Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SiC MOSFETS" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Silicon carbide based DC-DC converter – operating analysis
Autorzy:
Niewiara, Ł.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377549.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
DC\DC converter
SiC MOSFETS
high switching frequency
Opis:
In this paper operating analysis of DC-DC converter is presented. Silicon Carbide based DC-DC converter is investigated. SiC power switches (i.e. MOSFETs and diodes) were used. Synchronous buck topology is applied for converter structure. The DC-DC converter mathematical model is also presented. The parameters of LC circuit were calculated using shown equations. Working conditions determine the values of output LC circuit (inductance and capacitance). The analysis of working conditions is presented for different switching frequencies. The size of passive components (LC) is compared for different operating points. Experimental tests results were presented. Waveforms of voltage and current signals were also shown.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 88; 109-119
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of circuit and operation for DC–DC converter based on silicon carbide
Autorzy:
Niewiara, Ł. J.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97287.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
DC\DC converter
SiC MOSFETS
high switching frequency
DC–DC converter design
snubber circuit
Opis:
In this paper operating analysis of DC–DC converter is presented. Silicon Carbide based DC–DC converter is investigated. SiC power switches (i.e. MOSFETs and diodes) were used. Synchronous buck topology is applied for converter structure. The DC–DC converter mathematical model is also presented. The parameters of LC circuit were calculated using shown equations. Working conditions determine the values of output LC circuit (inductance and capacitance). Real power semiconductors are equipped in output and input capacitances. This feature may influence the generated input signal. Parasitic capacitances and inductances of the paths causes oscillations and voltage overshoots of the input PWM signal. To avoid such phenomenon, it is necessary to use a snubber circuit. This issue is also presented. The analysis of working conditions is presented for different switching frequencies. The size of passive components (LC) is compared for different operating points. Experimental tests results were presented. Waveforms of voltage and current signals were also shown.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2016, 14; 268-279
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies