Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Witowski, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Spin-Lattice Relaxation of CdMnTe, Measured with a Pick-up Coil in a High Magnetic Field
Autorzy:
Strutz, T.
Witowski, A.
Wyder, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1927546.pdf
Data publikacji:
1991-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.-v
78.20.Ls
78.47.+p
Opis:
The spin-lattice relaxation (SLR) time of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te with x=0.008 is measured directly under electron spin resonance condition in a magnetic field of 8.9 T, using a pick-up coil. The SLR times are measured for different sample temperatures between 3.0K and 35K and compared with data of a more diluted sample with x=0.002. The SLR times are shorter than expected for single spin SLR. Moreover, the temperature dependence of the SLR time does not show any of the characteristic behaviours for single spin SLR. Thus, the observed SLR times are explained by cross relaxation of single spins with spin clusters.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 149-153
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structural and Electronic Properties of Graphene Oxide and Reduced Graphene Oxide Papers Prepared by High Pressure and High Temperature Treatment
Autorzy:
Tokarczyk, M.
Kowalski, G.
Witowski, A.
Koziński, R.
Librant, K.
Aksienionek, M.
Lipińska, L
Ciepielewski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1195411.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.48.Gh
61.72.Dd
63.22.Rc
Opis:
"Graphene paper" prepared by new proprietary method involving high pressure and high temperature treatment in the reduction process show new possibilities in this area. Different phase content: multilayer and single layer graphene stacks recorded in this study for RGO samples are accompanied by the specific electric and optical parameters. We have found that process temperatures above 900°C play crucial role in structural and other properties. For the process temperature around 2000°C we found the onset of the graphitization in the samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1190-1194
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Infrared Spectroscopy of GaAs Doped with Mn
Autorzy:
Rutkowska, A.
Wasik, D.
Witowski, A.
Sadowski, M.
Orłowski, W.
Strzelecka, G.
Hruban, A.
Kamińska, M.
Twardowski, A.
Potemski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2044531.pdf
Data publikacji:
2005-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ej
78.20.Ls
78.30.Fs
Opis:
We found that the fine structure related to Lyman spectra of [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] centers in GaAs was present only for samples with low Mn concentration. Such samples, at low temperature, did not show any hopping conductance within Mn impurity band. Magnetooptical measurements revealed that magnetic field induced splitting of the Lyman optical transitions was larger than Zeeman splitting observed for typical shallow acceptors in GaAs, like Be, Zn, and C. This experimental result proved that in the case of Mn acceptor impurity, the exchange coupling of a hole and the S = 5/2 Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) core could not be neglected, which was in accordance with the [Mn$\text{}^{2+}$(d$\text{}^{5}$) + a hole] model of the neutral Mn center in GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 5; 845-849
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies