Autor: Sliwiński, S. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Current distribution of Pilularia globulifera L. in Poland - changes of geographical range and habitat preferences
Autorzy:: Szczesniak, E.
Rosadzinski, S.
Spalek, K.
Szymanowski, M.
Kreitschitz, A.
Kruk, J.
Sliwinski, M.
Kaminski, R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/57330.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Polskie Towarzystwo Botaniczne
Źródło:: Acta Societatis Botanicorum Poloniae; 2013, 82, 1
0001-6977
2083-9480
Pojawia się w:: Acta Societatis Botanicorum Poloniae
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:: Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Vv
65.70.+y
Opis:: Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja