Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SPICE simulation" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Modelowanie obwodowe transformatora piezoelektrycznego w warunkach podwyższonych napięć i temperatur
Circuit modeling of a piezoelectric transformer under elevated voltage and temperature conditions
Autorzy:
Tomalczyk, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/154446.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
transformator piezoelektryczny
nieliniowość
modelowanie obwodowe
symulacja SPICE
piezoelectric transformer
nonlinearity
circuit modeling
SPICE simulation
Opis:
Artykuł dotyczy modelowania obwodowego transformatorów piezoelektrycznych (PT) przy napięciach i temperaturach zbliżonych do panujących w rzeczywistych warunkach ich pracy. Typowe metody modelowania PT wykorzystują obwód zastępczy o stałych parametrach wyznaczanych przy niskim napięciu i temperaturze. W artykule potwierdzony został wpływ zarówno amplitudy napięcia wejściowego, jak i temperatury, na charakterystyki przejściowe PT. Aby uwzględnić stwierdzone zależności przy modelowaniu obwodowym PT, opracowana została metoda korekcji parametrów modelu PT uwzględniająca zmiany ich wartości w funkcji temperatury i napięcia wejściowego. Metoda ta pozwala uzyskać dużo lepszą zgodność wyników symulacji obwodowych z wynikami pomiarowymi w warunkach podwyższonych napięć i temperatur.
The paper refers to circuit modeling of piezoelectric transformers (PTs) operating under elevated voltage and temperature conditions. A PT is a resonant mechanical converter of electrical energy. Its characteristics (Fig. 1) are modeled by an equivalent circuit (Fig. 2) whose parameters are typically determined under low-voltage and low-temperature conditions and remain constant regardless of the model application. This approach is possibly erroneous due to the known temperature dependency and nonlinearities of piezoelectric materials. The temperature- and voltage-dependent variation of PT model parameters (Fig. 3) was determined by means of time domain measurements, which contrary to the widely used impedance analysis, allows high input voltages. A method for correction of the model parameters was established. Furthermore, the PT transfer characteristics were measured (Figs. 4 and 5) and compared to simulation results with and without the parameter correction (Fig. 6), showing considerable improvement in modeling accuracy with the new method applied.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2011, R. 57, nr 10, 10; 1206-1209
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis of a Simple Method of CMOS IC Design for Yield Optimization
Autorzy:
Tomaszewski, D.
Yakupov, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397989.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
CMOS
projektowanie pod kątem zysku
funkcja gęstości prawdopodobieństwa
dystrybuanta
modelowanie statystyczne
BPV
symulacja SPICE
design centering
design for yield
probability density function
cumulative distribution function
statistical modeling
BPV method
SPICE simulation
Opis:
A simple approach for CMOS integrated circuit (IC) design taking into account a process variability and oriented towards optimization of a parametric yield has been presented. Its concept is based on cumulative distribution functions of random variables representing IC performances subject to process variations. In the method it has been assumed that CMOS process statistical data are expressed in terms of so-called process parameter distributions. Thus the design centering is done via layout parameter tuning. The approach relies on maximizing the probability that random variables corresponding to IC performances remain within the performance boundaries. Also, a methodology for statistical characterization of CMOS process has been briefly described. Finally, the method operation has been illustrated using analytical and SPICE models of CMOS inverter, operational amplifier and ring oscillator.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 3; 81-87
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New approach to power semiconductor devices modeling
Autorzy:
Napieralski, A.
Napieralska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308039.pdf
Data publikacji:
2004
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
power device modeling
SPICE
circuit simulation
VDMOS
PIN diode
IGBT
web-based simulation
Opis:
The main problems occurring during high power device modeling are discussed in this paper. Unipolar and bipolar device properties are compared and the problems concerning high time-constant values related to the diffusion phenomena in the large base are explained. Traditional and novel concepts of power device simulation are presented. In order to make accurate and modern semiconductor device models widely accessible, a website has been designed and made available to Internet users, allowing them to perform simulations of electronic circuits containing high power semiconductor devices. In this software, a new distributed model of power diode has been included. Together with the existing VDMOS macromodel library, the presented approach can facilitate the design process of power circuits. In the future, distributed models of IGBT, BJT and thyristor will be added.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2004, 1; 80-89
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An accurate prediction of high-frequency circuit behaviour
Autorzy:
Yoshitomi, S.
Kimijima, H.
Kojima, K.
Kokatsu, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308807.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
electro-magnetic simulation
SPICE
circuit test structure
RF CMOS
EKV2.6-MOS model
spiral inductor
CMOS VCO
Opis:
An accurate way to predict the behaviour of an RF analogue circuit is presented. A lot of effort is required to eliminate the inaccuracies that may generate the deviation between simulation and measurement. Efficient use of computer-aided design and incorporation of as many physical effects as possible overcomes this problem. Improvement of transistor modelling is essential, but there are many other unsolved problems affecting the accuracy of RF analogue circuit modelling. In this paper, the way of selection of accurate transistor model and the extraction of parasitic elements from the physical layout, as well as implementation to the circuit simulation will be presented using two CMOS circuit examples: an amplifier and a voltage controlled oscillator (VCO). New simulation technique, electro-magnetic (EM)-co-simulation is introduced.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 47-62
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Frequency domain non-linear compact modelling and simulation of IC spiral inductors on silicon
Autorzy:
Brinson, Mike
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397951.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
Qucs
Qucs-S
Ngspice
Xyce
compact device modelling
Frequency Equation-Defined Devices
FEDD
Equation-Defined Devices
EDD
SPICE B type sources
Harmonic Balance simulation
Opis:
SPICE AC circuit simulation is fundamentally a small signal network analysis of a linear or non-linear circuit operating at specified DC bias conditions, where the electrical network component values are assumed not to be functions of AC input signal frequency. In the case of RF circuit simulation this assumption can give rise to significant modelling errors. With the recent improvements in General Public License (GPL) circuit simulators this situation is changing, particularly through the introduction of Frequency Dependent Equation-Defined Device (FEDD) models, non-linear current/voltage static and dynamic Equation-Defined Device (EDD) models and user controlled swept signal frequency simulation employing Harmonic Balance steady state analysis. The main purpose of this paper is to introduce a number of novel modelling and circuit simulation techniques that allow, and enhance, the construction of compact device models with embedded behavioural components whose non-linear properties are functions of AC input signal frequency. To demonstrate these new modelling techniques a compact model for a 10 GHz band width spiral inductor integrated on silicon is introduced, its compact model presented, and finally its simulation performance compared with published measured device data.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2018, 9, 1; 13-26
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies