- Tytuł:
-
System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices - Autorzy:
-
Bisewski, D.
Zarębski, J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/152727.pdf
- Data publikacji:
- 2014
- Wydawca:
- Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
- Tematy:
-
parametry termiczne
rezystancja termiczna
przejściowa impedancja termiczna
półprzewodnikowe przyrządy mocy
thermal parameters
thermal resistance
transient thermal impedance
semiconductor power devices - Opis:
-
W pracy omówiono budowę i zasadę działania autorskiego systemu do automatycznego pomiaru parametrów termicznych, w tym czasowych przebiegów przejściowej impedancji termicznej oraz rezystancji termicznej półprzewodnikowych przyrządów mocy. W rozważanym systemie zaimplementowano popularną impulsową metodę pomiaru parametrów termicznych opartą na wykorzystaniu krzywej chłodzenia elementu półprzewodnikowego. Działanie systemu pomiarowego zilustrowano wynikami pomiarów parametrów termicznych wybranych półprzewodnikowych przyrządów mocy.
Generally, manufacturers of semiconductor devices do not provide in datasheets detailed information about thermal parameters of semiconductor devices, i.e. time waveform of junction-to-ambient transient thermal impedance or dependence of junction-to-ambient thermal resistance versus dissipated power. Therefore, the designers of electronic circuits do not have reliable information about thermal properties of semiconductor devices in the designed circuit [1 - 3]. The paper discusses the construction and operation of automatic measurement system of thermal parameters, including transient thermal impedance and thermal resistance of semiconductor power devices. Block diagram of the measurement system is shown in Fig. 1. In the measurement system, the popular Rubin and Oettinger [6] pulse method for measuring thermal parameters based on the cooling curve of semiconductor device, has been implemented. For reading and archiving the results of measurements, A/D and D/A converter USB-1608GX-2AO fabricated by Measurement Computing [5], has been used. Usefulness of the measuring system is illustrated by results of measurements of thermal parameters of silicon MOSFET (IRFR420A - International Rectifier), silicon carbide MESFET (CRF24010 - Cree) and silicon carbide Schottky diode (IDT06S60C - International Rectifier). As seen in Fig. 3, the thermal resistance junction-to-ambient strongly depends on semiconductor device dissipated power. For example, the thermal resistance of MOSFET decreases about 20% with increase of the dissipated power from 0.1 W to 1 W, at constant ambient temperature. It has been shown, that realization of such measurements allows to obtain more precise information about the thermal parameters of semiconductor devices in comparison to the device catalogue data. - Źródło:
-
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 12, 12; 1150-1153
0032-4140 - Pojawia się w:
- Pomiary Automatyka Kontrola
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł