Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "hole mobility" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content
    Autorzy:
    Durov, S.
    Mironov, O. A.
    Myronov, M.
    Whall, T. E.
    Parker, E. H. C.
    Hackbarth, T.
    Hoeck, G.
    Herzog, H. J.
    König, U.
    Känel von, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/958103.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    SiGe
    metamorphic MOSFET
    LF-noise
    I-V
    C-V
    effective hole mobility
    Opis:
    Measurements of current drive in p-Si1-xGex MOSFETs, with x = 0.7, 0.8 reveal an enhancement ratio of over 2 times as compared to a Si device at an effective channel length of 0.55 žm. They also show a lower knee voltage in the output I-V characteristics while retaining similar values of drain induced barrier lowering, subthreshold swing, and off current for devices with a Sb punch-through stopper. For the first time, we have quantitatively explained the low-frequency noise reduction in metamorphic, high Ge content, SiGe PMOSFETs compared to Si PMOSFETs.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 101-111
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Activation processes for two chosen aromatic hydrocarbon materials
    Mechanizm przewodnictwa ładunku w aktywowanych warstwach tetracenu i p-czterofenylu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296486.pdf
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    tetracen
    ruchliwość elektronów
    ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    tetracene
    electron mobility
    hole mobility
    carrier transport
    Opis:
    The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Obtained results may suggests the hopping transport through the localized states near the Fermi level as a dominant kind of transport. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggest that tetracene is better for utilization as a vapour sensors.
    Badano proces aktywacji i proces transportu nośników w warstwach tetracenu i czterofenylu. Uzyskane wyniki zdają się sugerować, że mamy tu do czynienia, jako dominującym transportem, z transportem hoppingowym poprzez stany zlokalizowane w pobliżu poziomu Fermiego. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora i odwracalność procesu może sugerować pewne możliwości utylitarne. Wydaje się, że większe możliwości zastosowań w technologii cienkowarstwowej ze względu na dużą głębokość modulacji konduktywności i niewystępowania efektu przebicia ma p-czterofenyl. Tetracen może mieć zastosowanie jako materiał modulujący swoje przewodnictwo w obecności gazów pod warunkiem zastosowania grubszych warstw.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2009, 30; 47-64
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Conductivity due to active collisions channel of adsorption of ethanol to thin layer of acenes
    Przewodnictwo zależne od kanału zderzeń aktywnych w adsorpcji etanolu do cienkich warstw acenów
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kuliński, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296432.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    materiały polikrystaliczne
    warstwa tetracenu
    warstwa p-kwaterfenylu
    proces aktywacji
    ruchliwość elektronów
    ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    polycrystalline
    tetracene films
    p-quaterphenyl films
    activation process
    electron mobility
    hole mobility
    carrier transport
    Opis:
    The activation process and the transport process for electrons in the tetracene layers and holes in the p-quaterphenyl layers is considered. Observed dependence of the conductivity on the vapor concentration of the activator molecules may suggests influence of collisions as a source of injection of the charge through surface potential barrier of adsorption.
    Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu i p-kwaterfenylu. Zależność procesów przewodnictwa od chwilowej wartości stężenia par aktywatora sugeruje wzrost natężenia prądu związanego z adsorpcją jako wynik procesów dwuciałowych zderzeń z wstrzykiwaniem nośników ładunku do warstwy. Uzyskane wartości potwierdzają wyniki dla badanych związków uzyskane przy założeniu hoppingowego mechanizmu przewodzenia opisanego w [3, 4].
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 65-72
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole drift mobility in antrachinon layers
    Ruchliwość dziur w warstwach antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296559.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polikrystaliczne i quasi-amorficzne warstwy antrachinonu
    ruchliwość dziur
    mechanizm transportu
    polycrystalline and quasi-amorphous antrochinone films
    hole drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    The drift mobility of holes in the antrachinon layers were determined. The layers were evaporated in the vacuum of the order of 10 -5 Torr. Due to the substrate temperature the layers were in the structure polycrystalline or the quasi-amorphous. There were no obtained the effect of the layers structure on the magnitude of the mobility of the carriers and on the transport mechanism.
    Badano ruchliwość dziur w polikrystalicznych i quasi-amorficznych warstwach antrachinonu. Określono typową dla acenów o takim stanie nieuporządkowania wartość ruchliwości. Na podstawie uzyskanych rezultatów nie można jednoznacznie określić z jakim mechanizmem transportu mamy do czynienia. Nie stwierdzono na tym poziomie nieuporządkowania wpływu struktury na mechanizm transportu, choć można się było tego spodziewać
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2007, 28; 27-32
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers
    Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296437.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polikrystaliczne warstwy antronu
    polikrystaliczne warstwy antrachinonu
    ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    polycrystalline anthrone films
    polycrystalline antrachinone films
    hole drift mobility
    carrier transport
    Opis:
    Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone polycrystalline thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Torr was measured with time-of-flight- method. The one order difference in mobility values for both -four ring acenes purified with zone melting before vaporization and identical in crystallization structure but with different molecule symmetry may have the origin in the presence of the difference in permanent dipole moment for both molecules.
    Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. W przypadku antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla antrachinonu. Dla obu związków uzyskano wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu kT. Wielkości te mogą przemawiać za transportem hoppingowym, nie mniej dopiero badanie mechanizmu transportu z uwzględnieniem zmiany struktury warstw może w pełni zweryfikować hipotezę. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek, mimo identycznej struktury kryształu, może mieć wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2012, 33; 55-63
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The effect of symmetry of a molecule electronic density on the dipolemoment of unit cell and hole conductivity of thin polycrystalline films of anthrone and anthraquinone
    Wpływ symetrii rozkładu elektronowego cząsteczki na moment dipolowy komórki elementarnej i przewodnictwo cienkich warstw polikrystalicznego antronu i antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kościelniak-Mucha, B.
    Kuliński, J.
    Słoma, P.
    Wojciechowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296504.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    anthrone
    anthraquinone
    TD-DFT
    hole drift mobility
    carrier transport
    dipole moment
    polycrystalline films
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    moment dipolowy
    warstwy polikrystaliczne
    Opis:
    The electronic structure of anthrone and anthraquinone molecules in the gas state and in the simulated crystal unit cell were calculated with time dependent-density functional theory (TD-DFT) method. The values of dipole moment of single molecule and of single crystal unit cell were also determined with TD-DFT method. The results of TD-DFT were compared with known crystal structures of both compounds [1,2]. For both molecules it was observed improvement of matching the length of corresponding bonds when calculated for the unit cell. Unexpectedly high value of dipole moment was calculated for the single unit cell of anthrone. This fact can be responsible for the nano-dimension properties of anthrone as the carriers mobility or high boiling point.
    Metodą TD-DFT obliczono strukturę elektronową cząsteczek oraz wartości momentu dipolowego komórek elementarnych dla antronu i antrachinonu. Zaobserwowano wpływ pola krystalicznego na zmianę długości wiązań w szkielecie antracenowym, który to obliczono metodą TD-DFT dla cząsteczek obu związków w fazie krystalicznej. Doświadczalnie określono wpływ obecności momentu dipolowego komórki elementarnej na ruchliwość dryftową nośników ładunków dla dwu aromatycznych związków wielopierścieniowych, antronu i antrachinonu krystalizujących w podobnej sieci krystalicznej C2h5(P21/a), ale różniących się symetrią cząsteczki. W przypadku antronu, posiadającego niecentrosymetryczne cząsteczki, okazało się, że własności tego materiału są związane z jego rozmiarami. Mikroskopowe oddziaływania mające swoje odzwierciedlenie zarówno w wyznaczonej eksperymentalnie bardzo wysokiej temperaturze wrzenia, jak i w wynikach obliczeń momentu dipolowego pojedynczej komórki elementarnej antronu są związane z możliwością zwiększenia aromatyczności cząsteczek tego związku w fazie stałej. Wydaje się, że jest to przyczyną zwiększonej ruchliwości dziur w przypadku antronu w porównaniu do ruchliwości dziur w antrachinonie (o cząsteczkach centrosymetrycznych).
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2016, 37; 49-64
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole drift mobility for different structures of anthrone and antrachinone layers
    Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu o różnej strukturze
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296406.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polycrystalline films
    quasi amorphous films
    amorphous films
    anthrone
    antrachinone
    hole drift mobility
    carrier transport
    warstwy polikrystaliczne
    warstwy quasi-amorficzne
    warstwy amorficzne
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    Opis:
    Drift mobility of holes in antrachinone and anthrone thin films evaporated in the vacuum of the order of 10-5 Tr was determined with time of flight method (TOF). The layers had different structural order due to the temperature of vaporized substrates. The results show almost lack of the mobility dependence due to the structural order. One order of difference in mobility values for antrachinone and anthrone may have origin in the presence of the difference in permanent dipole moment of the molecules.
    Badano proces transportu dziur w polikrystalicznych, quasi-amorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Do naparowania warstw w próżni 10-5 Tr użyto materiałów o czystości spektralnej. Pomiary ruchliwości wykonano metodą TOF. Obydwa związki z punktu widzenia krystalograficznego posiadają prawie jednakową strukturę układu jednoskośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Przebadano trzy rodzaje warstw, to jest o strukturze polikrystalicznej, quasi-amorficznej i amorficznej. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Dla obu związków uzyskano w temperaturze pokojowej wartości ruchliwości mniejsze niż 10-2 cm2/Vs z energią aktywacji ruchliwości rzędu 0.03 eV. Uzyskane wartości przemawiają za transportem hoppingowym. Na podstawie badań wydaje się, że moment dipolowy cząsteczek może mieć istotny wpływ na wielkość ruchliwości nośników ładunku.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2013, 34; 19-25
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Hole drift mobility in anthrone and antrachinone layers with different structure
    Dryftowa ruchliwość dziur w warstwach antronu i antrachinonu o różnej strukturze
    Autorzy:
    Kania, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296510.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polycrystalline films
    quasi amorphous films
    amorphous films
    anthrone
    antrachinone
    hole drift mobility
    carrier transport
    warstwy polikrystaliczne
    warstwy quasi-amorficzne
    warstwy amorficzne
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    Opis:
    The hole drift mobilities were measured with use of time of flight method (TOF) for layers of antrachinone and anthrone with different structural orders. The differences in the values of mobility for anthrone and anthrachinone are explained as an effect of different permanent dipole moment for these molecules.
    Poddano analizie wartość ruchliwości dziur w polikrystalicznych, quasiamorficznych i amorficznych warstwach antronu i antrachinonu. Materiały wyjściowe były o czystości spektralnej. Oba związki krystalizują w identycznej strukturze C2h 5(P21/a) krystalograficznej układu skośnego o prawie identycznych stałych sieciowych i prawie identycznym kącie β. Dla warstw antronu, którego cząsteczki posiadają stały moment dipolowy, uzyskano prawie o rząd większą wartość ruchliwości niż dla warstw antrachinonu, niezależnie od stopnia uporządkowania tych warstw. Próbujemy sformułować hipotezę i wykazać jej słuszność, że za prawie o rząd większą ruchliwość dziur w warstwach antronu odpowiada obecność znacznego momentu dipolowego w cząstkach tego związku.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2014, 35; 17-23
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The effect of the dipole moment on hole conductivity of polycrystalline films of two anthracene derivatives
    Wpływ momentu dipolowego na przewodnictwo dziur w warstwach polikrystalicznych dwu pochodnych antracenu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kościelniak-Mucha, B.
    Kuliński, J.
    Słoma, P.
    Wojciechowski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296414.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    charge carrier mobility
    reorganization energy
    transfer integral
    anthrone
    anthraquinone
    TD-DFT
    hole drift mobility
    carrier transport
    dipole moment
    polycrystalline films
    ruchliwość nośników ładunku
    energia reorganizacji
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    moment dipolowy
    warstwy polikrystaliczne
    Opis:
    Hole mobility in the polycrystalline layers of anthrone and anthraquinone differs in one order of magnitude in spite of nearly the same crystalline structure. The origin of this difference was determined with use of the quantum-mechanical calculations carried out at the density functional theory level using the B3lYP functional in conjunction with the 6-311++G(d,p) basis set. Based on theses calculations, we suppose that these difference can result from the presence of the dipol moment in the anthrone molecules.
    Ruchliwości dziur w polikrystalicznych warstwach antronu i antrachinonu różnią się prawie o jeden rząd wielkości, pomimo niemal tej samej struktury krystalicznej. Źródło tej różnicy próbowano określić przy użyciu obliczeń kwantowo-mechanicznych przeprowadzonych na poziomie teorii funkcjonału gęstości (DFT) z wykorzystaniem funkcjonału B3LYP, stosując funkcje bazy 6-311++G(d,p). Na podstawie tych obliczeń przypuszczamy, że ta różnica jest wynikiem obecności momentu dipolowego w cząsteczkach antronu.
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2017, 38; 27-36
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effect ofmolecule dipolemoment on hole conductivity of polycrystalline anthrone and anthrachinone layers
    Wpływ momentu dipolowego na przewodnictwo dziur w warstwach polikrystalicznego antronu i antrachinonu
    Autorzy:
    Kania, S.
    Kościelniak-Mucha, B.
    Kuliński, J.
    Słoma, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/296574.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
    Tematy:
    polycrystalline films
    quasi amorphous films
    amorphous films
    anthrone
    anthrachinone
    hole drift mobility
    carrier transport
    TD-DFT
    warstwy polikrystaliczne
    warstwy quasi-amorficzne
    warstwy amorficzne
    antron
    antrachinon
    dryftowa ruchliwość dziur
    transport nośników ładunku
    Opis:
    Complex analyzes were made using methods of molecular quantum mechanics to investigate the effect of the dipole moment of the molecule carrier drift mobility in polycrystalline layers composed of anthrone and anthrachinone molecules. The differences in the measured mobility values seems to be originated in the variations of the geometry of the frontier orbitals rather than the differences inherent in the crystal arrangement of these molecules, which after all, for both are nearly identical.
    Dokonano złożonej analizy, wykorzystując metody kwantowej mechaniki molekularnej dla zbadania wpływu obecności momentu dipolowego molekuły antronu i molekuły antrachinonu na ruchliwość ładunków w warstwach polikrystalicznych zbudowanych z takich molekuł. Źródłem zróżnicowania uzyskiwanych w pomiarze wartości ruchliwości wydaje się być w pierwszym rzędzie różnica geometrii zewnętrznych orbitali molekularnych dla obu badanych molekuł, a nie różnica tkwiąca w uporządkowaniu krystalicznym tychże molekuł, która dla obu jest bardzo podobna, gdyż oba związki krystalizują w identycznej strukturze C2h5(P21/a).
    Źródło:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2015, 36; 13-25
    1505-1013
    2449-982X
    Pojawia się w:
    Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies