Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zdunek, R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    The role of magnetic energy on plasma localization during the glow discharge under reduced pressure
    Autorzy:
    Chodun, R.
    Nowakowska-Langier, K.
    Zdunek, K.
    Okrasa, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/147975.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    glow discharge
    grounded magnetron
    magnetron sputtering
    Opis:
    In this work, we present the first results of our research on the synergy of fields, electric and magnetic, in the initiation and development of glow discharge under reduced pressure. In the two-electrode system under reduced pressure, the breakdown voltage characterizes a minimum energy input of the electric field to initiate and sustain the glow discharge. The glow discharge enhanced by the magnetic field applied just above the surface of the cathode influences the breakdown voltage decreasing its value. The idea of the experiment was to verify whether the contribution of potential energy of the magnetic field applied around the cathode is sufficiently effective to locate the plasma of glow discharge to the grounded cathode, which, in fact, is the part of a vacuum chamber wall (the anode is positively biased in this case). In our studies, we used the grounded magnetron unit with positively biased anode in order to achieve favorable conditions for the deposition of thin films on fibrous substrates such as fabrics for metallization, assuming that locally applied magnetic field can effectively locate plasma. The results of our studies (Paschen curve with the participation of the magnetic field) seem to confirm the validity of the research assumption. What is the most spectacular – the glow discharge was initiated between introduced into the chamber anode and the grounded cathode of magnetron ‘assisted’ by the magnetic field (discharge did not include the area of the anode, which is a part of the magnetron construction).
    Źródło:
    Nukleonika; 2016, 61, 2; 191-194
    0029-5922
    1508-5791
    Pojawia się w:
    Nukleonika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Structure and Electrical Resistivity Dependence of Molybdenum Thin Films Deposited by DC Modulated Pulsed Magnetron Sputtering
    Autorzy:
    Wicher, B.
    Chodun, R.
    Nowakowska-Langier, K.
    Okrasa, S.
    Król, K.
    Minikayev, R.
    Strzelecki, G.
    Zdunek, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/350987.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    magnetron sputtering
    modulated pulse magnetron sputtering
    plasma&films characterization
    Opis:
    This work reports the results of a study of Mo thin films synthesis by DC Pulsed Magnetron Sputtering method (PMS), operating at pulse main frequency of 100 kHz and modulated by the additional modulation frequency, driving in the range of 5-1000 Hz (modulated Pulse Magnetron Sputtering – mPMS). We have studied the influence of mPMS on plasma chemical reactions and mechanisms of layer growth using optical emission spectroscopy technique. Our experiment showed strong influence of mPMS method, on the morphology (scanning electron microscopy), phase composition (X-ray diffractometry) and electric properties (4-point probes method) of nanocrystalline and amorphous Mo films. From the utilitarian point of view, low value of resistivity – 43,2 μΩcm of synthesized Mo films predestines them as back contacts for thin solar cells CIGS. Our results revealed that additional modulation frequency should be considered as an important factor for optimization of films synthesis by means of PMS-based methods.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2018, 63, 3; 1339-1344
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
    The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
    Autorzy:
    Lenkiewicz, D.
    Strupiński, W.
    Zdunek, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Kościewicz, K.
    Wesołowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Opis:
    Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
    The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies