Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "warstwy amorficzne" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Hole drift mobility for different structures of anthrone and antrachinone layers
    Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu o różnej strukturze
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296406.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polycrystalline films
    quasi amorphous films
    amorphous films
    anthrone
    antrachinone
    hole drift mobility
    carrier transport
    warstwy polikrystaliczne
    warstwy quasi-amorficzne
    warstwy amorficzne
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    Opis:
    Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Tr was determined with time of flight method (TOF). The layers had different structural order due to the temperature of vaporized substrates. The results show almost lack of the mobility dependence due to the structural order. One order of difference in mobility values for antrachinone and anthrone may have origin in the presence of the difference in permanent dipole moment of the molecules.
    Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych, quasi-amorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Do naparowania warstw w próżni 10-5 Tr użyto materiałów o czystości spektralnej. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Przebadano trzy rodzaje warstw, to jest o strukturze polikrystalicznej, quasi-amorficznej i amorficznej. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Dla obu związków uzyskano w temperaturze pokojowej wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu 0.03 eV. Uzyskane wartości przemawiają za transportem hoppingowym. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek może mieć istotny wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2013, 34; 19-25
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers with different structure
    Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu o różnej strukturze
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296510.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polycrystalline films
    quasi amorphous films
    amorphous films
    anthrone
    antrachinone
    hole drift mobility
    carrier transport
    warstwy polikrystaliczne
    warstwy quasi-amorficzne
    warstwy amorficzne
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    Opis:
    The hole drift mobilities were measured with use of time of flight method (TOF) for layers of antrachinone and anthrone with different structural orders. The differences in the values of mobility for anthrone and anthrachinone are explained as an effect of different permanent dipole moment for these molecules.
    Poddano analizie wartość ruchliwości dziur w polikrystalicznych, quasiamorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Materiały wyjściowe były o czystości spektralnej. Oba związki krystalizują w identycznej strukturze C2h 5(P21/a) krystalograficznej układu skośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Próbujemy sformułować hipotezę i wykazać jej słuszność, że za prawie o rząd większą ruchliwość dziur w warstwach antronu odpowiada obecność znacznego momentu dipolowego w cząstkach tego związku.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2014, 35; 17-23
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect ofmolecule dipolemoment on hole conductivity of polycrystalline anthrone and anthrachinone layers
    Wpływ momentu dipolowego na przewodnictwo dziur w warstwach polikrystalicznego antronu i antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kościelniak-Mucha, B.
    Kuliński, J.
    Słoma, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296574.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polycrystalline films
    quasi amorphous films
    amorphous films
    anthrone
    anthrachinone
    hole drift mobility
    carrier transport
    TD-DFT
    warstwy polikrystaliczne
    warstwy quasi-amorficzne
    warstwy amorficzne
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    Opis:
    Complex analyzes were made using methods of molecular quantum mechanics to investigate the effect of the dipole moment of the molecule carrier drift mobility in polycrystalline layers composed of anthrone and anthrachinone molecules. The differences in the measured mobility values seems to be originated in the variations of the geometry of the frontier orbitals rather than the differences inherent in the crystal arrangement of these molecules, which after all, for both are nearly identical.
    Dokonano złożonej analizy, wykorzystując metody kwantowej mechaniki molekularnej dla zbadania wpływu obecności momentu dipolowego molekuły antronu i molekuły antrachinonu na ruchliwość ładunków w warstwach polikrystalicznych zbudowanych z takich molekuł. Źródłem zróżnicowania uzyskiwanych w pomiarze wartości ruchliwości wydaje się być w pierwszym rzędzie różnica geometrii zewnętrznych orbitali molekularnych dla obu badanych molekuł, a nie różnica tkwiąca w uporządkowaniu krystalicznym tychże molekuł, która dla obu jest bardzo podobna, gdyż oba związki krystalizują w identycznej strukturze C2h5(P21/a).
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2015, 36; 13-25
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron drift mobility in amorphous antrachinone layers
    Ruchliwość dryftowa elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296452.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    amorficzne warstwy antrachinonu
    ruchliwość dryftowa elektronów
    transport nośników ładunku
    amorphous antrachinone films
    electron drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the type of the mechanism of the electron transport in the amorphous antrachinone layers. Antrachinone (C14H8O2) is the molecular crystal. The antrachinone molecules are planar, centrosymmetric and posses permanent dipole moment practically equal zero. The antrachinone layerss were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with reduced substrate temperatures. Structural examination of the obtained antrachinone layers was made using X - ray diffraction. In order to attain that one employed an automatic diffractometer DAR. Drift electron mobility for obtained amorphous layers were determined with TOP method. Obtained mobility value, were less then 10-3 cm2 /Vs and activation energy value was on the kT level.
    Badano proces transportu elektronów w amorficznych warstwach antrachinonu. Uzyskane wyniki nie przesądzają jednoznacznie, z jakim rodzajem transportu mamy do czynienia. Niemniej uzyskane wyniki mogą sugerować występowanie również transportu hoppingowego, który wydaje się bardziej prawdopodobny, niż transport w paśmie z udziałem pułapek.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 43-50
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Amorphous Dielectric Thin Films with Extremely Low Mechanical Loss
    Amorficzne cienkie warstwy dielektryczne z bardzo małą wielkością strat mechanicznych
    Autorzy:
    Liu, X.
    Queen, D. R.
    Metcalf, T. H.
    Karel, J. E.
    Hallman, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/353256.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    internal friction
    amorphous silicon
    elastic modulus
    speed of sound
    tunneling systems
    tarcie wewnętrzne
    krzem amorficzny
    moduł sprężystości
    prędkość dźwięku
    Opis:
    The ubiquitous low-energy excitations are one of the universal phenomena of amorphous solids. These excitations dominate the acoustic, dielectric, and thermal properties of structurally disordered solids. One exception has been a type of hydrogenated amorphous silicon (α-Si:H) with 1 at.% H. Using low temperature elastic and thermal measurements of electron-beam evap-orated amorphous silicon (α-Si), we show that TLS can be eliminated in this system as the films become denser and more structurally ordered under certain deposition conditions. Our results demonstrate that TLS are not intrinsic to the glassy state but instead reside in low density regions of the amorphous network. This work obviates the role hydrogen was previously thought to play in removing TLS in α-Si:H and favors an ideal four-fold covalently bonded amorphous structure as the cause for the disappearance of TLS. Our result supports the notion that α-Si can be made a “perfect glass” with “crystal-like” properties, thus offering an encouraging opportunity to use it as a simple crystal dielectric alternative in applications, such as in modern quantum devices where TLS are the source of dissipation, decoherence and 1/f noise.
    Wszechobecne niskoenergetyczne wzbudzenia są jednym z powszechnych zjawisk w amorficznych ciałach stałych. Wzbudzenia te dominują akustyczne, dielektryczne i termiczne właściwości strukturalnie nieuporządkowanych ciał stałych. Wyjątkiem jest rodzaj uwodornionego amorficznego krzemu (α-Si:H) o zawartości 1 at.% H. Na podstawie niskotemperaturowych badań własności sprężystych i termicznych krzemu amorficznego (α-Si) naparowanego wiązką elektronów wykazaliśmy, że w pewnych warunkach osadzania można wyeliminować TLS w tym układzie tak, że warstwy stają się gęstsze i strukturalnie bardziej uporządkowane. Uzyskane przez nas wyniki wskazują, że TLS nie są nieodłączną cechą stanu szklistego, ale lokują się w regionach o niskim zagęszczeniu sieci amorficznej. Praca niniejsza wyjaśnia, że wodór nie pełni roli w usuwaniu TLS w α-Si:H, jak dotąd sądzono, i wskazuje na idealną czterokrotnie kowalencyjnie związaną amorficzną strukturę jako przyczynę znikania TLS. Nasz wynik potwierdza koncepcję, że z α-Si można wytworzyć “doskonałe szkło” o “podobnych do krystalicznych” właściwościach, oferując w ten sposób zachęcającą możliwość wykorzystania go alternatywnie jako prosty krystaliczny dielektryk w takich aplikacjach jak w nowoczesne urządzenia kwantowe, gdzie TLS są źródłem dyssypacji dekoherencji i szumu 1/f.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 1; 359-363
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole drift mobility in antrachinon layers
    Ruchliwość dziur w warstwach antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296559.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polikrystaliczne i quasi-amorficzne warstwy antrachinonu
    ruchliwość dziur
    mechanizm transportu
    polycrystalline and quasi-amorphous antrochinone films
    hole drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    The drift mobility of holes in the antrachinon layers were determined. The layers were evaporated in the vacuum of the order of 10 -5 Torr. Due to the substrate temperature the layers were in the structure polycrystalline or the quasi-amorphous. There were no obtained the effect of the layers structure on the magnitude of the mobility of the carriers and on the transport mechanism.
    Badano ruchliwość dziur w polikrystalicznych i quasi-amorficznych warstwach antrachinonu. Określono typową dla acenów o takim stanie nieuporządkowania wartość ruchliwości. Na podstawie uzyskanych rezultatów nie można jednoznacznie określić z jakim mechanizmem transportu mamy do czynienia. Nie stwierdzono na tym poziomie nieuporządkowania wpływu struktury na mechanizm transportu, choć można się było tego spodziewać
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 27-32
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electron drift mobility in anthrone layers
    Dryftowa ruchliwość elektronów w warstwach antronu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296418.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    quasi-amorficzne warstwy antronu
    polikrystaliczne warstwy antronu
    ruchliwość dryftowa elektronów
    transport nośników ładunku
    quasi-amorphous anthrone films
    polycrystalline anthrone films
    electron drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    There were investigated the magnitude of the mobility and the Type of the mechanism of the electron transport in the anthrone layers with a different grade of the structural order, namely in polycrystalline and quasi-amorphous layers. The anthron samples were obtained by evaporation in vacuum under the pressure of the order of 10-5 Torr on glass plates with different substrate temperatures and with different evaporation rates. Structural examination of the obtained anthrone layers was made using X-ray diffraction. Drift electron mobility for obtained polycrystalline and quasi amorphous layers were determined with TOP method. Obtained results show the almost lack of the mobility dependence due to the magnitude of the disorder, although the other results should be expected. Both obtained mobility values, were less then 10-2 cm2/Vs and activation energy value on the kT level but simultaneously estimated density of hopping states was relatively big. In this case it does not permit us to indicate the dominant transport mechanism.
    Badano proces transportu elektronów w warstwach antronu o różnym stopniu uporządkowania, to jest w warstwach polikrystalicznych i quasi-amorficznych. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano, że prawie nie występuje zależność ruchliwości od stopnia uporządkowania. Dla obu struktur uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs, z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Mimo iż wielkości te przemawiają za transportem hoppingowym, to wydaje się, że otrzymane wartości gęstości stanów są na tyle duże, że należy się zastanowić, czy faktycznie mamy do czynienia z transportem przeskokowym w wąskim paśmie w pobliżu poziomu Fermiego. Poza tym nie obserwujemy wpływu struktury krystalicznej warstw na wielkość ruchliwości, chyba, że dla polikrystalicznych warstw gęstość stanów jest na tyle duża, że nie należy spodziewać się jej wzrostu. Powyższe skłania nas do stwierdzenia, że nie można jednoznacznie określić, z jakim rodzajem transportu dla elektronów mamy tu do czynienia.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2011, 32; 13-22
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies