Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "ISFET" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Influence of Multiple Cleaning on the Detection Capabilities of ISFET Structures
Autorzy:
Kondracka, Kinga
Firek, Piotr
Grodzik, Marta
Szmidt, Maciej
Sawosz-Chwalibóg, Ewa
Szmidt, Jan
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1844597.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
ISFET
sensor
I-V characteristics
cells
cleaning
Opis:
The Internet of Vehicles (IoVs) has become a vital research area in order to enhance passenger and road safety, increasing traffic efficiency and enhanced reliable connectivity. In this regard, for monitoring and controlling the communication between IoVs, routing protocols are deployed. Frequent changes that occur in the topology often leads to major challenges in IoVs, such as dynamic topology changes, shortest routing paths and also scalability. One of the best solutions for such challenges is “clustering”. This study focuses on IoVs’ stability and to create an efficient routing protocol in dynamic environment. In this context, we proposed a novel algorithm called Cluster-based enhanced AODV for IoVs (AODV-CD) to achieve stable and efficient clustering for simplifying routing and ensuring quality of service (QoS). Our proposed protocol enhances the overall network throughput and delivery ratio, with less routing load and less delay compared to AODV. Thus, extensive simulations are carried out in SUMO and NS2 for evaluating the efficiency of the AODV-CD that is superior to the classic AODV and other recent modified AODV algorithms.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2021, 67, 1; 23-28
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical characterization of ISFETs
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Yang, C. M.
Jaroszewicz, B.
Zaborowski, M.
Grabiec, P.
Pijanowska, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308663.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
ISFET
CMOS
electrical measurements
I-V characteristics
characterization
parameters extraction
Opis:
Methodology of electrical characterization of ISFETs has been described. It is based on a three-stage approach. First, electrical measurements of ISFET-like MOSFETs and extraction of basic parameters of the MOSFET compact model are performed. Next, mapping of the ISFET channel conductances and a number of other characteristic parameters is carried out using a semi-automatic testing setup. Finally, ISFET sensitivity to solution pH is evaluated. The methodology is applied to characterize ISFETs fabricated in the Institute of Electron Technology (IET).
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 55-60
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies