Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Detektory" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Mid-wave InAs/GaSb superlattice barrier infrared detectors with nBnN and pBnN design
    Autorzy:
    Gomółka, E.
    Markowska, O.
    Kopytko, M.
    Kowalewski, A.
    Martyniuk, P.
    Rogalski, A.
    Rutkowski, J.
    Motyka, M.
    Krishna, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201992.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    InAs/GaSb type-II superlattices
    infrared detectors
    barrier detectors
    nBn detector
    p-i-n detector
    InAs
    GaSb
    detektory podczerwieni
    detektor bariery
    detektor nBn
    detektory p-i-n
    Opis:
    We present an investigation of optical and electrical properties of mid-wavelength infrared (MWIR) detectors based on InAs/GaSb strained layer superlattices (SLs) with nBnN and pBnN design. The temperature-dependent behavior of the bandgap was investigated on the basis of absorption measurements. A 50% cut-off wavelength of around 4.5 μm at 80 K and increase of up to 5.6 μm at 290 K was found. Values of Varshni parameters, zero temperature bandgap E0 and empirical coefficients α and β were extracted. Arrhenius plots of dark currents of nBnN and pBnN detectors were compared with the p-i-n design. Dark current density reduction in nBnN and pBnN detectors is observed in comparison to the p-i-n device. This shows a suppression of Shockley-Read-Hall (SRH) processes by means of introducing barrier architecture.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 317-323
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Progress in digital industrial radiology. Pt. 1, Radiographic techniques – film replacement and backscatter imaging
    Postępy w cyfrowej radiologii przemysłowej. Cz. 1, Techniki radiograficzne - sukcesor błony i obrazowanie rozproszone wstecznie
    Autorzy:
    Ewert, U.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/107864.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    digital radiography
    computed tomography
    laminography
    imaging plates
    digital detector arrays
    photon counting detectors
    back scatter
    numeric modelling
    CFRP
    welding
    corrosion
    radiografia cyfrowa
    tomografia komputerowa
    laminografia
    płyty obrazowe
    cyfrowe detektory radiograficzne
    detektory zliczające fotony
    rozpraszanie wsteczne
    modelowanie numeryczne
    spawanie
    korozja
    Opis:
    Similar to the success story of digital photography a major upheaval has been observed in digital industrial radiology. This paper is split into 3 parts: Part 1: Film Replacement and Backscatter Imaging: Computed radiography with phosphor imaging plates substitutes film applications. Digital Detector Arrays enable an extraordinary increase of contrast sensitivity in comparison to film radiography. The increased sensitivity of digital detectors enables the efficient usage for dimensional measurements and functionality tests substituting manual maintenance. The digital measurement of wall thickness and corrosion status is state of the art in petrochemical industry. Photon counting and energy discriminating detectors are applied up to 300 kV and provide increased thickness dynamic and material discrimination by synchronously acquisition of images of the high and low energy part of the spectrum. X-ray back scatter techniques have been applied in safety and security relevant applications with single sided access of source and detector. First inspections of CFRP in aerospace industry were successfully conducted with newly designed back scatter cameras. Numeric modeling is used to design X-Ray optics and inspection scenarios as well as conducting RT training. Part 2: Computed tomography (CT) Part 3: Micro Radiography and Micro CT.
    Podobnie jak w przypadku fotografii cyfrowej tak i w cyfrowej radiografii przemysłowej nastąpiły poważne zmiany. Publikacja składa się z 3 części. Część 1.: Zastąpienie techniki analogowej i obrazowanie metodą rozproszenia wstecznego. Radiografia komputerowa z zastosowaniem ekranów luminoforowych (płyt obrazowych) zastępuje błony. Cyfrowe detektory radiograficzne DDA umożliwiają uzyskanie ponadprzeciętnego wzrostu czułości kontrastowej w stosunku do błony. Zwiększona czułość detektorów cyfrowych umożliwia wykorzystanie radiografii do określenia rozmiarów obiektów i przeprowadzenia testów funkcjonalnych, zastępując obsługę ręczną. Pomiar cyfrowy grubości ścianki i procesu korozji rozwinął się znacząco w przemyśle petrochemicznym. Detektory działające w trybie zliczania fotonów z dyskryminacją energetyczną, stosowane do 300 kV umożliwiają większą, dynamiczną rozróżnialność grubości i rodzaju materiału (akwizycja synchroniczna). Techniki związane z rozpraszaniem wstecznym promieniowania X zostały zastosowane w aplikacjach z dziedziny bezpieczeństwa i ochrony, w których źródło i detektor musiały znajdować się po tej samej stronie. Omawiane systemy obrazowania zostały również po raz pierwszy zastosowane do testowania kompozytów węglowych w przemyśle lotniczym. Modelowanie numeryczne zjawisk fizycznych związanych z radiografią jest wykorzystywane w projektowaniu optyki rentgenowskiej, opracowywaniu procedur kontroli materiałów i szkoleniach RT . Część 2: Tomografia komputerowa (CT) Część 3: Mikroradiografia i mikrotomografia komputerowa.
    Źródło:
    Badania Nieniszczące i Diagnostyka; 2016, 1-2; 37-43
    2451-4462
    2543-7755
    Pojawia się w:
    Badania Nieniszczące i Diagnostyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
    Autorzy:
    Sikorski, S.
    Jung, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378443.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Tematy:
    diody Schottky'ego
    modelowanie
    detektory z barierą Schottky'ego
    przyrządy półprzewodnikowe
    Schottky diodes
    modelling
    Schottky barrier photodiodes
    semiconductor devices
    Opis:
    The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2007, 39, 5; 1-5
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Trends in hybrid pixel detectors for X-ray imaging using deep submicron VLSI technology
    Autorzy:
    Drozd, A.
    Satława, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/115661.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Fundacja na Rzecz Młodych Naukowców
    Tematy:
    X-ray imaging
    hybrid pixel detectors
    3D technologies
    SOI technologies
    obrazowanie rentgenowskie
    hybrydowe detektory pikseli
    technologie 3D
    technologia SOI
    Opis:
    The article covers the latest developments in pixel detectors used for X-ray imaging as well as the description of the practical solution – a multichannel integrated circuit dedicated to X-ray imaging. In general introduction a wide range of pixel detector applications is presented. The main part focuses on the challenges and new solutions for the field of X-ray imaging, including 3D integration, silicon-on-insulator and submicron technologies. Since minimization of a pixel size together with implementing more functionality are important issues in the detectors’ and integrated circuits’ design, the aspects of channel-to-channel uniformity and additional effects like charge sharing between pixels are taken into consideration. In the last section, the Authors present the application specific integrated circuit designed in 40 nm technology dedicated to X-ray detection and future prospects are discussed.
    Źródło:
    Challenges of Modern Technology; 2014, 5, 4; 3-7
    2082-2863
    2353-4419
    Pojawia się w:
    Challenges of Modern Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies