Autor: Riesz, F. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Resonant Transmission in Effective-Mass "Double-Barrier" System
Autorzy:: Riesz, F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1876386.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Kp
72.90.+y
Opis:: The transmission characteristic of barrierless ABABA multilayer system, where A and B are materials with differing effective masses, is analyzed. The system shows resonant transmission similarly to a conventional double-barrier system, but shows unique features: unity transmission at zero energy, a more structured nature of the transmission versus energy curve and a non-decreasing peak-to-valley ratio with increasing energy.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 505-507
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Gain Studies on Photoconductors Made on Partly Compensated GaAs
Autorzy:: Riesz, F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1872925.pdf
Data publikacji:: 1995-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.50.Pz
85.60.Gz
Opis:: The gain behavior of GaAs photoconductors realized on the partly compensated channel of a MESFET is studied. The gain versus light power dependence hints at the domination of the bimolecular recombination and the trap-mediated gain, and only a minor role of the surface photovoltaic effect. The possible correlation between dark current and gain mechanism is pointed out.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 373-376
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Gain and Dark Current Studies on Planar Photodetectors Made on Annealed GaAs-on-Si
Autorzy:: Riesz, F.
Vo van, Tuven
Varrio, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933966.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.60.Gz
73.50.Pz
73.40.Sx
Opis:: Interdigital, planar photodetectors were fabricated from annealed GaAs/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy using alloyed AuGe/Ni and non-alloyed Cr/Au contacts. The dark current and optical gain of the Cr/Au devices is higher than that of the AuGe/Ni devices. Contact degradation due to annealing and a p-like background doping consistently explains our data. The gain-optical power relationship follows a power law with an exponent close to -1.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 889-892
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Observation of the Coulomb Blockade at 77 K in a Lattice-Mismatched GaAs/Si Heterojunction
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Riesz, F.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968070.pdf
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Lk
73.40.Gk
73.40.Kp
Opis:: We investigated current-voltage characteristics of a lattice-mismatched GaAs(n)/Si(p) heterojunction. For low bias voltages at 77 K it exhibits a behaviour characteristic of the Coulomb blockade. We discuss why this unexpected phenomenon can occur in the investigated structures.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 745-748
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Strain Relaxation of ZnTe/CdTe and CdTe/ZnTe heterostructures: In Situ Study
Autorzy:: Riesz, F.
Kret, S.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1952073.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.14.Hg
68.55.Bd
68.65.+g
Opis:: The strain relaxation kinetics of ZnTe/CdTe and CdTe/ZnTe heterostructures grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy are studied by in situ reflection high-energy electron diffraction. The observed critical layer thickness is 5 monolayers for ZnTe/CdTe and less than 1 monolayer for CdTe/ZnTe. The relaxation is anisotropic. Dislocation core parameters and relaxation rate constants were determined using a kinetic model and assuming strain-dependent activation energy of dislocation movement.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 911-914
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja