Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pakuła, M." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 34
Tytuł:
The wide band ultrasonic spectroscopy in studying bones and porous implants
Autorzy:
Kubik, J.
Kaczmarek, M.
Pakuła, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/280297.pdf
Data publikacji:
1999
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
saturated porous bones
implants
ultrasonic waves
phase velocity
attenuation
Opis:
In the paper the method of wide band ultrasonic spectroscopy is applied to determination of the wave velocity and attenuation in a trabecular bovine bone and materials of bone implants. The theory of wave propagation in two-phase fluid saturated porous dissipative media, given by Biot (1956), is used in analysis of wave parameters in bone, instead of the usually applied theory of single-phase media. The analysis of attenuation coefficients and phase velocities of dilatational waves propagating in bovine bones and implants within the frequency range from 0.2 to 1.2 MHz has indicated remarkable influence of the internal structure of the materials on waves parameters. Potential directions of further exploatations of the results are considered.
W pracy przedstawiono zastosowanie metody szerokopasmwej spektroskopii ultradźwiękowej do określenia prędkości i tłumienia fal w wołowej kości gąbczastej i ceramicznych materiałach biozastępczych. Do analizy parametrów propagacji fal, wykorzystano model Biota (1956) dwufazowego ośrodka porowatego nasyconego płynem z uwzględnieniem efektów dysypatywnych w odróżnieniu od zwykle stosowanych dla takich materiałów modeli ośrodków jednofazowych. Otrzymane wyniki dla współczynników tłumienia i prędkości fazowych fal podłużnych w badanych kościach i implantach, w zakresie częstotliwości od 0.2 do 1.2 MHz, wskazują na znaczący wpływ struktury wewnętrznej materiałów na parametry propagacji fal. Rozważono możliwość wykorzystania otrzymanych wyników do oceny mikrostruktury porowatego materiału.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 1999, 3; 579-591
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Clinical evaluation of albendazole in the therapy of human trichinellosis
Ocena kliniczna albendazolu w leczeniu włośnicy człowieka
Autorzy:
Kocięcka, W.
Stefaniak, J.
Kacprzak, E.
Pakuła, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2152494.pdf
Data publikacji:
1989
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Parazytologiczne
Opis:
Albendazol (Smith Kline, French) zastosowano u 25 chorych na włośnicę. Lek podawano w tabletkach à 200 mg 2 razy po 2 tabletki (800 mg w ciągu doby) przez 6 dni. U 15 chorych (grupa A) z lekkim, poronnym lub bezobjawowym przebiegiem włośnicy stosowano wyłącznie albendazol, natomiast u 10 chorych (grupa B) przeważnie ze średnio ciężkim przebiegiem włośnicy albendazol stosowano łącznie z prednisolonem (w ogólnej dawce od 105 do 240 mg na kurację). U 2 chorych zastosowanie albendazolu w 6 i 7 dniu od zarażenia zapobiegło wystąpieniu objawów chorobowych. U wszystkich chorych (z wyjątkiem 2 osób z grupy A) stwierdzono ustępowanie objawów chorobowych w podobnym czasie, tj. między 3-9 dniem od rozpoczęcia leczenia. Obserwowano wzrost liczby leukocytów i granulocytów kwasochłonnych we krwi obwodowej u 19 chorych w trakcie leczenia albendazolem i u 22 chorych po zakończeniu kuracji. Objawów niepożądanych w przebiegu leczenia nie zanotowano. Skuteczność albendazolu wykazano ogółem u 92% chorych z różnym przebiegiem klinicznym włośnicy. Wstępne badania kliniczne wskazują, że albendazol (Smith Kline, French) jest wartościowym anthelmintykiem i może być zalecany w leczeniu włośnicy.
Źródło:
Wiadomości Parazytologiczne; 1989, 35, 5 Spec.Number; 457-466
0043-5163
Pojawia się w:
Wiadomości Parazytologiczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Two-Electron Transition in Homoepitaxial GaN Layers
Autorzy:
Fiorek, A.
Baranowski, J. M.
Wysmołek, A.
Pakuła, K.
Wojdak, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968067.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.55.Cr
Opis:
It is shown that the luminescence mapping is a powerful method to help identify optical transitions. Two-electron transition was identified in the homoepitaxial GaN layer by this technique. It was found that the donor and acceptor bound exciton emissions are spatially displaced and show intensity maxima at different places of the epitaxial layer. It was also found that the 3.45 eV line, suspected as "two-electron transition", follows exactly the donor bound exciton spatial distribution. Donor bound exciton recombines leaving the neutral donor in the excited 2s state. Thus, 1s-2s excitation being equal to 22 meV corresponds to 29 meV hydrogenic donor binding energy. This is the first identification of the two-electron transition in GaN.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 742-744
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigations on Wear Mechanisms of PVD Coatings on Carbides and Sialons
Autorzy:
Staszuk, M.
Pakuła, D.
Pancielejko, M.
Tański, T.
Dobrzański, L. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/350842.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
PVD coatings
Sialon Tool Ceramics
carbides
Opis:
The paper presents the results on the wear resistance of PVD coatings on cutting inserts made from sintered carbide and sialon ceramics. The exploitative properties of coatings in technological cutting trials were defined in the paper, which also examined the adhesion of coatings to the substrate, the thickness of the coating, and the microhardness. As a result, it was found that isomorphic coating with AlN-h phase of covalent interatomic bonds exhibits much better adhesion to the sialon substrate than isomorphic coating with titanium nitride TiN. These coatings assure the high wear resistance of the coated tools, and the high adhesion combined with the high microhardness and fine-grained structure assure an increase in the exploitative life of the coated tools. In the case of coatings on substrate made from sintered carbide, there was a significant influence on the properties of the tools coated with them as concerns the existence of the diffusion zone between the substrate and the coating.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 4; 2095-2100
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical and ESR Studies of GaN Layers Grown by Metal Organic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:
Suchanek, B.
Palczewska, M.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Kamińska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968425.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.61.Ey
Opis:
Electrical transport and ESR studies were performed on the state-of-theart GaN layers grown on sapphire substrate using metal organic chemical vapour deposition technique. For undoped samples electron concentration below 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-1}$ and mobility up to 500 cm$\text{}^{2}$/(V s) were achieved whereas hole concentration up to 7×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility about 16 cm$\text{}^{2}$/(V s) were obtained for intentionally Mg doped samples and subsequently annealed. Temperature dependence of mobility was discussed. ESR revealed the presence of two resonance absorption lines. One of them with g$\text{}_{⊥}$=1.9487 and g$\text{}_{∥}$=1.9515, commonly observed in n-type GaN was due to shallow donor. The second ESR line was an isotropic one of g=2.0032 and it is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1001-1004
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multiband GaN/AlGaN UV Photodetector
Autorzy:
Korona, K. P.
Drabińska, A.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046918.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
73.61.Ey
73.40.Kp
Opis:
We present optical and electrical measurements made on GaN/AlGaN photodetector structure capable to detect three UV ranges, tuned by external voltage. The highest band at energy of about 3.85 eV is nearly independent of bias applied to the Schottky contact. Photosensitivity of the second band at about 3.65 eV changes strongly with the bias. Signal in this range increases about 20 times when the bias changes from 0 V to -4 V. Photosensitivity of the third band (3.4 eV) appears for strong reverse bias (-3 V). Characteristics of the detector are in qualitative agreement with numerical model, however deep centers present in the AlGaN layers cause quantitative discrepancies. The concentration of defects of the order of 10$\text{}^{16}$ cm$\text{}^{-3}$ was estimated from current transients.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 211-217
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Single GaN/AlGaN Quantum Dot Spectroscopy
Autorzy:
Surowiecka, K.
Wysmołek, A.
Stępniewski, R.
Bożek, R.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047382.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
Microphotoluminescence of low-density GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy using in situ etching of AlGaN is presented. The detailed analysis of the emission from these structures enables the observation of pairs of lines separated by the energy up to 3 meV. They behave in a different way under different excitation power that suggests that this doublet structure can be associated with the exciton and trion (or biexciton recombination). It is observed that for different quantum dots the energy of the charged exciton complex emission could be higher or lower than the neutral exciton one. It is discussed in terms of a competition between attractive e-h and repulsive e-e (h-h) Coulomb interaction that occurs because of the existence of the built-in electric field that separates electrons and holes in the dot.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 233-236
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Expansion of GaN Bulk Crystals and Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Teisseyre, H.
Suski, T.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Jun, J.
Pałosz, B.
Porowski, S.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Barski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952040.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ji
61.72.Vv
Opis:
Thermal expansion of gallium nitride was measured using high resolution X-ray diffraction. The following samples were examined: (i) single monocrystals grown at pressure of about 15 kbar, (ii) homoepitaxial layers. The main factor influencing both, the lattice parameters and the thermal expansion coefficient, are free electrons related to the nitrogen vacancies. The origin of an increase in the lattice constants by free electrons is discussed in terms of the deformation potential of the conduction-band minimum. An increase of the thermal expansion by free electrons is explained by a decrease of elastic constants.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
s,p-d Exchange Constants of CdFeSe Semimagnetic Semiconductor
Autorzy:
Arciszewska, M.
Pakuła, K.
Perez, I.
Twardowski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1886791.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.25.Tn
71.70.Gm
71.35.+z
Opis:
We report determination of s, p-d exchange constants for hexagonal CdFeSe combining exciton splitting and magnetization measurements performed on the same samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 345-348
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
Autorzy:
Porowski, S.
Boćkowski, M.
Łucznik, B.
Grzegory, I.
Wróblewski, M.
Teisseyre, H.
Leszczyński, M.
Litwin-Staszewska, E.
Suski, T.
Trautman, P.
Pakuła, K.
Baranowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Electrical Properties of High Temperature Annealed Heteroepitaxial GaN:Mg Layers
Autorzy:
Wojdak, M.
Baranowski, J. M.
Suchanek, B.
Pakuła, K.
Jun, J.
Suski, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968449.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
73.61.Ey
78.55.Cr
Opis:
In this paper we present for the first time luminescence and electrical measurements of GaN:Mg heteroepitaxial layers annealed at very high temperatures up to 1500°C and at high pressures of nitrogen up to 16 kbar. The presence of high nitrogen pressure prevents GaN from thermal decomposition. It was found that annealing in the presence of additional Mg atmosphere leads to a high quality p-type epitaxial layer of the hole concentration equal to 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$ and mobility 16 cm$\text{}^{2}$/(V s). However, annealing at high temperatures without additional magnesium causes conversion to n-type. It is also shown that in the high temperature annealed GaN:Mg epilayers the donor-acceptor luminescence is the dominant recombination channel.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1059-1062
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Finite Element Prediction for the Internal Stresses of (Ti,Al)N Coatings
Autorzy:
Żukowska, L. W.
Śliwa, A.
Mikuła, J.
Bonek, M.
Kwaśny, W.
Sroka, M.
Pakuła, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/354118.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
analysing and modelling
PVD coatings
gradient coatings
internal stresses
Opis:
The general topic of this paper is the computer simulation with use of finite element method (FEM) for determining the internal stresses of selected gradient and single-layer PVD coatings deposited on the sintered tool materials, including cemented carbides, cermets and Al2O3+TiC type oxide tool ceramics by cathodic arc evaporation CAE-PVD method. Developing an appropriate model allows the prediction of properties of PVD coatings, which are also the criterion of their selection for specific items, based on the parameters of technological processes. In addition, developed model can to a large extent eliminate the need for expensive and time-consuming experimental studies for the computer simulation. Developed models of internal stresses were performed with use of finite element method in ANSYS environment. The experimental values of stresses were calculated using the X-ray sin2ψ technique. The computer simulation results were compared with the experimental results. Microhardness and adhesion as well as wear range were measured to investigate the influence of stress distribution on the mechanical and functional properties of coatings. It was stated that occurrence of compressive stresses on the surface of gradient coating has advantageous influence on their mechanical properties, especially on microhardness. Absolute value reduction of internal stresses in the connection zone in case of the gradient coatings takes profitably effects on improvement the adhesion of coatings. It can be one of the most important reasons of increase the wear resistance of gradient coatings in comparison to single-layer coatings.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2016, 61, 1; 149-152
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep Level Transient Spectroscopic Studies of MOCVD GaN Layers Grown on Sapphire
Autorzy:
Śliwiński, A. A.
Korona, K. P.
Pakuła, K.
Baranowski, J. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952204.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
73.61.Ey
Opis:
The deep level transient spectroscopy of GaN heteroepitaxial layers grown on sapphire was studied. The samples were Mg doped during the growth. The as-grown material is n-type. It becomes p-type after annealing. The samples were measured in the temperature range from 77 K to 420 K. In n-type GaN, one peak (EG1) with activation energy 0.75 eV was detected. In p-type, at least three peaks were observed: AS1 at temperature about 300 K and AS2, AS3 at about 400 K. The dominating one is AS3. It has an activation energy about 1.1 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 955-958
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Profile distribution of lead fraction in arable soils with various properties
Profilowe rozmieszczenie frakcji ołowiu w glebach uprawnych o zróżnicowanych właściwościach
Autorzy:
Pakula, K.
Kalembasa, D.
Becher, M.
Malinowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/47375.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Bydgoska im. Jana i Jędrzeja Śniadeckich. Wydawnictwo PB
Opis:
The content and profile distribution of lead in exchangeable (F1), reducible (F2), oxidizable (F3) and residual (F4) fractions, separated according the BCR sequential procedure in cultivated Stagnic Luvisols of Siedlce Upland was examined. Natural total content of lead was found in the soils, and its profile distribution resulted mostly from the abundance of parent material and advancement of the soil formation of lessivage process. Mean percentage of lead in green fractions with the BCR method presents the following series of decreasing values: F4 > F2 > F3 > F1. The most lead in fractions F1 and F3 was recorded in surface horizons (Ap, EB); F2 – in the enrichment horizon (Bt); F4 – in the parent material horizon (C, Ck). Significant effect of soil properties (pH, Corg, clay fraction, KPW, Pbt) was indicated on the lead content in separated fractions. Accumulation of lead in humus horizons, including its percentage in readily soluble bioavailable fraction F1, is a result of a small but long lasting anthropopressure, which does not limit agricultural use of the studied soils to production of high quality agricultural products.
Badano zawartość i profilowe rozmieszczenie ołowiu we frakcji wymiennej (F1), redukcyjnej (F2), utlenialnej (F3) i rezydualnej (F4), wydzielonych według sekwencyjnej procedury BCR, w uprawnych glebach płowych opadowo-glejowych Wysoczyzny Siedleckiej. W glebach stwierdzono naturalną zawartość ogólną ołowiu, a jego profilowe rozmieszczenie wynikało głównie z zasobności skały macierzystej i zaawansowania glebotwórczego procesu płowienia. Średni procentowy udział ołowiu we frakcjach wydzielonych metodą BCR przedstawia następujący szereg malejących wartości: F4 > F2 > F3 > F1. Najwięcej ołowiu we frakcji F1 i F3 zanotowano w poziomach powierzchniowych (Ap, EB); F2 – w poziomie wzbogacenia (Bt); F4 – w poziomie skały macierzystej (C, Ck). Wykazano istotny wpływ właściwości gleby (pH, Corg, frakcja iłowa, KPW, Pbt) na zawartość ołowiu w wydzielonych frakcjach. Akumulacja ołowiu w poziomach próchnicznych, w tym jego udział w łatwo rozpuszczalnej frakcji bioprzyswajalnej F1, to efekt niewielkiej, ale długotrwałej antropopresji, która nie ogranicza rolniczego użytkowania badanych gleb do produkcji wysokiej jakości płodów rolnych.
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Agricultura; 2013, 12, 4
1644-0625
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Agricultura
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
Autorzy:
Wysmołek, A.
Łomiak, P.
Baranowski, J. M.
Pakuła, K.
Stępniewski, R.
Korona, K. P.
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
63.20.Mt
71.55.Eq
Opis:
The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 34

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies