Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, Z." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
The microbial response to the organic and natural fertilisers under maize grown for silage in monoculture
Odpowiedź mikrobiologiczna na wprowadzenie nawozów organicznych i naturalnych pod uprawą kukurydzy na kiszonkę w monokulturze
Autorzy:
Niewiadomska, A.
Sulewska, H.
Ratajczak, K.
Wolna-Maruwka, A.
Waraczewska, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/336663.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Przemysłowy Instytut Maszyn Rolniczych
Tematy:
bacteria
fungi
actinobacteria
microbiological indicators
bakterie
grzyby
promieniowce
wskaźniki mikrobiologiczne
Opis:
The aim of the study was to assess the influence of organic and natural fertilisation under maize plantation grown in monoculture on the number of selected groups of microorganisms. The experiment was conducted between 2005 and 2007 in plots of the Experimental and Educational Station in Swadzim, Department of Agronomy, Poznań University of Life Sciences, Poland. Soil taken from maize for silage was the research material. Soil samples for microbiological analyses were collected at a particular phase of maize development: before sowing; at the phase of maize emergence (BBCH 11-13); at the phase of 3-4 maize leaves (BBCH 13-14), at the phase of 6-7 maize leaves (BBCH 16-17), at the phase of panicle florescence (BBCH 63-69), at the phase of wax maturity (BBCH 87-89). The number of selected groups of microorganisms in the soil samples (moulds, total bacterial count, proteolytic and ammonifying bacteria, copiotrophs, oligotrophs and actinobacteria) was measured with the pour plate method developed by Koch. Between 2005 and 2007 natural and organic fertilisation in plots with a maize monoculture grown for silage increased the intensity of proliferation in all the groups of microorganisms under study. The trend and rate of variation in the microorganisms depended on the type of organic matter applied to soil and the term of analyses related with the plants’ stage of development.
Celem pracy była ocena wpływu nawożenia organicznego i naturalnego w uprawie kukurydzy, w monokulturze na liczebność wybranych grup mikroorganizmów. Doświadczenie prowadzono na poletkach Zakładu Doświadczalno-Dydaktycznego w Swadzimiu, należącym do Katedry Agronomii, Uniwersytetu Przyrodniczego w Poznaniu, w latach 2005-2007. Gleba pobrana spod kukurydzy przeznaczonej na kiszonkę była przedmiotem badań. Gleba pobrana spod kukurydzy przeznaczonej na kiszonkę, była przedmiotem badań. Próbki glebowe do analiz mikrobiologicznych pobierane były w określonej fazie rozwojowej kukurydzy: przed siewem; w fazie wschodów kukurydzy (BBCH 11 - 13); w fazie 3 - 4 liści kukurydzy (BBCH 13 - 14), w fazie 6 - 7 liści kukurydzy (BBCH 16 - 17), w fazie kwitnienia wiech (BBCH 63 - 69), w fazie dojrzałości woskowej (BBCH 87 - 89). W pobranych próbach glebowych oznaczano liczebność wybranych grup drobnoustrojów (grzyby pleśniowe, ogólna liczba bakterii, bakterie proteolityczne i amonifikacyjne, kopiotrofy, oligotrofy i promieniowce) metodą płytek lanych według Kocha. W przeprowadzonych badaniach, w latach 2005-2007 nawożenie naturalne i organiczne na stanowiskach z monokulturą kukurydzy uprawianej na kiszonkę przyczyniło się do wzrostu intensywności namnażania wszystkich badanych grup drobnoustrojów. Kierunek i tempo zmian mikroorganizmów zależały od rodzaju materii organicznej trafiającej do gleby oraz terminu analiz związanego z fazą rozwojową rośliny.
Źródło:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering; 2017, 62, 4; 33-40
1642-686X
2719-423X
Pojawia się w:
Journal of Research and Applications in Agricultural Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Channeling Study of Co and Mn Implanted and Thermally Annealed Wide Band-Gap Semiconducting Compounds
Autorzy:
Ratajczak, R.
Werner, Z.
Barlak, M.
Pochrybniak, C.
Stonert, A.
Zhao, Q.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402209.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.43.-j
61.72.-y
81.05.-t
82.80.-d
85.40.-e
Opis:
The defect build-up, structure recovery and lattice location of transition metals in ion bombarded and thermally annealed ZnO and GaN single crystals were studied by channeled Rutherford backscattering spectrometry and channeled particle-induced X-ray emission measurements using 1.57 MeV ⁴He ions. Ion implantation to a fluence of 1.2×10¹⁶ ions/cm² was performed using 120 keV Co and 120 keV Mn ions. Thermal annealing was performed at 800°C in argon flow. Damage distributions were determined using the Monte Carlo McChasy simulation code. The simulations of channeled Rutherford backscattering spectra reveal that the ion implantation leads to formation of two types of defect structures in ZnO and GaN such as point and extended defects, such as dislocations. The concentrations of both types of defects are at a comparable level in both structures and for both implanted ions. Differences between both implantations appear after thermal annealing where the Mn-doped ZnO reveals much better transition metals substitution and recovery effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 845-848
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
Autorzy:
Guziewicz, M.
Slysz, W.
Borysiewicz, M.
Kruszka, R.
Sidor, Z.
Juchniewicz, M.
Golaszewska, K.
Domagala, J.
Rzodkiewicz, W.
Ratajczak, J.
Bar, J.
Wegrzecki, M.
Sobolewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.62.Bf
74.78.-w
81.15.Cd
81.15.Jj
Opis:
We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies