Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Prucnal, S." wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
„Ma dissidence”. Sztuka piosenki Anny Prucnal
“Ma dissidence”: Anna Prucnal’s Art of Song
Autorzy:
Piotrowski, Grzegorz
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31342081.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Sztuki PAN
Tematy:
Anna Prucnal
głos
transnarodowość
voice
transnationalism
Opis:
Kariera polskiej aktorki i pieśniarki Anny Prucnal jest przykładem transgresyjnej biografii artystycznej rozdartej między kraje, kultury, ideologie, style i media. Piotrowski analizuje dorobek Prucnal na polu muzyki popularnej w kontekście interakcji zachodzących między jej tożsamością artystyczną i uprawianym przez nią teatrem piosenki a kolejnymi miejscami kariery (Warszawa, Berlin, Paryż). Bada proces akulturacji i narratywizacji sztuki piosenki Prucnal przez miejsca i związaną z nimi kulturę, dowodząc, że nie tylko kształtowały one tożsamość artystki, jej estetykę i styl, ale też ulegały w ich granicach relokacji. Z jednej bowiem strony pierwiastki miejsca i tożsamości tworzą w sztuce Prucnal niepowtarzalny, otwarty na „niepoprawne” odczytania układ, utkany z różnych i przeciwstawnych jakości (estetycznych, performatywnych, ideologicznych itd.). Dzięki temu piosenkarstwo Prucnal jest – na skalę rzadko spotykaną w muzyce popularnej – transnarodowe, transgatunkowe i transstylistyczne oraz przynależy do transawangardy lat 70. i 80. Z drugiej jednak strony Piotrowski uważa, że tożsamość Prucnal – płynna, procesualna, w każdym geście artystycznym określająca się od nowa i na chwilę – nie daje się zredukować i znaczy, w odmiennych kontekstach, przede wszystkim samą siebie. Paradoks i zagadka sztuki piosenki Prucnal polegają na istnieniu odrębnego i trwałego rdzenia: artystka sama w sobie i przez siebie jest „miejscem” – wyodrębnionym przez głos i jedyną w swoim rodzaju ekspresję, zaś miejsca tego nie można ani z kimkolwiek lub czymkolwiek pomylić, ani też zawłaszczyć.
The career of the Polish actress and songstress Anna Prucnal is an example of a transgressive artistic biography torn between countries, cultures, ideologies, styles and media. Piotrowski examines Prucnal’s achievements in popular music in the context of interactions between her artistic identity and her theatre songs, and the subsequent places where she was artistically based (Warsaw, Berlin, Paris). He examines the process of acculturation and narrativisation of Prucnal’s song art through considering places and cultures associated with them, arguing that they not only shaped the identity of the artist, her aesthetics and style, but they underwent “relocations” within those contexts. On the one hand, elements of place and identity in Prucnal’s work create a unique system, open to an “incorrect” reading, woven from different and opposing qualities (aesthetic, performative, ideological etc.). Thanks to that Prucnal’s art – on a scale rarely seen in popular music – is transnational, transgenre and trans-style, and belongs to the transavantgarde of the 1970s and 1980s. On the other hand Piotrowski believes that Prucnal’s identity, processual and continuous, redefined in each gesture and for a moment, cannot be reduced, and refers, in various contexts, above all to itself. The paradox and mystery of Prucnal’s art of song rely on the existence of a separate and permanent core: the artist herself and by herself is a “place” – extracted by the voice and a unique expression, this place cannot be confused with anybody or anything else, nor may it be appropriated.
Źródło:
Kwartalnik Filmowy; 2015, 91; 170-180
0452-9502
2719-2725
Pojawia się w:
Kwartalnik Filmowy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Transnarodowa, czyli wszędzie Obca? Syndrom aktorstwa filmowego Anny Prucnal
Transnational and Therefore a Stranger? The Syndrome of Anna Prucnal’s Film Acting
Autorzy:
Piotrowski, Grzegorz
Szymański, Karol
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/31341982.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Sztuki PAN
Tematy:
Anna Prucnal
Inny
obcy
obca
Other
stranger
Opis:
Związki – życiowe i zawodowe – z Polską, Niemcami i Francją oraz estetyczne konteksty i artystyczne środowiska kolejnych miejsc kariery ukształtowały aktorstwo filmowe Anny Prucnal jako fenomen, w którym nad czytelnymi źródłami lokalnymi i pierwiastkami narodowymi nadbudowuje się niesprowadzalne do nich Inne-Ponad. Dzięki temu Prucnal w filmach Felliniego, Makavejeva, Deville’a, Wajdy, Vadima czy Amalrica z jednej strony funkcjonuje jako fascynująca i drażniąca Obca, z drugiej zaś, przekraczając to, co lokalne, może być z powodzeniem zasymilowana przez kino międzynarodowe (co paradoksalnie obróciło się przeciw aktorce, gdy po 1989 r. podjęła próbę powrotu do tego, co lokalne – kina polskiego). Autorzy dokonują opisu środków wyrazu w filmowych rolach Prucnal, analizują jej swoisty i „przesadny” sposób bycia na ekranie, zastanawiając się, na ile jest ona „ciałem obcym”, a na ile wnosi niepowtarzalną – transgresyjną, dysonansową, konfuzyjną – „wartość dodaną”. Celem artykułu jest określenie „syndromu aktorskiego Prucnal” oraz interpretacja kształtujących go sił (przez odniesienie m.in. do opery, estetyki Felsensteina i Brechta, Studenckiego Teatru Satyryków, awangardy teatralnej Awinionu, kontrkultury i kampu, lewackości) przede wszystkim z perspektywy strategii reinterpretacji znaków kultur narodowych oraz napięć między tym, co lokalne, transnarodowe, międzynarodowe.
Relationships – life and professional – with Poland, Germany and France, and aesthetic contexts and artistic communities of the places where she worked, shaped Anna Prucnal’s film acting as a phenomenon in which the readable sources of local and national elements are obscured by the irreducible Other-Different. Thanks to that Prucnal in films be Fellini, Makavejev, Deville, Wajda, Vadim or Amalric functions on the one hand as the fascinating, disturbing Other, and on the other hand by transcending the local, she might be easily assimilated by international cinema (which paradoxically turned against the actress, when after 1989, she tried to return to the local, that is Polish cinema). The authors describe the means of expression in Prucnal’s roles, they analyse her characteristic, “excessive” presence on the screen. They ponder to what extend is she a “foreign body” and to what extend is she a unique, transgressive, dissonant, confusing “added value”. The aim of the article is the definition of “Prucnal’s acting syndrome” and the interpretation of the forces that shaped it (by reference to opera, the aesthetics of Brecht and Felsenstein, Student Satirical Theatre, Avignon avant-garde theatre, counter-culture and camp, and left wing views), above all from the perspective of the strategy of reinterpretation of symbols of national cultures and tensions between what is local, transnational and international.
Źródło:
Kwartalnik Filmowy; 2016, 95; 108-124
0452-9502
2719-2725
Pojawia się w:
Kwartalnik Filmowy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Tailoring the Internal Evaporator for Effective Ion Beam Production - Volatile vs. Non-Volatile Substances
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Prucnal, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402239.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.77.Ka
34.80.Dp
61.72.uj
Opis:
Two different designs of the internal evaporator in an arc discharge ion source are presented, suitable either for volatile, or high-melting point substances. A matter of the evaporator size and placement in order to obtain its appropriate temperature and, therefore, a stable and intense ion beam, is considered. Basic ion source characteristics, i.e. the dependences of ion current and discharge voltage on the discharge and filament currents as well as on the external magnetic field flux density are shown and discussed in order to find optimal working conditions. The results of measurements for both volatile (P, Zn, Se, S) and non-volatile (Pd) are presented, showing the applicability of the design for ion implantation purposes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 939-942
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Production of $Mo^{+}$ Beams Using an Arc Discharge Ion Source
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Prucnal, S.
Mączka, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1383005.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.77.Ka
34.80.Dp
61.72.uj
Opis:
A new method of $Mo^{+}$ ion beam production is presented in the paper. The method bases on the chemical sputtering/etching of the molybdenum parts (e.g. anode) of the arc discharge ion source by the chloride containing plasma. A mixture of $CCl_4$ (or $CHCl_3$) vapor and air was used as the feeding substance. The separated $Mo^{+}$ beam current of approximately 18 μA was achieved. The measurements of the ion current dependences on the discharge and filament currents as well as on the magnetic field flux density from the electromagnet surrounding the discharge chamber were performed in order to find the optimal working parameters of the ion source.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1388-1391
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication of $Si_{1-x}Ge_x$ Alloy on Silicon by Ge-Ion-Implantation and Short-Time-Annealing
Autorzy:
Gao, K.
Prucnal, S.
Mücklich, A.
Skorupa, W.
Zhou, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400450.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
78.55.Ap
68.37.Lp
Opis:
In our contribution we present the fabrication of $Si_{1-x}Ge_x$ alloy by ion-implantation and millisecond flash lamp annealing. The 100 keV Ge ions at the fluence of $10 \times 10^{16}, 5 \times 10^{16}$, and $3 \times 10^{16} cm^{-2}$ were implanted into monocrystalline (100)-oriented Si wafers covered by 50 nm thermal oxide. In the consequence, the 50 nm amorphous Ge rich Si layers were obtained. The recrystallization of the implanted layers and the $Si_{1-x}Ge_x$ alloying were accomplished by flash lamp annealing with the pulse duration of 20 ms. Flash lamp treatment at high energy densities leads to local melting of the Ge-rich silicon layer. Then the recrystallization takes place due to the millisecond range liquid phase epitaxy. Formation of the high quality monocrystalline $Si_{1-x}Ge_x$ layer was confirmed by the μ-Raman spectroscopy, the Rutherford backscattering channeling and cross-sectional transmission electron microscopy investigation. The μ-Raman spectra reveal three phonon modes located at around 293, 404, and $432 cm^{-1}$ corresponding to the Ge-Ge, Si-Ge and Si-Si in the $Si_{1-x}Ge_x$ alloy vibrational modes, respectively. Due to much higher carrier mobility in the $Si_{1-x}Ge_x$ layers than in silicon such system can be used for the fabrication of advanced microelectronic devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 858-861
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Plasma Ion Source with an Internal Evaporator
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Prucnal, S.
Mączka, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504137.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.77.Ka
34.80.Dp
61.72.uj
Opis:
A new construction of a hollow cathode ion source equipped with an internal evaporator heated by a spiral cathode filament and arc discharge is presented. The source is especially suitable for production of ions from solids. The proximity of arc discharge region and extraction opening enables production of intense ion beams even for very low discharge current ($I_{a}$ = 1.2 A). The currents of 50 μA $(Al^{+})$ and 70 μA $(Bi^{+})$ were obtained using the extraction voltage of 25 kV. The source is able to work for several tens of hours without maintenance breaks, giving possibility of high dose implantations. The paper presents the detailed description of the ion source as well as its experimental characteristics like dependences of extracted currents and anode voltage on anode and cathode currents.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 184-187
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Solar Cell Emitters Fabricated by Flash Lamp Millisecond Annealing
Autorzy:
Prucnal, S.
Shumann, T.
Skorupa, W.
Abendroth, B.
Krockert, K.
Möller, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503796.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
88.40.jj
78.55.-m
78.30.Am
78.55.Ap
Opis:
Phosphorus ion implantation was used for the emitter formation in mono- and multicrystalline silicon solar cells. After ion implantation the silicon is strongly disordered or amorphous within the ion range. Therefore subsequent annealing is required to remove the implantation damage and activate the doping element. Flash-lamp annealing offers here an alternative route for the emitter formation at overall low thermal budget. During flash-lamp annealing, only the wafer surface is heated homogeneously to very high temperatures at ms time scales, resulting in annealing of the implantation damage and electrical activation of phosphorus. However, variation of the pulse time also allows to modify the degree of annealing of the bulk region to some extent as well, which can have an influence on the gettering behaviour of metallic bulk impurities. The μ-Raman spectroscopy showed that the silicon surface is amorphous after ion implantation. It could be demonstrated that flash-lamp annealing at 800°C for 20 ms even without preheating is sufficient to recrystallize implanted silicon. The highest carrier concentration and efficiency as well as the lowest resistivity were obtained after annealing at 1200°C for 20 ms both for mono- and multicrystalline silicon wafers. Photoluminescence results point towards P-cluster formation at high annealing temperatures which affects metal impurity gettering within the emitter.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 30-34
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Production of Molybdenum and Tantalum Ion Beams using CCl₂F₂
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Filiks, J.
Prucnal, S.
Mączka, D.
Vaganov, Yu.
Węgierek, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033135.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
07.77.Ka
34.80.Dp
61.72.uj
Opis:
A new method of refractory metal (like Mo and Ta) ion beam production using the arc discharge ion source and CCl₂F₂ (dichlorodifluoromethane) used as a feeding gas supported into the discharge chamber is presented. It is based on etching of the refractory metal parts (e.g. anode or a dedicated tube) Cl and F containing plasma. The results of measurements of the dependences of ion currents on the working parameters like discharge and filament currents as well as on the magnetic field flux density of an external electromagnet coil are shown and discussed. The separated Mo⁺ and Ta⁺ beam currents of approximately 22 μA and 2 μA, respectively, were obtained.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 283-287
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
III-V Quantum Dots in Dielectrics Made by Ion Implantation and Flash Lamp Annealing
Autorzy:
Prucnal, S.
Turek, M.
Gao, K.
Zhou, S.
Pyszniak, K.
Droździel, A.
Żuk, J.
Skorupa, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400484.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
78.67.Hc
81.05.Ea
81.07.Ta
81.15.Lm
Opis:
Different semiconductor nanocrystals synthesized in dielectrics on silicon are very interesting for applications in non-volatile memories and photovoltaics. In this paper we present an overview of microstructural and opto-electronic properties of different III-V quantum dots embedded in $SiO_2$ and $Si_3N_4$ made by sequential ion implantation and millisecond range flash lamp annealing. It is shown that within 20 ms post-implantation annealing high quality crystalline III-V quantum dots can be formed in different matrices. Formation of crystalline III-V quantum dots was confirmed by cross-section transmission electron microscopy, photoluminescence and μ-Raman spectroscopy. Flash lamp annealing is essentially a single-flash-single-wafer technique whose main attributes are the ease and control of processing over large wafer batches.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 935-938
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Hot Implantation on Residual Radiation Damage in Silicon Carbide
Autorzy:
Rawski, M.
Żuk, J.
Kulik, M.
Droździel, A.
Lin, L.
Prucnal, S.
Pyszniak, K.
Turek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1504145.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.U-
78.30.-j
61.05.Np
63.50.-x
79.20.Rf
81.70.Fy
Opis:
Remarkable thermomechanical and electrical properties of silicon carbide (SiC) make this material very attractive for high-temperature, high-power, and high-frequency applications. Because of very low values of diffusion coefficient of most impurities in SiC, ion implantation is the best method to selectively introduce dopants over well-defined depths in SiC. Aluminium is commonly used for creating p-type regions in SiC. However, post-implantation radiation damage, which strongly deteriorates required electric properties of the implanted layers, is difficult to anneal even at high temperatures because of remaining residual damage. Therefore implantation at elevated target temperatures (hot implantation) is nowadays an accepted method to decrease the level of the residual radiation damage by avoiding ion beam-induced amorphization. The main objective of this study is to compare the results of the Rutherford backscattering spectroscopy with channeling and micro-Raman spectroscopy investigations of room temperature and 500°C $Al^{+}$ ion implantation-induced damage in 6H-SiC and its removal by high temperature (up to 1600°C) thermal annealing.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 192-195
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modification of Optical and Electrical Properties of PET Foils by He⁺, Ne⁺ and Ar⁺ Implantation
Autorzy:
Droździel, A.
Turek, M.
Pyszniak, K.
Prucnal, S.
Luchowski, R.
Grudziński, W.
Klimek-Turek, A.
Partyka, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033733.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.40.Me
78.30.Jw
61.82.Pv
Opis:
Thin (3 μm) polyethylene terephthalate (PET) foils were irradiated with 135 keV He⁺, Ne⁺ and Ar⁺ ions with the fluences up to 5×10¹⁵ cm¯². Changes of chemical structure of the polymer were studied with the Fourier transform infrared and Raman spectroscopy - breaking of numerous chemical bonds, polymer chain cross-linking as well as formation of sp² hybridised carbon clusters and cluster networks were demonstrated. The increase of the implanted sample absorbance with the implantation fluence in the UV-VIS spectra as well as the decrease of optical band-gap energy (2.75 and 2.0 eV for He and Ne, respectively, at 5×10¹⁵ cm¯²) are observed. Decrease of bulk resistance of heavily treated samples by ≈5 orders of magnitude is determined. Measurements of the sheet resistance confirm that the sample becomes conducting also on the reverse (unimplanted) side of the foil. Both of these effects depend on the impinging ion mass - they are the strongest for Ar. The increase of both ac conductance and dielectric constant is observed in the frequency range up to 2 MHz and these changes rise with the impinging ion mass.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 264-269
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Flash Lamp Annealing on the Optical Properties of CIGS Layer
Autorzy:
Prucnal, S.
Jiao, F.
Reichel, D.
Zhao, K.
Cornelius, S.
Turek, M.
Pyszniak, K.
Drozdziel, A.
Skorupa, W.
Helm, M.
Zhou, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1199248.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
88.40.jn
61.72.Cc
78.55.Hx
Opis:
Copper indium gallium diselenide (CIGS) becomes more significant for solar cell applications as an alternative to silicon. The quality of the layer has a critical impact on the final efficiency of the solar cell. An influence of the post-deposition millisecond range flash lamp annealing on the optical and microstructural properties of the CIGS films was investigated. Based on the Raman and photoluminescence spectroscopy, it is shown that flash lamp annealing reduces the defect concentration and leads to an increase of the photoluminescence intensity by a factor of six compared to the nonannealed sample. Moreover, after flash lamp annealing the degradation of the photoluminescence is significantly suppressed and the absolute absorption in the wavelength range of 200-1200 nm increases by 25%.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1404-1407
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Legenda. Problem badawczy, redakcja: Zbigniew Piłat, Dariusz Prucnal, Leszek Wojciechowski, Wydawnictwo Werset, Lublin 2013, s. 166
Autorzy:
Hamryszczak, Artur
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1023565.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Katolicki Uniwersytet Lubelski Jana Pawła II
Źródło:
Archiwa, Biblioteki i Muzea Kościelne; 2014, 101; 423-425
0518-3766
2545-3491
Pojawia się w:
Archiwa, Biblioteki i Muzea Kościelne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wokół praw dziecka
On Children’s Rights
Autorzy:
Prucnal, Marta
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198722.pdf
Data publikacji:
2014-03-30
Wydawca:
Akademia Ignatianum w Krakowie
Tematy:
dziecko
dzieciństwo
prawa
prawa dziecka
ochrona
child
childhood
rights
protection
children's rights
Opis:
Koncepcja praw dziecka narodziła się w XVII i XVIII wieku. Jako instytucja prawna uznana na całym świecie, prawa dziecka pojawiły się na przełomie XIX i XX wieku. Obecnie obserwujemy rozległy i stale rosnący, zarówno na poziomie krajowym, jak i międzynarodowym, proces ich kodyfikacji. Uchwalono dziesiątki wiążących umów międzynarodowych, wiele dokumentów międzynarodowych o charakterze niewiążącym oraz wiele krajowych aktów prawnych dotyczących praw dziecka i wyznaczających standardy w zakresie ich ochrony. Poszczególne jednostki, instytucje i państwa są zobowiązane do ich implementacji i poszanowania.
The idea of children’s rights emerged in the seventeenth and eighteenth centuries. As a legal institution recognized around the world, children’s rights appeared at the turn of the nineteenth / twentieth century. Nowadays, we observe the large and ever growing process of their codification, both at the national and international level. One can find dozens of binding international agreements, numerous documents belonging to the so-called “soft law” and many domestic law acts regarding child rights issues and defining standards for their protection. Individual units, institutions and states are committed to their implementation and respect. The article presents the normative universal definition of childhood, the concept of children’s rights, the evolution and codification process of children’s rights and the means of their protection.
Źródło:
Horyzonty Wychowania; 2014, 13, 25; 15-29
1643-9171
2391-9485
Pojawia się w:
Horyzonty Wychowania
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ocena stanu zdrowia dzieci wrocławskich w wieku 6,5–9,5 lat. Część 2
The health status of Wrocław’s children from 6.5 to 9.5 years of age. Part 2
Autorzy:
Noczyńska, Anna
Zubkiewicz-Kucharska, Agnieszka
Mysłek-Prucnal, Monika
Bosak-Prus, Magdalena
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/552596.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Przyjaciół Medycyny Rodzinnej i Lekarzy Rodzinnych
Tematy:
allergy
malformation
chronic disease
posture defect
Opis:
Wstęp. Obserwowany na świecie wzrost zachorowania na choroby cywilizacyjne dotyczy w dużym stopniu również dzieci. Cel pracy. Ocena sytuacji zdrowotnej dzieci uczęszczających do trzech pierwszych klas szkół podstawowych we Wrocławiu. Materiał i metody. Badaniem objęto 1984 dzieci (97,92%) – 934 chłopców (47%) i 1050 dziewczynek (53%), w wieku 6,5–9,5 lat z 26 wybranych losowo publicznych szkół we Wrocławiu. Badania przeprowadzano w latach 2009–2011. Rozdano 4000 ankiet, w których pytano rodziców o przebyte i aktualne choroby oraz wady rozwojowe. Wyniki. Zespoły genetycznie uwarunkowane były rozpoznane u 15 (0,75%), wady układu moczowego – u 24 (1,2%), serca – u 9 (0,45%), przewodu pokarmowego – u 24 (1,2%), wady wzroku – u 236 (11,8%), choroby alergiczne – u 597 (30,1%), astma oskrzelowa – u 33 (1,51%) badanych. Z powodu chorób endokrynologicznych leczonych jest 15 (0,75%) dzieci. U 66/934 (7,06%) chłopców rozpoznano wady układu moczopłciowego. U 402 (20,2%) dzieci rozpoznano wadę postawy,z czego u 20 (1%) wady były utrwalone. Wnioski. Opieka pediatryczna w szkołach jest niezadowalająca. Najważniejszymi problemami zdrowotnymi u dzieci klas I–III są choroby alergiczne oraz wady postawy, na co wpływ mogą mieć czynniki środowiskowe. W celu poprawy stanu zdrowia dzieci konieczna jest edukacja prozdrowotna dzieci, a szczególnie rodziców
Background. Increase in civilization diseases prevalence has also been noticeable in children worldwide. Objectives. The aim of this study was to assess the health situation of Wroclaw’s children during the first three years of school education. Material and methods. The study included 1984 children (97.92%), 934 boys (47%) and 1050 girls (53%), who were attending 26 randomly selected public schools in Wrocław. The study was conducted in 2009–2011. 4000 questionnaires on past and current chronic diseases as well as developmental disturbances were given to legal guardians of children taking part in the project. Results. Genetic disorders and syndromes were present in 15 (0.75%) children, malformations of urinary system in 24 (1.2%), heart defects in 9 (0.45%), digestive system disease in 24 (1.2%), vision defects in 236 (11.8%), allergy in 597 (30.1%) and asthma in 33 (1.51%) participants. 15 (0.75%) children were treated due to endocrinological diseases. In 66/934 (7.06%) boys genital organs malformations were diagnosed. Stature defect was diagnosed in 402 (20.2%) examined, including 20 (1%) with fixed defects. Conclusions. Pediatric care provided in school is unsatisfactory. Allergy and stature defects dominated among all found disorders that could result from environmental factors. Effective education of healthy lifestyle should help to improve health status of school children.
Źródło:
Family Medicine & Primary Care Review; 2014, 1; 29-31
1734-3402
Pojawia się w:
Family Medicine & Primary Care Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies