Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Warchoł, S." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-8 z 8
Tytuł:
Effect of Manganese Concentration on Thermoluminescent Properties of $YAlO_{3}:Mn$ Crystals
Autorzy:
Zhydachevskii, Ya.
Suchocki, A.
Berkowski, M.
Warchol, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1550510.pdf
Data publikacji:
2010-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.60.Kn
61.80.Ed
61.72.Ji
Opis:
This work is devoted to experimental study of the effect of manganese concentration on thermoluminescent properties of $YAlO_{3}:Mn$ crystals grown by the Czochralski method. A new type of emitting centers beside of $Mn^{4+}$ and $Mn^{2+}$ ions was revealed at low concentration of manganese ions in the crystal. These centers are responsible for the high-temperature thermoluminescent peak at 570 K. A potential of this thermoluminescent peak for thermoluminescence dosimetry application is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 1; 177-180
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Damage Production in As Implanted GaAs$\text{}_{1-x}$P$\text{}_{x}$
Autorzy:
Krynicki, J.
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Groetzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932091.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
Opis:
Post-implantation damage in GaAs$\text{}_{1-x}$P$\text{}_{x}$ compounds (x = 0, 0.15, 0.39, 0.65, and 1) implanted with 150 keV As ions in the dose range 1 × 10$\text{}^{13}$ -8 × 10$\text{}^{13}$ cm$\text{}^{-2}$ at 120 K was investigated. The depth distribution of damage and the degree of amorphization were measured by Rutherford backscattering 1.7 MeV He$\text{}^{+}$ channeling technique. The critical damage dose and the critical energy density necessary for amorphization were determined. It is shown that GaAsP is easier to amorphize (lower critical damage dose) than the binary crystals (GaAs, GaP) at low temperatures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 249-252
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Post-implantation defects instability under 1 MeV electron irradiation in GaAs
Autorzy:
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grötzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146724.pdf
Data publikacji:
2000
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
electron annealing
GaAs
implantation
Opis:
The influence of 1 MeV electron irradiation on the stability of post-implantation defects in GaAs has been investigated. The n-type GaAs wafers of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions below the amorphization threshold at RT using the implantation dose of 2×1013 ions cm–2 at a constant flux of 0.1 žA cm–2. Then the implanted samples were irradiated with a scanned beam of 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator in a dose range (0.5–5.0)×1017 cm–2 at 320 K. RBS and channeling spectroscopy of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after 1 MeV irradiations. New results of an "oscillatory" behaviour of the damage level as a function of 1 MeV electron fluence are presented.
Źródło:
Nukleonika; 2000, 45, 4; 225-228
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Angular dependence of post-implantation damage recovery under 1 MeV electron irradiation in GaAs
Autorzy:
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grotzschel, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/147146.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
electron annealing
GaAs
implantation
Opis:
The angular dependence of post-implantation defects removal in GaAs irradiated with 1 MeV electrons from a Van de Graaff accelerator has been investigated. The possible way of enhancing defect annealing consists in ionization created by electron irradiation. In this paper new results of a damage level behaviour dependent on 1 MeV electron beam angle irradiation are presented. GaAs single crystals of <100> orientation were implanted with 150 keV As+ ions at RT and then irradiated with a scanning beam of 1 MeV electrons at some selected angles. Rutheford Backscattering Spectroscopy (RBS) of 1.7 MeV 4He+ ions were used to determine the depth distribution of defect concentration before and after electron irradiation. The results relate clearly the ionization intensity created by the electron beam with angle of incidence with respect to the GaAs <100> orientation.
Źródło:
Nukleonika; 2002, 47, 1; 19-21
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Annealing and Irradiation on the Optical Properties of Oxide Crystals
Autorzy:
Kaczmarek, S. M.
Berkowski, M.
Moroz, Z.
Warchoł, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011084.pdf
Data publikacji:
1999-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.80.Ed
Opis:
We described results of the effect of annealing and irradiation treatments on the optical properties of Y$\text{}_{3}$Al$\text{}_{5}$O$\text{}_{12}$, YAlO$\text{}_{3}$, SrLaGa$\text{}_{3}$O$\text{}_{7}$, LiNbO$\text{}_{3}$, Gd$\text{}_{3}$Ga$\text{}_{5}$O$\text{}_{12}$, LaGaO$\text{}_{3}$, ZnSe, and LiF single crystals. Changes in absorption and luminescence are presented. Recharging processes of uncontrolled impurities (e.g. Fe$\text{}^{3+}$, Fe$\text{}^{2+}$, and Mn$\text{}^{2+}$), and active ions (e.g. Nd$\text{}^{3+}$, Dy$\text{}^{3+}$, Cr$\text{}^{4+}$, Cr$\text{}^{3+}$, and Ce$\text{}^{3+}$), as well as types of color centers produced in the crystals after a particular irradiation or annealing treatment are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 3-4; 417-427
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Trace fossils from Silurian and Devonian turbidites of the Chauvay area, southern Tien Shan, Kyrgyzstan
Autorzy:
Warchoł, M.
Leszczyński, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/191868.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Geologiczne
Tematy:
Tien Shan
Kyrgyzstan
Silurian-Devonian
turbidites
trace fossils
Opis:
The siliciclastic turbidite successions (Pul’gon and Dzhidala Formations) that crop out in the eastern part of the Chauvay River valley, are marked on geological maps as a belt of terrigenous deposits of Silurian-Devonian age. They resemble deposits of overbank areas and depositional lobes of deep sea fans, and display common trace fossils particularly on lower surfaces of sandstone beds. Sixteen ichnotaxa representing four morphological groups have been distinguished. The trace fossil assemblages suggest their affiliation to the Nereites ichnofacies. Various branched, preturbidite forms predominate in both examined units, although the assemblages of individual units differ slightly in composition. In the Pulg’on Formation, small, densely distributed burrows commonly occur on lower surfaces of sandstone beds. Shallow burrowing depth together with relatively low diversity trace fossil assemblages indicate lowered oxygenation of the sea floor.
Źródło:
Annales Societatis Geologorum Poloniae; 2009, 79, No 1; 1-11
0208-9068
Pojawia się w:
Annales Societatis Geologorum Poloniae
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Trace fossils from Silurian and Devonian turbidites of the Chauvay area, southern Tien Shan, Kyrgyzstan
Autorzy:
Warchoł, M.
Leszczyński, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/191469.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Geologiczne
Tematy:
Tien Shan
Kyrgyzstan
Silurian-Devonian
turbidites
trace fossils
Opis:
The siliciclastic turbidite successions (Pul’gon and Dzhidala Formations) that crop out in the eastern part of the Chauvay River valley, are marked on geological maps as a belt of terrigenous deposits of Silurian–Devonian age. They resemble deposits of overbank areas and depositional lobes of deep sea fans, and display common trace fossils particularly on lower surfaces of sandstone beds. Sixteen ichnotaxa representing four morphological groups have been distinguished. The trace fossil assemblages suggest their affiliation to the Nereites ichnofacies. Various branched, preturbidite forms predominate in both examined units, although the assemblages of individual units differ slightly in composition. In the Pulg’on Formation, small, densely distributed burrows commonly occur on lower surfaces of sandstone beds. Shallow burrowing depth together with relatively low diversity trace fossil assemblages indicate lowered oxygenation of the sea floor.
Źródło:
Annales Societatis Geologorum Poloniae; 2009, 79, No 2; 1-11
0208-9068
Pojawia się w:
Annales Societatis Geologorum Poloniae
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Education: Its Ethical Dimension and Metaphorical Visualisation in John Henry Newman’s The Idea of a University (1852)
Autorzy:
Warchoł, Adam
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1795842.pdf
Data publikacji:
2019-11-05
Wydawca:
Katolicki Uniwersytet Lubelski Jana Pawła II. Towarzystwo Naukowe KUL
Tematy:
John Henry Newman; edukacja uniwersytecka; etyka; teoria metafory pojęciowej; sieci metafor implikacyjnych
John Henry Newman; university education; ethics; the theory of conceptual metaphor; networks of implicational metaphors
Opis:
Edukacja — jej wymiar etyczny i metaforyczna wizualizacja na podstawie książki Johna Henry’ego Newmana The Idea of a University (1852) Niemal dwa wieki temu w swojej książce The Idea of University Kardynał John Henry Newman (1801–1890) wykreował wizję edukacji uniwersyteckiej, którą ujął w świetle wiary i etyki katolickiej. Celem niniejszego artykułu jest zaprezentowanie poglądów Newmana na temat uniwersytetu za pomocą teorii metafory pojęciowej, zaproponowanej początkowo przez Lakoffa i Johnsona w książce Metaphors We Live By (1980 [2003], por. także Lakoff i Johnson 1999; Lakoff 1987, 1993; Kövecses 2015, m. in.). Artykuł stara się wyłonić główne sieci (ang. networks) metafor implikacyjnych, które — jak wierzymy — obrazują ideę uniwersytetu według Newmana. W artykule skonstruowano trzy główne sieci metafor pojęciowych, które leżą u podstaw zrozumienia wizji uniwersytetu według Newmana: życie jest budowlą; życie jest żywym organizmem; życie jest podróżą. Artykuł skupia się na analizie tylko pierwszej sieci (network). W omawianej metaforze życie jest budowlą, uniwersytet jest postrzegany przez Newmana jako miejsce, pole, schronisko lub jako system zintegrowany, np. naród lub kombinacja kolorów. Wiedza jest zobrazowana językiem Newmana jako m.in. roślina, nagroda, dobro, wolność, moc, skarb, sztuka i piękno.
Almost two centuries ago, in his book The Idea of a University, Cardinal John Henry Newman (1801–1890) formulated his vision of university education, given in the light of faith and catholic ethics. This paper attempts to frame Newman’s view of a university using the theory of conceptual metaphor as initially proposed by Lakoff and Johnson in their book Metaphors We Live By (cf. also Lakoff & Johnson 1999; Lakoff 1987, 1993; and Kövecses 2015; among others). In particular, the paper seeks to establish the main networks of implicational metaphors which, we believe, structure Newman’s idea of a university. Principally, there are three main networks of conceptual metaphors underlying our understanding of Newman’s vision of a university: life is a building; life is a living organism; and life is a journey. The paper deals only with the first network in greater detail. In the main metaphor life is a building, other metaphors referring to university are evoked, for example university is a place, field, shelter, an integrated system, a nation and a combination of colours; knowledge is a plant, a reward, good, freedom, power, treasure, art and beauty.
Źródło:
Roczniki Humanistyczne; 2019, 67, 11; 61-73
0035-7707
Pojawia się w:
Roczniki Humanistyczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-8 z 8

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies