Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Radziewicz, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Correlation between economic growth and public debt level in select countries of the European Union
Zależność między poziomem długu publicznego a wzrostem gospodarczym w wybranych krajach Unii Europejskiej
Autorzy:
Sobczak, W.
Radziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2117076.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Szkoła Główna Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie. Wydawnictwo Szkoły Głównej Gospodarstwa Wiejskiego w Warszawie
Tematy:
public debt
economic growth
transmission
asymmetry
interdependence
wzrost gospodarczy
transmisja
dług publiczny
asymetria
współzależność
Opis:
The complex correlation between public debt and economic growth is very important and is a focus of research within the scientific community and among policy makers. The main purpose of this paper is to identify the correlation between the level of public debt and the level of economic growth in select European Union countries. It is an empirical study of the transmission mechanisms and impact of public debt on economic growth in countries which joined the European Union in 2004 or later. The time range of the analyses covers the years 2000-2019. Estimation of the model parameters shows that the level of public debt had an impact on economic growth only in some countries.
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Oeconomia; 2021, 20, 1; 61-70
1644-0757
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Oeconomia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
Autorzy:
Badura, M.
Bielak, K.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Dawidowski, W.
Żelazna, K.
Kudrawiec, R.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173549.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
InGaAs
AlInAs
superlattice
metalorganic vapour phase epitaxy
MOVPE
quantum cascade laser
QCL
Opis:
Quantum cascade laser is one of the most sophisticated semiconductor devices. The active region of the quantum cascade laser consists of hundreds thin layers, thus the deposition precision is the most crucial. The main technique for the fabrication of quantum cascade laser structure is molecular beam epitaxy, however, the prevalence of metalorganic vapour phase epitaxy techniques in the fabrication of semiconductor structures causes a perpetual work on the improvement production of the entire quantum cascade laser structure by the metalorganic vapour phase epitaxy. The paper presents technological aspects connected with the metalorganic vapour phase epitaxy growth of InGaAs/AlInAs low-dimensional structures for quantum cascade laser active region emitting ~9.6 μm radiation. Epitaxial growth of superlattice made of InGaAs/AlInAs lattice matched to InP was conducted at the AIXTRON 3x2″ FT system. Optical and structural properties of such heterostructures were characterised by means of high resolution X-ray diffraction, photoluminescence, contactless electroreflectance and scanning electron microscope techniques. Epitaxial growth and possible solutions of structure improvements are discussed.
Źródło:
Optica Applicata; 2016, 46, 2; 241-248
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Autorzy:
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolásek, M.
Latkowska, M.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226630.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
dilute nitrides
AP MOVPE
subcell
tandem solar cell
J-V characteristics
Opis:
Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 2; 151-156
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies