Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "electron affinity" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
CI Calculations of the Ground State Ionization Potential and Electron Affinity of Aluminum
Autorzy:
Hussein, Adnan
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1401866.pdf
Data publikacji:
2015-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
31.15.V-
Opis:
Nonrelativistic configuration interaction study for Al⁺, Al and Al¯ are presented, included calculations of ionization potential and electron affinity of the ²P° ground state of Al. CI calculations up to double, triple and quadrupole excitations for Al⁺, Al and Al¯, respectively, where neon fixed core is considered. Appropriate Slater type basis functions were developed suitable to recover both of core-valence and core-core correlation effect. The relativistic effect on both ionization potential and electron affinity are taken into account at the relativistic Hartree-Fock level. The calculated electron affinity is 432.811 meV which is in excellent agreement with experimental value of Sheer et al. 432.83(5) meV, whereas the calculated ionization potential is 5985.764 meV, the latter is in perfect agreement with experimental value of 5985.768 meV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 3; 268-273
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental and Theoretical Investigation to Study the Molecular Structure, Electronic Properties, UV–Vis Spectra of Coumarin 102
Autorzy:
Mohi, Ali T.
Abood, Tareq H.
Hadi, Hasan A.
Karim, Mahmood S.
Mutlik, Falah A-H.
Alwan, Tariq J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178533.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:
DFT
Ionization potential
TDDFT
electron affinity
energy gap and UV spectra
Opis:
In this work, we study the structure, electronic properties and electronic spectra of Coumarin 102 (C102) dissolved in ethanol as an experimental-theoretical investigation. The various properties of the ground and excited electronic states of coumarins 102 using density functional theory (DFT) and time-dependent density functional theory (TDDFT) was calculated by the B3LYP density functional model with 6-31G(d,p) basis set by Gaussian 09 W program. Spectral characteristics of coumarin 102 have been probed into by methods of experimental UV-visible, and quantum chemistry. The UV spectrum was measured in Ethanol. The optimized structures, total energies, electronic states (HOMO- LUMO), energy gap, ionization potentials, electron affinities, chemical potential, global hardness, softness, global electrophilictity, dipole moment and electrostatic potential was calculated. were calculated. We find good agreement between experimental data of UV spectrum and TDDFT excitation energies.
Źródło:
World Scientific News; 2017, 70, 2; 216-229
2392-2192
Pojawia się w:
World Scientific News
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detektory fotoemisyjne na bazie związków AIII BV
Photoemissive detectors on the basis of AIII BV semiconductors
Autorzy:
Wojas, W.
Wojas, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/211202.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
półprzewodniki
powinowactwo elektronowe
detektory na podczerwień
semiconductors
electron affinity
photoemitters
detectors for infrared radiation
Opis:
Autorzy szczegółowo omówili zjawisko ujemnego powinowactwa elektronowego w półprzewodnikach grupy AIII BV w aspekcie jego wykorzystania do konstrukcji czułych detektorów podczerwieni. Pokazano, dlaczego arsenek galu jest najbardziej odpowiednim materiałem z tej grupy związków półprzewodnikowych do wykorzystania zjawiska ujemnego powinowactwa do budowy czułych fotoemiterów. Opisano procesy technologiczne otrzymywania takich emiterów przez nakładanie (napylanie) warstw tlenku cezu na arsenek galu. Wymieniono warunki, jakie powinien spełnić fotoemiter. Podano przykłady budowy i zastosowania detektorów do wykrywania padającego promieniowania bliskiej i średniej podczerwieni.
The authors discuss in detail the phenomena of negative electron affinity for semiconductors AIII BV in aspect of construction of sensitive detectors for infrared radiation. We show that GaAs is the most suitable material of this group of semiconductors for application of negative electron affinity to construct sensitive photoemitters. The technological process of fabrication of these emitters with Cs2O layer on GaAs is described. We present the conditions for the photoemitter. We show the examples of detectors for detecting near infrared and middle infrared radiation.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2010, 59, 4; 239-260
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies