Autor: Głuszko, M. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ nanokoloidalnego srebra na pleśnioodporność farb wodorozcieńczalnych
The efect of nanocolloidal silver on the mould resistivity of waterborne paint coatings
Autorzy:: Głuszko, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/158859.pdf
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: farba wodorozcieńczalna
pleśnioodporność
srebro nanocząstkowe
związki srebra
Opis:: W pracy podjęto próbę zastosowania nanocząstkowego, elementarnego srebra osadzonego metodą fotoredukcji na powierzchni dwutlenku tytanu o strukturze anatazu jako biocydu dla powłok farb wodorozcieńczalnych. Anataz posiada właściwości sensybilizujące proces fotoredukcji srebra z roztworów jonowych. Srebro osadzone na powierzchni anatazu, po oddzieleniu od roztworu, emulgowano przy założonych stężeniach wagowych w wodorozcieńczalnej farbie fasadowej i badano pleśnioodporność nałożonych powłok.
The test of deposited by fotoreduction on anatase surface nanoparticle, elementary silver application as the biocide for waterborne paint coatings was carried out. Anatase sensitize the process of silver fotoreduction from ionic solutions. Silver deposited on anatase after separation from solution was emulsified in waterborne building paint with fixed mass concentrations. The mould resistance of applied paint coatings was investigated.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2008, 234; 147-156
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Zagadnienia ochrony antykorozyjnej konstrukcji stalowych oraz urządzeń elektroenergetycznych eksploatowanych w warunkach atmosferycznych
Problems of anticorrosion protection of steel structures and electro energetic equipment exploited in atmospheric conditions
Autorzy:: Głuszko, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/159729.pdf
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: korozja atmosferyczna
korozja galwaniczna
powłoka ochronna
pigmenty aktywne
powłoka stopowa
metoda badań
Opis:: W niniejszej rozprawie przedstawiono rezultaty wykonanych badań własnych, których celem było zwiększenie efektywności antykorozyjnej ochrony konstrukcji i urządzeń metalowych eksploatowanych w warunkach atmosferycznych. Dokonano oceny i klasyfikacji korozyjnej agresywności środowisk atmosferycznych na terenie miasta Wrocławia i na wybranych obszarach Polski. Określono produkty atmosferycznej korozji podstawowych metali konstrukcyjnych powstające po różnym czasie eksploatacji w naturalnych warunkach atmosferycznych. Wyznaczono intensywność korozji galwanicznej różnych połączeń metalicznych i dokonano klasyfikacji stykowych połączeń metali. Otrzymano nietoksyczny, efektywny pigment aktywny dla antykorozyjnych farb gruntowych. Zmodyfikowano klasyczną zanurzeniową powłokę cynkową wybranymi dodatkami stopowymi w celu zwiększenia jej odporności korozyjnej. Zastosowano porównawczą analizę widm IR i ATR oddziaływań na granicy faz polimer-metal dla oceny adhezji powłok lakierowych do powierzchni cynku. Opracowano dwie oryginalne metody przyspieszonych badań korozyjnych o znacznie zwiększonej agresywności środowisk probierczych dla oceny powłok lakierowych o wysokich właściwościach ochronnych.
The dissertation presents the results of research carried out to improved effectiveness of anticorrosion protection of metallic structures and apparatus exploited in atmospheric conditions. The estimation and classification of atmospheric environments corrosive aggressiveness has been done on the territory of Wroclaw town and on selected areas of Poland. The atmospheric corrosion products of basic constructional metals arising after different exploitations times in atmospheric conditions have been identified. The intensity of galvanic corrosion of different metallic connections was determined and contact intermetallic joints were classified. Nontoxic, effective, active pigment for anticorrosive ground paints was received. The original hot-dip zinc coating was modified through selected alloying additions to improve its anticorrosive resistance. Comparative IR and ATR spectral analysis of the interactions on polymer-metal interface was applied for assessment of paint coatings adhesions to zinc substrate. Two original methods of accelerated corrosion investigations with considerably higher aggressiveness of testing environments where elaborated for testing of paint coatings of high protective properties.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2008, 235; 1-173
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badania stopnia degradacji powłok lakierowych po narażaniu w komorach klimatycznych o różnej energii napromiennienia UV
The investigation of paint coatings degradation level after exposing in climatic chambers with different energy of UV radiation
Autorzy:: Głuszko, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/159989.pdf
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: badania klimatyczne
degradacja powłok lakierowych
promieniowanie UV
Opis:: Wykonano porównawcze badania wpływu wielkości energii stosowanego promieniowania UV na stopień destrukcji pięciu gatunków badanych powłok lakierowych. Stopień degradacji powłok oceniano poprzez określenie zmian stopnia skredowania, połysku, zmian tłoczności, elastyczności i twardości względnej. Ponadto zbadano wpływ dodatku fotostabilizatora HALS CIBA TINUVIN 5100 na poprawę trwałości powłok lakierowych. Stwierdzono, że właściwej oceny stopnia degradacji powłok lakierowych można dokonać jedynie poprzez badania w komorze z wysokoenergetycznym promieniowaniem UV.
The comparative investigations of the influence of the applied UV radiation energy on the destruction of 5 kinds of investigated paint coatings were carried out. The destruction level was estimated through measurements of coatings chalking, gloss, drawability, elasticity and relative hardness. Moreover, the influence of fotostabilizer HALS Ciba TINUVIN 5100 addition on the destruction level of investigated coatings was determinated. It was stated, that appropriate estimation of paint coatings destruction level is possible only through investigation in climatic chamber with high energetic UV radiation.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2006, 228; 59-69
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Warstwy konwersyjne na absorbery kolektorów słonecznych
Conversion layers for solar collectors absorbers
Autorzy:: Juchim, S.
Głuszko, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/160156.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:: kolektor słoneczny
absorber
Opis:: W pracy dokonano porównania efektywności działania uzyskanych warstw absorpcyjnych jako pokryć kolektorów słonecznych w odniesieniu do efektywności działania stosowanego w praktyce pokrycia komercyjnego. Zbadano wydajność absorpcji światła warstw tlenku miedzi i tlenku tytanu naniesionych metodą oksydacji anodowej oraz warstwy komercyjnej farby akrylowej. Widma UV/Vis/NiR poszczególnych uzyskanych powłok zostały odniesione do ich zdolności absorpcji promieniowania świetlnego. Morfologia powierzchni uzyskanych warstw została pokazana na zdjęciach wykonanych metodą SEM i AFM. Stwierdzono, że efektywność działania naniesionych warstw była niższa w porównaniu do stosowanego w praktyce pokrycia absorbera słonecznego.
In the work the efficiency comparison of obtained absorbing layers for solar collectors with commercial collectors was carried out. The absorption ability of copper and titanium oxides layers deposited on the metallic substrates by anodic oxidation method and commercial acrylic paint layer was compared with absorption efficiency of practically employed solar absorber. The UV/Vis/NiR spectra of particular layers were referred to their light absorption efficiency. The morphology of layers surfaces was showed by means of SEM and AFM images. Is was stated, that light absorption efficiency of obtained layers was lower in comparison with practically employed solar collector absorber's coating.
Źródło:: Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 245; 153-165
0032-6216
Pojawia się w:: Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308057.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching
Opis:: This study describes a novel technique to form good quality low temperature oxide (< 350 C degree). Low temperature oxide was formed by N2O + SiH4:N2 plasma in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) system on the silicon surface reactively etched in CF4 plasma (RIE - reactive ion etching). The fabricated oxide demonstrated excellent (for low temperature dielectric formation process) currentvoltage (I-V) characteristics, such as: low leakage current, high breakdown voltage and good reliability. Experimental results indicate that the proposed method of fluorine incorporation into the SiO2/Si inteface improves electrical parameters of MOS structures.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 20-24
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308059.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Opis:: This study describes the effects of high temperature annealing performed on structures fluorinated during initial silicon dioxide reactive ion etching (RIE) process in CF4 plasma prior to the plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) of the final oxide. The obtained results show that fluorine incorporated at the PECVD oxide/Si interface during RIE is very stable even at high temperatures. Application of fluorination and high temperature annealing during oxide layer fabrication significantly improved the properties of the interface (Ditmb decreased), as well as those of the bulk of the oxide layer (Qeff decreased). The integrity of the oxide (higher Vbd ) and its uniformity (Vbd distribution) are also improved.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2010, 1; 25-28
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
Autorzy:: Głuszko, G.
Szostak, S.
Gottlob, H.
Lemme, M.
Łukasiak, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308671.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI MOSFET
Opis:: This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 67-72
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Głuszko, G.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308685.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: CMOS
dual gate oxide
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Opis:: The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by means of ellipsometry, SIMS and electrical characterization methods.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 3-8
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
Autorzy:: Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308691.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS
Opis:: This work reports on changes in the properties of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers after high- temperature treatment. Possible changes in the structure, composition and electrophysical properties were investigated by means of spectroscopic ellipsometry, XPS, SIMS and electrical characterization methods (C-V, I-V and charge- pumping). The XPS measurements show that SiOxNy is the dominant phase in the ultra-thin layer and high-temperature annealing results in further increase of the oxynitride phase up to 70% of the whole layer. Despite comparable thickness, SIMS measurement indicates a densification of the annealed layer, because sputtering time is increased. It suggests complex changes of physical and chemical properties of the investigated layers taking place during high-temperature annealing. The C-V curves of annealed layers exhibit less frequency dispersion, their leakage and charge-pumping currents are lower when compared to those of as-deposited layers, proving improvement in the gate structure trapping properties due to the annealing process.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities
Autorzy:: Głuszko, G.
Łukasiak, L.
Kilchytska, V.
Chung, T. M.
Olbrechts, B.
Flandrie, D.
Raskin, J. P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308669.pdf
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI
water bonding
Si layer transfer
Opis:: The quality of the silicon-buried oxide bonded interface of SOI devices created by thin Si film transfer and bonding over pre-patterned cavities, aiming at fabrication of DG and SON MOSFETs, is studied by means of chargepumping (CP) measurements. It is demonstrated that thanks to the chemical activation step, the quality of the bonded interface is remarkably good. Good agreement between values of front-interface threshold voltage determined from CP and I-V measurements is obtained.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 61-66
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Głuszko, M." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język