Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ratajczak, J." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Design of inverse kinematics algorithms: extended Jacobian approximation of the dynamically consistent Jacobian inverse
Autorzy:
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/229524.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
redundant manipulator
inverse kinematics
Jacobian
approximation
Opis:
The paper presents the approximation problem of the inverse kinematics algorithms for the redundant manipulators. We introduce the approximation of the dynamically consistent Jacobian by the extended Jacobian. In order to do that, we formulate the approximation problem and suitably defined approximation error. By the minimization of this error over a certain region we can design an extended Jacobian inverse which will be close to the dynamically consistent Jacobian inverse. To solve the approximation problem we use the Cholesky decomposition and the Ritz method. The computational example illustrates the theory.
Źródło:
Archives of Control Sciences; 2015, 25, 1; 35-50
1230-2384
Pojawia się w:
Archives of Control Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spectral distributions of halogen and xenon lamps
Rozkłady widmowe lamp halogenowych i ksenonowych
Autorzy:
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/153451.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
spectral distributions of halogen lamps
spectral distributions of xenon lamps
halogen lamp
xenon lamp
solar simulator
rozkład widmowy lampy halogenowej
rozkład widmowy lampy ksenonowej
lampa halogenowa
lampa ksenonowa
symulator promieniowania słonecznego
Opis:
A device used to produce the artificial sunlight is called a solar simulator. Sources most commonly used in the construction of solar simulators are the following lamps: halogen, metal halide, xenon, and sulfur. Different spectral distributions of halogen and xenon lamps are discussed in this paper. There is also described a measuring station for examination of spectral characteristics of halogen and xenon. The paper discusses spectral aspects of design of two - source solar radiation simulators. The obtained spectral distributions of the halogen and xenon lamps are compared with the theoretical curves (specified in catalogs).
W artykule poruszono tematykę rozkładów widmowych lamp halogenowych i ksenonowych. W pierwszym rozdziale, opisano na podstawie przeglądu literatury co nazywamy symulatorem promieniowania słonecznego, jakie źródła promieniowania są stosowane najczęściej do jego konstrukcji oraz podano przykłady istniejących symulatorów [1, 2, 3, 4, 5, 9, 10]. Krótką charakterystykę lamp halogenowych i ksenonowych wraz z pokazaniem na rysunkach 3 i 4 ich teoretycznych rozkładów widmowych przedstawiono w rozdziale 2. Zwięzły opis badanych lamp oraz stanowiska pomiarowego zawarto w rozdziale 3. W tym samym rozdziale, na rysunkach 7 i 8, przedstawiono wyniki pomiarów – wykresy rozkładów widmowych lamp halogenowych i ksenonowych różnej mocy. We wnioskach końcowych zauważono, że producenci źródeł promieniowania niechętnie zamieszczają w swoich katalogach rozkłady widmowe produkowanych przez siebie lamp a zamieszczane krzywe obejmują tylko najczęściej zakres ultrafioletowy i widzialny. Przeprowadzone badania miały na celu otrzymanie rozkładów widmowych lamp halogenowych i ksenonowych obejmujących promieniowanie UV, VIS i IR. W artykule porównano katalogowe rozkłady widmowe lamp halogenowych i ksenonowych z danymi pomiarowymi.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 10, 10; 1029-1031
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of fabrication procedure on basic characteristics of semiconductor lasers
Autorzy:
Kaniewska, M.
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378415.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
Broad-area contact ridge waveguide technology has been used for manufacturing lasers from AlGaAs/lnGaAs or AlGaAs/GaAs SCH-SQW or GRIN-SCH-SQW diode structures grown by MBE. The stripe-geometry ohmic contacts were made by sputtering Cr/Pt and defined by photolithography and metal lift-off. The ridge was formed during Ar-ion beam etching by removing the p⁺ -GaAs cap and part of the p-AlGaAs confinement layer besides the stripe. The P-I and I-V characteristics and light field intensity distributions were determined, and images from SEM were analysed for evaluation of the manufactured lasers. We report on the anomalies in laser characteristics if a metal layer covered the entire surface as usually in the lasers fabricated by means of this technique. Results presented are discussed in categories of effects influencing the electrical characteristics of the (Cr/Pt) - p-AlGaAs Schottky contact that formed outside the contact stripe. We conclude that defects in the vicinity of the metal - semiconductor interface, introduced during the processing steps, may be responsible for a poor rectifying behaviour of the Schottky contact. Consequently, a lack of the current spreading may be a reason of irregularities in characteristics of the laser studied.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2001-2002, 34, 3; 1-5
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On dynamically consistent Jacobian inverse for non-holonomic robotic systems
Autorzy:
Ratajczak, J.
Tchoń, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/229326.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
non-holonomic system
motion
Jacobian inverse
dynamic consistency
metric
motion planning
Opis:
This paper presents the dynamically consistent Jacobian inverse for non-holonomic robotic system, and its application to solving the motion planning problem. The system’s kinematics are represented by a driftless control system, and defined in terms of its input-output map in accordance with the endogenous configuration space approach. The dynamically consistent Jacobian inverse (DCJI) has been introduced by means of a Riemannian metric in the endogenous configuration space, exploiting the reduced inertia matrix of the system’s dynamics. The consistency condition is formulated as the commutativity property of a diagram of maps. Singular configurations of DCJI are studied, and shown to coincide with the kinematic singularities. A parametric form of DCJI is derived, and used for solving example motion planning problems for the trident snake mobile robot. Some advantages in performance of DCJI in comparison to the Jacobian pseudoinverse are discovered.
Źródło:
Archives of Control Sciences; 2017, 27, 4; 555-573
1230-2384
Pojawia się w:
Archives of Control Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infestation of dendrological collection in central Poland by aphids
Autorzy:
Ratajczak, J.
Wilkaniec, B.
Wilkaniec, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/41133.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Dendrologii PAN
Opis:
The study was aimed at determining the species composition of aphid fauna related to the dendroflora of Kórnik Arboretum as well as determining the infestation level of trees and shrubs. The infestation level was measured on a five-level scale. The material was collected on two sites: in a park and forest. 236 botanic taxa (species and cultivars) were confirmed to be infested by aphids in Kórnik Arboretum; the taxa belonged to 22 families and 46 genera of Angiospermae and 2 families and 6 genera of Gymnospermae. The collected aphid fauna included 96 species of Aphidoidea and Phylloxeroidea superfamilies. The botanic taxa most threatened with damage resulting from the insects feeding, and consequently a loss of decorative value, were defined.
Źródło:
Dendrobiology; 2011, 66
1641-1307
Pojawia się w:
Dendrobiology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Examination of spectral distribution of radiation emitted by halogen and xenon lamps
Autorzy:
Ratajczak, J.
Wiczyński, G.
Domke, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97417.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
spectral distributions of xenon and halogen lamp
spectrometer measurement
combined radiation
Opis:
Most often, solar radiation simulators are built with a certain lamp type - halogen, xenon, metal halogen or, less frequently, sulphur lamps. The knowledge of radiation spectra of these lamps is a prerequisite to correctly design a solar radiation simulator. On many occasions, two lamps used simultaneously provide better adjustment of the simulator's radiation to solar radiation. This is especially beneficial in case of simulators dedicated to selected solar radiation receivers with specific sensitivity range, e.g. photovoltaic panels or solar collectors. The article presents the test bed and results of examination of summary spectral distributions of xenon and halogen lamp. Proper mixing of radiation of these lamps allows better adjustment of the simulator's radiation to the needs of a specific receiver of real solar radiation.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2013, 11; 363-369
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity AlGaAs Grown by Low Temperature MBE
Autorzy:
Radomska, D.
Ratajczak, J.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992076.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
Opis:
Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As layers were grown by molecular beam epitaxy using substrate temperature 200-300°C, tetrameric As and two values of As/Ga+Al flux ratio i.e. 3 or 8. The post-growth annealing was performed in situ at 600°C for 20 min under As-overpressure. The samples were characterised by reflection high-energy electron diffraction, transmission electron microscope and room-temperature I-V measurements of n$\text{}^{+}$/LT grown layer /n$\text{}^{+}$ resistors. The resistivity and trap-filled limited voltage have been determined. The best layers exhibited ρ of the order of 10$\text{}^{9}$ Ω cm, were monocrystalline, uniformly precipitated and without dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 492-496
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Assembling of bearing sleeve on ship propulsion shaft by using EPY resin compound
Autorzy:
Grudziński, K.
Grudziński, P.
Jaroszewicz, W.
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/259011.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Inżynierii Mechanicznej i Okrętownictwa
Tematy:
bearing sleeve
propulsion shaft
assembling
EPY resin compound
Opis:
This paper presents an original novel solution of the problem of assembling a large bearing sleeve (of about 1000 mm in diameter) on ship propulsion shaft by using EPY resin compound. The problem is discussed on the concrete example dealing with a ship under repair. Design project of assembling the sleeve on the shaft by using the resin compound, model research on its casting process as well as assembling technology of the sleeve on the shaft, are presented and a practical way of realization of the project in conditions of a Chinese ship repair yard, is also highlighted. During more than three-year-long operation the solution has standed the test of time without any complaint.
Źródło:
Polish Maritime Research; 2012, 2; 49-55
1233-2585
Pojawia się w:
Polish Maritime Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Secondary Electroluminescence on Cathodoluminescence and Other Luminescence Measurements
Autorzy:
Pluska, M.
Czerwinski, A.
Szerling, A.
Ratajczak, J.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198425.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Hk
85.30.De
61.72.-y
68.37.Hk
Opis:
Cathodoluminescence and photoluminescence measurements are commonly accepted as revealing local properties of a specimen region excited by a beam of electrons or photons. However, in the presence of a strong electric field (e.g. a junction) an electron (or light/laser) beam-induced current is generated, which spreads over the structure. A secondary non-local electroluminescence, generated by this current and detected together with the expected luminescence signal, may strongly distort measurement results. This was confirmed by cathodoluminescence measurements on test structures prepared by focused ion beam on AlGaAs/GaAs/InGaAs laser heterostructures. Methods for minimizing the distortion of measured luminescence signals are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1027-1032
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dependence of Nanoelectronic-Structure Defect Detection by Cathodoluminescence on Electron Beam Current
Autorzy:
Pluska, M.
Czerwinski, A.
Ratajczak, J.
Szerling, A.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807514.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Hk
85.30.De
61.72.-y
Opis:
The dependence of defect detection by cathodoluminescence in a scanning electron microscope on the electron beam current is considered. The examined specimens are AlGaAs/GaAs laser heterostructures with InGaAs quantum well. It is shown that for low electron beam currents, which are typically used, the uniform cathodoluminescence is observed, while for the increasing high electron beam current the oval defects become more and more visible. The influence of electrical properties of the structure on the luminescence detection is explained.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-86-S-88
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication of electrochemical nanoelectrode for sensor application Rusing focused ion beam technology
Autorzy:
Łaszcz, A.
Nogala, W.
Czerwinski, A.
Ratajczak, J.
Kątcki, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/778764.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie. Wydawnictwo Uczelniane ZUT w Szczecinie
Tematy:
FIB nanotechnology
nanosensor
electrochemistry
Opis:
The capabilities and applications of the focused ion beam (FIB) technology for detection of an electrochemical signal in nanoscale area are shown. The FIB system, enabling continuous micro- and nanofabrication within only one equipment unit, was used to produce a prototype of electrochemical nanometer-sized electrode for sensor application. Voltammetric study of electrochemically active compound (ferrocenemethanol) revealed the diffusion limiting current (12 pA), corresponding to a disc (planar) nanoelectrode with about 70 nm diameter of contact area. This size is in a good accordance with the designed contact-area (50 nm × 100 nm for width × thickness) of the FIB-produced nanoelectrode. It confi rms that produced nanoelectrode is working properly in liquid solution and may enable correct measurements in nanometer-sized regions.
Źródło:
Polish Journal of Chemical Technology; 2014, 16, 3; 40-44
1509-8117
1899-4741
Pojawia się w:
Polish Journal of Chemical Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Whisker growth in Tin alloys on glass-epoxy laminate studied by scanning ion microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy
Badanie wzrostu wiskerów w stopach cyny na laminacie szklano-epoksydowym z użyciem skaningowej mikroskopii jonowej i dyspersyjnej spektroskopii rentgenowskiej
Autorzy:
Czerwiński, A.
Skwarek, A.
Płuska, M.
Ratajczak, J.
Witek, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354392.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
tin whiskers
tin-rich lead-free solders
intermetallic compounds (IMCs)
wiskery cynowe
bezołowiowy stop lutowniczy o wysokiej zawartości cyny
związki międzymetaliczne (IMC)
Opis:
Tin-rich solders are widely applied in the electronic industry in the majority of modern printed circuit boards (PCBs). Because the use of lead-tin solders has been banned in the European Union since 2006, the problem of the bridging of adjacent conductors due to tin whisker growth (limited before by the addition of Pb) has been reborn. In this study tin alloys soldered on glass-epoxy laminate (typically used for PCBs) are considered. Scanning ion microscopy with Focused Ion Beam (FIB) system and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDXS) were used to determine correlations between spatial non-uniformities of the glass-epoxy laminate, the distribution of intermetallic compounds and whisker growth.
Bezołowiowe stopy lutownicze o wysokiej zawartości cyny są szeroko stosowane w przemyśle elektronicznym we współczesnych obwodach drukowanych (PCB). Stosowanie ołowiu w tych stopach jest od 2006 roku zakazane w Unii Europejskiej, co odnowiło problem wzrostu wiskerów cynowych poprzednio ograniczonego dodatkiem Pb. Wiskery zagrażają niezawodności układów elektronicznych, m.in. z powodu wprowadzanych zwarć. Praca dotyczy wzrostu wiskerów na powierzchni lutów naniesionych na najczęściej stosowany laminat szklano-epoksydowy. W oparciu o wyniki skaningowej mikroskopii jonowej (wykorzystujacej zogniskowana wiązkę jonów) i spektroskopii dyspersji energii promieniowania rentgenowskiego określono związek pomiędzy przestrzennymi niejednorodnościami laminatu szklano-epoksydowego, rozkładu wytrąceń międzymetalicznych i wzrostu wiskerów.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 413-417
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oval defects in crystals grown by MBE technique: study and methods of elimination abstract
Autorzy:
Szerling, A.
Kosiel, K.
Płuska, M.
Ochalski, T. J.
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378453.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
The paper is devoted to a group of macroscopic defects which may be found in epitaxial A3 B5 materials grown by MBE technique. Morphology, geometry and optical properties of defects were studied by means of several experimental methods. The experimental data have been compared with the information taken from literature concerning sources of the defects and causes of their appearance.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2004, 36, 6; 1-5
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies
Autorzy:
Gibki, J.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łukasik, L.
Jakubowski, A.
Tomaszewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/309219.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
microelectronics
SOI technology
characterization
Opis:
SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements of gated diodes, the following parameters of partially depleted structures were determined: doping concentration in both n- and p-type regions, average carrier generation lifetimes in the region under the gate and generation velocity at top and bottom surfaces of the active layer. Structures with short lifetime were studied using a transmission electron microscope. TEM studies indicate that the quality of the active layer in the investigated structures is good. Moreover, these studies were used to verify the thicknesses determined by means of electrical characterization methods.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 81-83
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Assessment of the Condition of Samołęskie Lake Waters
Autorzy:
Osuch, E.
Osuch, A.
Podsiadłowski, S.
Rybacki, P.
Adamski, M.
Ratajczak, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/125283.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
lake
lake rehabilitation
lake eutrophication
Opis:
Samołęskie Lake is situated in the Poznań Lakeland in Greater Poland Voivodeship, Szamotuły County, Wronki District. The lake adjoins a little village of Samołęż of about 500 residents. The glacial waterbody of over 30ha acreage is a typical tunnel-valley lake having a maximum depth of over 22 meters. It predominantly serves fishing and recreation purposes offering a beach and a sailing center. Near the coastline (not in the direct vicinity) there is a farmland. The objective of the dissertation was to assess the quality of Samołęskie Lake waters that was delivered based on the studies carried out in spring and summer, when the waterbody demonstrates excessive fertility. The studies covered the analysis of the basic physical and chemical parameters of the lake water. The measurement was carried out on a fortnight basis by means of a measurement apparatus such as the photometer and the Secchi disc. The collected results are presented with the use of figures later in this paper, whereas their in-depth analysis allowed to compile and formulate conclusions. The results of studies and analyses lay the foundations to state that the quality of Samołęskie Lake waters requires continuous monitoring and application of remedial and rehabilitation measures.
Źródło:
Journal of Ecological Engineering; 2016, 17, 2; 108-112
2299-8993
Pojawia się w:
Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies