Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pasternak, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    A New System for Acoustoelectronic Gas Sensors Analysis
    Autorzy:
    Jasek, K.
    Miluski, W.
    Pasternak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399357.pdf
    Data publikacji:
    2013-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    43.35.Pt
    46.35.+z
    68.35.Ja
    Opis:
    Typical approach to the surface acoustic waves sensors response analysis is based on the use of self-oscillating circuits with surface acoustic wave device working inside positive feedback loop of an amplifier. Such kind of parametric measurement allows to track the center frequency of the sensor changes in particular. The method is widely used mainly due to their relative simplicity. Unfortunately, it has many disadvantages like frequency (phase) instability, sensitivity to unwanted factors, surface acoustic wave substrate mass-load limit etc. A new system to the analysis of surface acoustic wave gas sensors response as well as an exemplary measurement results are described in the paper. The presented system make the first step to the more complex conception realization.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 3; 445-447
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    New Approach to SAW Gas Sensors Array Response Measurement
    Autorzy:
    Jasek, K.
    Miluski, W.
    Pasternak, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1493213.pdf
    Data publikacji:
    2011-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    43.35.Pt
    46.35.+z
    68.35.Ja
    Opis:
    Majority papers concerning surface acoustic wave sensors technology is devoted to the analysis of self-oscillating circuits with surface acoustic wave device and its basic frequency changes in particular. Such circuits are widely used mainly due to their relative simplicity. Unfortunately the price of the simplicity is such drawbacks like frequency instability, sensitivity to unwanted factors, surface acoustic wave surface load limit etc. A new approach to the analysis of surface acoustic wave gas sensors response is proposed in the paper. The approach significantly eliminates the disadvantages of commonly used so far methods of analysis.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 4; 639-641
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Doubly Periodic Sets of Thin Branched Inclusions in the Elastic Medium: Stress Concentration and Effective Properties
    Autorzy:
    Sulym, H.
    Pasternak, I.
    Kutsyk, S.
    Grodzki, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/386923.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Białostocka. Oficyna Wydawnicza Politechniki Białostockiej
    Tematy:
    anizotropia
    dwuokresowość
    zbrojenie
    anisotropic
    doubly periodic
    thin branched inclusion
    reinforcement
    effective modulus
    Opis:
    This paper considers the doubly periodic problem of elasticity for anisotropic solids containing regular sets of thin branched inclusions. A coupling principle for continua of different dimension is utilized for modeling of thin inhomogeneities and the boundary element technique is adopted for numerical solution of the problem. The branches of the inclusion can interact both inside the representative volume element and at the interface of neighbor representative elements. A particular example of the elastic medium reinforced by a doubly periodic set of I-beams is considered. Stress intensity and stress concentration inside and outside thin inclusions are determined. The dependence of the effective mechanical properties of the reinforced composite material on the volume fraction of the filament and its rigidity is obtained.
    Źródło:
    Acta Mechanica et Automatica; 2013, 7, 1; 48-52
    1898-4088
    2300-5319
    Pojawia się w:
    Acta Mechanica et Automatica
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
    Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
    Autorzy:
    Pasternak, I.
    Grodecki, K.
    Piątkowska, A.
    Ciuk, T.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    graphene on copper foils
    PVD copper films
    grain boundaries
    Raman spectroscopy
    grafen na folii miedzianej
    warstwy PVD miedzi
    granice ziaren
    spektroskopia ramanowska
    Opis:
    Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
    Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic Properties of Thin HfO$\text{}_{2}$ Films Fabricated by Atomic Layer Deposition on 4H-SiC
    Autorzy:
    Taube, A.
    Gierałtowska, S.
    Gutt, T.
    Małachowski, T.
    Pasternak, I.
    Wojciechowski, T.
    Rzodkiewicz, W.
    Sawicki, M.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048120.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.55.dj
    77.22.Jp
    73.40.Qv
    81.15.Gh
    Opis:
    Applicability of thin HfO$\text{}_{2}$ films as gate dielectric for SiC MOSFET transistor is reported. Layers characterisation was done by means of atomic force microscopy and scanning electron microscopy, spectroscopic ellipsometry and C-V and I-V measurements of MIS structures. High permittivity dielectric layers were deposited using atomic layer deposition. Investigation showed high value of κ = 15 and existence of high density surface states (5 × 10$\text{}^{12}$ eV$\text{}^{-1}$ cm$\text{}^{-2}$) on HfO$\text{}_{2}$/SiC interface. High leakage current is caused probably due to low conduction band offset between hafnium oxide and silicon carbide.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 696-698
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of Humidity on the Resistance Structures with Graphene Sensor Layer
    Autorzy:
    Pustelny, T.
    Setkiewicz, M.
    Drewniak, S.
    Maciak, E.
    Stolarczyk, A.
    Procek, M.
    Urbańczyk, M.
    Gut, K.
    Opilski, Z.
    Pasternak, I.
    Strupinski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1418032.pdf
    Data publikacji:
    2012-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.07.Df
    42.81.Pa
    82.47.Rs
    Opis:
    In the paper the results of investigations are presented concerning the influence of humidity of air on the resistance of a gas sensor structure with a graphene layer. The affects of nitrogen dioxide and humidity action on graphene were studied. We indicated that humidity might play an important role in determining the gas sensing properties of the graphene layer. In the paper it has been shown that in the case of a nitrogen oxide sensor, the reaction of $NO_2$ with water vapour can generate permanent defects in graphene.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 5; 870-873
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
    Autorzy:
    Słysz, W.
    Guziewicz, M.
    Borysiewicz, M.
    Domagała, J.
    Pasternak, I.
    Hejduk, K.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Węgrzecki, M.
    Grabiec, P.
    Grodecki, R.
    Węgrzecka, I.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The sensibility of resistance sensor structures with graphene to the action of selected gaseous media
    Autorzy:
    Pustelny, T.
    Setkiewicz, M.
    Drewniak, S.
    Maciak, E.
    Stolarczyk, A.
    Urbańczyk, M.
    Procek, M.
    Gut, K.
    Opilski, Z.
    Pasternak, I.
    Strupinski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/200915.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    graphene
    resistance
    sensor
    hydrogen sensor
    nitrogen dioxide sensor
    Opis:
    The paper presents resistance sensor structures with a graphene sensing layer. The structures were tested concerning their sensitivity to the affects of hydrogen, nitrogen dioxide and steam in an atmosphere of a synthetic air. Investigations have proved that resistance structures with a graphene layer are sensitive to the presence of the tested gases. The resistance of the structures amounted to about 10Ω, whereas changes in the resistances affected by the external gaseous medium were contained within the range of a several mΩ. The investigations confirmed that the resistance structures with graphene exposed to the affect of hydrogen in atmosphere of synthetic air change their resistances practically at once (within the order of only a few seconds). This indicates that such structures might be practically applied in sensors of hydrogen ensuring a short time of response.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2013, 61, 2; 293-300
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Morphology and Selected Properties of Core/Shell ZnTe-Based Nanowire Structures Containing ZnO
    Autorzy:
    Gas, K.
    Janik, E.
    Zaleszczyk, W.
    Pasternak, I.
    Dynowska, E.
    Fronc, K.
    Kolkovsky, V.
    Kret, S.
    Morhange, J. F.
    Reszka, A.
    Wiater, M.
    Caliebe, W.
    Karczewski, G.
    Kowalski, B. J.
    Szuszkiewicz, W.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047950.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.37.Hk
    68.37.Lp
    68.65.La
    81.07.Vb
    Opis:
    We report on an approach to fabricate ZnTe-based core/shell radial heterostructures containing ZnO, as well as on some of their physical properties. The molecular beam epitaxy grown ZnTe nanowires constituted the core of the investigated structures and the ZnO shells were obtained by thermal oxidation of ZnTe NWs. The influence of the parameters characterizing the oxidation process on selected properties of core/shell NWs were examined. Scanning electron microscopy revealed changes of the NWs morphology for various conditions of the oxidation process. X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and Raman scattering measurements were applied to reveal the presence of ZnTe single crystal core and polycrystalline ZnO-shell of investigated structure.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 612-614
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies