Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Karczewski, J.K." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Magnetization Steps in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Observed in Coherent Transport
    Autorzy:
    Jaroszyński, J.
    Dietl, T.
    Wróbel, J.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Kossut, J.
    Maude, D. K.
    van der Linden, P.
    Portal, J. C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968114.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.15.Rn
    73.61.Ga
    73.20.Fz
    Opis:
    Magnetoconductance measurements on submicron wires of n$\text{}^{+}$-Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te were carried out up to 27 T and down to 100 mK. The inverse correlation field of the universal conductance fluctuations is found to increase abruptly in the vicinity of the magnetization steps due to Mn pairs in CdMnTe. No such effect is observed in similar wires of CdTe. These findings support a recent model, according to which the correlation field of the universal conductance fluctuations in magnetic systems is inversely proportional to the magnetic susceptibility of the localized spins.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 797-800
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Properties of ZnO and ZnCdO Nanowires
    Autorzy:
    Zaleszczyk, W.
    Fronc, K.
    Aleszkiewicz, M.
    Paszkowicz, W.
    Wróbel, J.
    Dłużewski, P.
    Kret, S.
    Klepka, M.
    Kłopotowski, Ł.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047698.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.67.Bf
    81.05.Dz
    81.07.Bc
    Opis:
    We report on the photoluminescence studies of ZnO and ZnCdO nanowires grown on SiO$\text{}_{2}$/Si substrates by low-pressure vapor phase synthesis. X-ray diffraction and transmission electron microscopy measurements show that the crystallographic structure of these ZnO and ZnCdO nanowires is of wurtzite-type with a high crystal perfection. Surface morphology of samples was determined by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. The photoluminescence spectra of as-grown nanowires, nanowires extracted from the substrate and deposited onto Si wafer, and nanowires dispersed in ethanol by sonication were investigated at room temperature and compared to each other. The temperature dependence of the near band-gap photoluminescence emitted by the as-grown nanowires was also measured and analyzed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 357-362
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanical and Electrical Properties, of ZnO-Nanowire/Si-Substrate Junctions Studied by Scanning Probe Microscopy
    Autorzy:
    Aleszkiewicz, M.
    Fronc, K.
    Wróbel, J.
    Klepka, M.
    Wojtowicz, T.
    Karczewski, G.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047440.pdf
    Data publikacji:
    2007-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.37.Ef
    68.37.Ps
    68.65.La
    73.21.Hb
    78.67.Lt
    Opis:
    Scanning tunneling spectroscopy was used to check the tunneling I-V characteristics of junctions formed by n-ZnO nanowires deposited on Si substrates with n- and p-type electrical conductivity (i.e. n-ZnO nanowire/n-Si and n-ZnO nanowire/p-Si junctions, respectively). Simultaneously, several phenomena which influence the measured I-V spectra were studied by atomic force microscopy. These influencing factors are: the deposition density of the nanowires, the possibility of surface modification by tip movement (difference in attraction forces between nanowires and the p-Si and n-Si) and the aging of the surface.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 255-260
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Photoluminescence Properties of ZnO Nanowires Grown on Ni Substrate
    Autorzy:
    Zaleszczyk, W.
    Fronc, K.
    Przeździecka, E.
    Janik, E.
    Czapkiewicz, M.
    Wróbel, J.
    Paszkowicz, W.
    Kłopotowski, Ł.
    Karczewski, G.
    Wojtowicz, T.
    Presz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812028.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Et
    78.67.Bf
    81.05.Dz
    81.07.Bc
    Opis:
    Photoluminescence studies of zinc oxide nanowires produced by a carbo-thermal method on a nickel foil substrate are reported. Two types of as-grown samples: the first - containing only buffer film, and the second - containing both zinc oxide nanowires and buffer film grown in the same technological process, were investigated by means of the temperature-dependent photoluminescence. X-ray diffraction measurements of buffer film show that it is polycrystalline and is composed from wurtzite-type ZnO (main phase) and includes minority phases: rock salt type (Ni,Zn)O and hexagonal C₃N₄. The shape of the apparently monocrystalline nanowires is characterized by hexagonal section matching with the expectations of the hexagonal ZnO structure. The presence of LO-phonon replicas in photoluminescence spectra for the second sample is used as an argument for confirmation that ZnO nanowires are single crystalline. The method of growth of ZnO nanowires on nickel oxide opens perspectives to produce $Zn_{1-x}Ni_{x}O$ diluted magnetic semiconductor nanowires.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1451-1456
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies