Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Badura, K." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Origin of parautochthonous Polish moldavites : a palaeogeographical and petrographical study
    Autorzy:
    Szopa, K.
    Badura, J.
    Brachaniec, T.
    Chew, D.
    Karwowski, Ł.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/191842.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polskie Towarzystwo Geologiczne
    Tematy:
    Polish tektites
    redeposition
    river terrace
    Miocene
    Pleistocene
    drainage basin
    Opis:
    In this article, the most recent moldavite discoveries in Poland and their host sediments are characterised and discussed. They were discovered at Lasów, located about 8 km north of Zgorzelec (Poland) and Görlitz (Germany), about 700 m from the Polish-German border, close to the Lusatian Neisse (Nysa) River. The tektites were collected from Vistulian (Wiechselian) glacial age sand and gravel of a closed quarry pit, associated with the river terraces. In the Lasów area, the moldavite-bearing sediments are Pleistocene in age and represent Lusatian Neisse terrace deposits. They were redeposited from the upper part of the drainage basin of the Lusatian Neisse, probably washed out from the Miocene sediments that filled the Zittau Depression, the Berzdorf–Radomierzyce Depression, the Višňová Depression and the tectonically uplifted Izera Mts. and Działoszyn Depression. The erosion of Miocene deposit occured on a large scale in the uplifted foothills of the Upper Miocene Izera, Lusatia and Kaczawa complexes. The sediment cover was removed from the Działoszyn Depression. The drainage basin of the Lusatian Neisse is the area where moldavites were formed by the Nördlinger Ries impact. The source area of moldavite is the same for the Miocene deposits around Gozdnica, as well as for the Pleistocene sediments at Lasów.
    Źródło:
    Annales Societatis Geologorum Poloniae; 2017, 87, 1; 1-12
    0208-9068
    Pojawia się w:
    Annales Societatis Geologorum Poloniae
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
    Autorzy:
    Badura, M.
    Bielak, K.
    Ściana, B.
    Radziewicz, D.
    Pucicki, D.
    Dawidowski, W.
    Żelazna, K.
    Kudrawiec, R.
    Tłaczała, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/173549.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
    Tematy:
    InGaAs
    AlInAs
    superlattice
    metalorganic vapour phase epitaxy
    MOVPE
    quantum cascade laser
    QCL
    Opis:
    Quantum cascade laser is one of the most sophisticated semiconductor devices. The active region of the quantum cascade laser consists of hundreds thin layers, thus the deposition precision is the most crucial. The main technique for the fabrication of quantum cascade laser structure is molecular beam epitaxy, however, the prevalence of metalorganic vapour phase epitaxy techniques in the fabrication of semiconductor structures causes a perpetual work on the improvement production of the entire quantum cascade laser structure by the metalorganic vapour phase epitaxy. The paper presents technological aspects connected with the metalorganic vapour phase epitaxy growth of InGaAs/AlInAs low-dimensional structures for quantum cascade laser active region emitting ~9.6 μm radiation. Epitaxial growth of superlattice made of InGaAs/AlInAs lattice matched to InP was conducted at the AIXTRON 3x2″ FT system. Optical and structural properties of such heterostructures were characterised by means of high resolution X-ray diffraction, photoluminescence, contactless electroreflectance and scanning electron microscope techniques. Epitaxial growth and possible solutions of structure improvements are discussed.
    Źródło:
    Optica Applicata; 2016, 46, 2; 241-248
    0078-5466
    1899-7015
    Pojawia się w:
    Optica Applicata
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
    Autorzy:
    Dawidowski, W.
    Ściana, B.
    Zborowska-Lindert, I.
    Mikolásek, M.
    Latkowska, M.
    Radziewicz, D.
    Pucicki, D.
    Bielak, K.
    Badura, M.
    Kováč, J.
    Tłaczała, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226630.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    dilute nitrides
    AP MOVPE
    subcell
    tandem solar cell
    J-V characteristics
    Opis:
    Tandem (two p-n junctions connected by tunnel junction) and multijunction solar cells (MJSCs) based on AIIIBV semiconductor compounds and alloys are the most effective photovoltaic devices. Record efficiency of the MJSCs exceeds 44% under concentrated sunlight. Individual subcells connected in series by tunnel junctions are crucial components of these devices. In this paper we present atmospheric pressure metal organic vapour phase epitaxy (AP-MOVPE) of InGaAsN based subcell for InGaAsN/GaAs tandem solar cell. The parameters of epitaxial structure (optical and electrical), fabrication process of the test solar cell devices and current-voltage (J-V) characteristics are presented and discussed.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 2; 151-156
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies