoped diamond films and N-doped diamond films, respectively. It seems that the change of turn-on field values and other emissive properties of thin diamond layers may be caused by different content of non-diamond phase (e.g. graphite phase) induced by doping.
    Przeprowadzono badania emisji polowej z warstw diamentowych osadzonych przy użyciu metody HF CVD na podłożach krzemowych typu n i p. Charakterystyki emisyjne analizowano na podstawie modelu Fowlera-Nordheima. Wytworzone warstwy scharakteryzowano przy użyciu następujących metod: SEM, AFM, spektroskopii Ramana i Elektronowego Rezonansu Spinowego (ESR). Przeprowadzono dyskusję wyników, wskazując na korelację pomiędzy wynikami emisji polowej a koncentracją centrów paramagnetycznych oraz widmami ramanowskimi badanych warstw diamentowych. Zaobserwowano znaczną poprawę właściwości emisyjnych heterostruktur, w których warstwa diamentowa domieszkowana została azotem. Dla układów z niedomieszkowanymi warstwami diamentowymi wartość natężenia pola włączeniowego wynosiła około 10 V/ µm, zaś dla domieszkowanych azotem warstw diamentowych wartość ta równa jest 3 V/µm. Różnice w wartościach pola włączeniowego dla odpowiednich układów wynikają prawdopodobnie z różnej zawartości materii grafito-podobnej w badanych warstwach diamentowych. Warstwy domieszkowane azotem są silnie zdefektowane i zawierają znaczną ilość materii grafitopodobnej.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 13-26
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Potentialities of modification of metal oxide varistor microstructures
    Możliwości modyfikacji mikrostruktury warystorów tlenkowych
    Autorzy:
    Mielcarek, W.
    Prociow, K.
    Warycha, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192094.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warystor ZnO
    mikrostruktura
    ceramika półprzewodnikowa
    domieszkowanie
    Bi2O3
    ZnO varistor
    microstructure
    semiconducting ceramic
    doping
    Opis:
    The electrical properties of varistors, similarly like posistors and other devices made of semiconducting ceramic, are controlled by grain boundaries. In varistor conductivity the main role play potential barriers which arise at grain boundaries during varistor sintering. The I-V behavior of varistor ceramic is such that during conduction the varistor voltage remains relatively constant while a current changes are of several orders of magnitude. Varistor is produced by sintering a mixture of ZnO with a small addition of Bi2O3 and other metal oxides. Varistor microstructure composes of ZnO grains. Each ZnO grain acts as it has a semiconducting junction at the grain boundary. The non-linear electrical behavior occurs at the boundary of each ZnO grain. The junctions between grains are separated by an intergranular phase. The best varistor performance is attained when the Bi-rich intergranular layer is of nanometer size. When the intergranular phase is in a shape of agglomerates embedding Bi2O3 crystal phases and spinel grains it forms areas excluded from conduction. The problem has been studied with emphasis on determining the relation between ZnO dopants and microstructure evolution. It was established that the vulnerability of varistor ceramic for formation of agglomerates depend on the composition of additive oxides. With SrO, MnO and PbO varistor ceramic is more susceptible for formation of agglomerates, while Co2O3, Sb2O3 and SnO2 facilitates the homogenous distribution of additives in varistor body. Elimination of an electrically inactive areas from varistor body would enable the decrease of the amount of additives (e.g. the amount of Bi2O3 would decrease from 1 mol % to 0.2 mol %) and bring about the diminishment of the cost of varistor processing along with improvement of varistor performance.
    Własności elektryczne warystorów, podobnie jak pozystorów i innych wyrobów z ceramiki półprzewodnikowej, są kontrolowane przez ukształtowanie granicy ziaren. Ceramika warystorowa ZnO swoje niewłaściwości elektryczne zawdzięcza domieszce małej ilości innych tlenków metali. Mikrostruktura warystora rozwija się podczas spiekania. Głównym elementem mikrostruktury warystora są ziarna ZnO odseparowane od siebie cienką , bogatą w bizmut, warstwą międzyziarnową. Najlepsze własności elektryczne warystor wykazuje wtedy, kiedy warstwa ta jest możliwie cienka. Jeżeli warstwa ta jest w formie aglomeratów, a w dodatku zawiera w sobie wykrystalizowany Bi2O3 lub krystality innych związków to tworzy obszar wykluczony z przewodnictwa. W warystorze o takiej strukturze w czasie przepływu prądu dochodzi do miejscowych przegrzań i zakłóceń w działaniu. W pracy udowodniono doświadczalnie, że spiekając wstępnie tlenek bizmutu z tlenkami innych metali można wpływać na kształt warstwy miedzyziarnowej, a więc i na elektryczne własności warystora. Przeprowadzone doświadczenia dowiodły, że jeżeli Bi2O3 przed dodaniem do warystora spieczemy wstępnie z tlenkami Co, Sb lub Sn to tak zmodyfikowany tlenek bizmutu sprzyja równomiernemu rozprowadzeniu domieszek w warystorze przyczyniając się do eliminacji ze struktury warystora obszarów nieaktywnych elektrycznie. Natomiast wstępne modyfikowanie tlenku bizmutu tlenkami tzw. szkłotwórczymi jak PbO, SrO i MnO nie przynosi podobnego efektu.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 1, 1; 86-98
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dye decomposition on P25 with enhanced adsorptivity
    Autorzy:
    Janus, M.
    Wawrzyniak, B.
    Tryba, B.
    Morawski, A.W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/779704.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
    Tematy:
    fotokatalizator
    N-domieszkowanie
    dwutlenek tytanu
    barwnik azowy
    visible-light active photocatalyst
    N-doped
    titanium dioxide
    azo dye
    Opis:
    The preparation method and the activity of the TiO2-P25/N doped photocatalyst based on commercial titanium dioxide (TiO2 AeroxideŽ P-25 Degussa, Germany) are presented. For the TiO2-P25/N preparation TiO2-P25 and gaseous ammonia were kept in a pressure reactor (10 bars) for 4 hours at the temperature of 200°C. This modification process changed the chemical structure of the TiO2 surface. The formation of NH4+ groups was confirmed by the FTIR measurements. Two bands in the range of ca. 1430 - 1440 cm-1 attributed to bending vibrations of NH4+ could be observed on the FTIR spectra of the catalysts modified with ammonia and the band attributed to the hydroxyl groups at 3300 - 3500 cm-1, which were not reduced after N-doping. The photocatalytic activity of the photocatalysts was checked through the decomposition of two dyes under visible light irradiation. The modified TiO2 thus prepared samples were more active than TiO2-P25 for the decomposition of dyes under visible light irradiation.
    Źródło:
    Polish Journal of Chemical Technology; 2008, 10, 2; 11-16
    1509-8117
    1899-4741
    Pojawia się w:
    Polish Journal of Chemical Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interconnections coupling through substrate for frequencies up to 100 GHz
    Autorzy:
    Gerakis, V
    Hatzopoulos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397752.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    substrate noise
    interconnect coupling
    substrate doping
    S-parameters
    Z-parameters
    zakłócenia podłożowe
    domieszkowanie substratu
    parametry rozproszenia
    parametry impedancji
    Opis:
    This work presents a study on the substrate noise coupling between two interconnects. A highly, a lightly and a uniformly doped substrate, approximating most modern technologies, are described. The three different doping profiles are simulated for various interconnect distances and different metal layers assuming a 65 nm bulk CMOS technology. A proper data analysis methodology is presented, including z and s parameters extraction and de-embedding procedure.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2014, 5, 4; 144-148
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Synthesis Of Fe Doped LiMn2O4 Cathode Materials For Li Battery By Solid State Reaction
    Synteza materiału katodowego LiMn2O4 domieszkowanego Fe metodą reakcji w fazie stałej do zastosowania w bateriach Li
    Autorzy:
    Horata, N.
    Hashizume, T.
    Saiki, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355902.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    doped LiMn2O4
    lithium ion battery
    cathode material
    solid state reaction
    domieszkowanie LiMn2O4
    bateria litowo-jonowa
    materiały katodowe
    reakcja w fazie stałej
    Opis:
    LiFe0.1Mn1.9O4 is expected as a cathode material for the rechargeable lithium-ion batteries. LiMn2O4 has been received attention because this has advantages such as low cost and low toxicity compared with other cathode materials of LiCoO2 and LiNiO2. However, LiMn2O4 has some problems such as small capacity and no long life. LiMn2O4 is phase transformation at around human life temperature. One of the methods to overcome this problem is to stabilize the spinel structure by substituting Mn site ion in LiMn2O4 with transition metals (Al, Mg, Ti, Ni, Fe, etc.). LiFe0.1Mn1.9O4 spinel was synthesized from Li2CO3, Fe2O3 and MnO22 powder. The purpose of this study is to report the optimal condition of Fe doped LiFe0.1Mn1.9O4. Li2CO3, Fe2O3, and MnO2 mixture powder was heated up to 1173 K by TG-DTA. Li2CO3 was thermal decomposed, and CO2 gas evolved, and formed Li2O at about 800 K. LiFe0.1Mn1.9O4 was synthesized from a consecutive reaction Li2O, Fe2O3 and MnO2 at 723 ~ 1023 K. Active energy is calculated to 178 kJmol−1 at 723 ~ 1023 K. The X-ray powder diffraction pattern of the LiFe0.1Mn1.9O4 heated mixture powder at 1023 K for 32 h in air flow was observed.
    LiFe0.1Mn1.9O4 jest obiecującym materiałem katodowym do zastosowania w bateriach litowo-jonowych z możliwością wielokrotnego ładowania. LiMn2O4 cieszy się dużym zainteresowaniem z powodu niskiego kosztu otrzymywania oraz niskiej toksyczności w porównaniu z innymi materiałami katodowymi typu LiCoO2 and LiNiO2 czy LiNiO2. Jednak LiMn2O4 posiada również wady: niską pojemność i krótką żywotność. Dodatkowo, przemiana fazowa LiMn2O4 zachodzi w temperaturze pokojowej. Jedną z metod rozwiązania tego problemu jest stabilizacja struktury spinelu poprzez podstawienie jonu Mn w sieci LiMn2O4 metalami przejściowymi (Al, Mg, Ti, Ni, Fe, itp.). Spinel LiFe0.1Mn1.9O4 syntezowano z proszków Li2CO3, Fe2O3 i MnO22. Celem badań było znalezienie optymalnych warunków syntezy spinelu LiFe0.1Mn1.9O4 domieszkowanego Fe. Mieszaninę proszków Li2CO3, Fe2O3 i MnO2 poddano analizie TG-DTA. W temperaturze 800 K Li2CO3 uległ rozkładowi termicznemu, w wyniku czego powstało CO2 i Li2O. LiFe0.1Mn1.9O4 zsyntezowano w wyniku reakcji następczej pomiędzy Li2O, Fe2O3 i MnO2 w temperaturze 723 ~ 1023 K. Energię aktywacji oszacowano na 178 kJmol−1 w zakresie temperatur 723 ~ 1023 K. Przeprowadzono także analizę XRD proszku LiFe0.1Mn1.9O4 wygrzewanego w 1023 K przez 32 godz. w warunkach przepływu powietrza.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 2A; 949-951
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies