Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Witkowski, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
The dynamics of wear of cutting inserts during turning of non-homogeneous material on the example of polymer concrete
Dynamika zużycia płytek skrawających podczas toczenia niejednorodnego materiału na przykładzie polimerobetonu
Autorzy:
Kępczak, N.
Rosik, R.
Pawłowski, W.
Sikora, M.
Witkowski, B.
Bechciński, G.
Stachurski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1365323.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
Tematy:
dynamic of wear
turning
polymer concrete
cast iron
surface roughness
cutting force
dynamika zużycia
toczenie
polimerobeton
odlew mineralny
chropowatość powierzchni
siły skrawania
Opis:
The article presents the results of studies on the dynamics of wear of five different cutting inserts (for machining difficult-to-cut materials, for finishing cast iron machining, for roughing cast iron machining, for steel machining and for stainless steel machining) during turning a non-homogeneous material such as polymer concrete. Polymer concrete is a difficult-to-cut, anisotropic, composite material. During the tests, a record of the components of the cutting force in real time was made. After each machining pass, the Ra and Rz surface roughness values were measured in the direction perpendicular to the machining marks and photos were taken under the microscope of the inserts corners, on the basis of which the width of major flank wear land and the width of minor flank wear land were measured. The view of each insert after the tests was also presented. Finally, the conclusions about the dynamics of wear of inserts taking part in the study as well as their applicability during polymer concrete turning were formulated.
W niniejszym artykule zaprezentowano wyniki badań dynamiki zużycia pięciu różnych płytek skrawających (do obróbki materiałów trudnoobrabialnych, do wykończeniowej obróbki żeliwa, do zgrubnej obróbki żeliwa, do obróbki stali oraz do obróbki stali nierdzewnej) podczas toczenia niejednorodnego materiału, jakim jest polimerobeton. Polimerobeton jest trudnoobrabialnym, anizotropowym materiałem kompozytowym. Podczas wykonywania badań dokonywany był zapis składowych siły skrawania w czasie rzeczywistym. Po wykonaniu każdego przejścia obróbczego zostały zmierzone wartości parametrów chropowatości Ra oraz Rz obrobionej powierzchni w kierunku prostopadłym do śladów obróbki oraz zostały wykonane zdjęcia pod mikroskopem naroży płytek, na podstawie których zmierzono zużycie głównej powierzchni przyłożenia oraz pomocniczej powierzchni przyłożenia. Zaprezentowano również wygląd każdej z płytek po przeprowadzonych badaniach. Na koniec sformułowano wnioski na temat dynamiki zużycia płytek biorących udział w badaniu, a także stosowalności ich podczas toczenia polimerobetonu.
Źródło:
Eksploatacja i Niezawodność; 2018, 20, 3; 478-483
1507-2711
Pojawia się w:
Eksploatacja i Niezawodność
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
Autorzy:
Snigurenko, D.
Kopalko, K.
Krajewski, T.
Łuka, G.
Gierałtowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Dybko, K.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
81.15.Gh
Opis:
Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO by ALD - Advantages of the Material Grown at Low Temperature
Autorzy:
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Krajewski, T.
Wachnicki, Ł.
Łuka, G.
Paszkowicz, W.
Domagała, J.
Przeździecka, E.
Łusakowska, E.
Witkowski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791286.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
72.80.Ey
Opis:
The 3D-architecture is a prospective way in miniaturization of electronic devices. However, this approach can be realized only if metal paths are placed not only at the top, but also beneath the electronic parts, which imposes drastic temperature limitations for the electronic device processing. Therefore last years a lot of investigations are focused on materials which can be grown at low temperature with electrical parameters appropriate for electronic applications. Zinc oxide grown by the atomic layer deposition method is one of the materials of choice. We obtained ZnO-ALD films at growth temperature range between 100°C and 200°C, and with controllable electrical parameters. Free carrier concentration was found to scale with deposition temperature, so it is possible to grow ZnO films with desired conductivity without any intentional doping. We used correlation of electrical and optical parameters to optimize the deposition process. Zinc oxide layers obtained in that way have free carrier concentration as low as $10^{16} cm^{-3}$ and high mobility ($10-50 cm^{2}$/(Vs)), which satisfies requirements for a material used in three-dimensional memories.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 814-817
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnCoO Films by Atomic Layer Deposition - Influence of a Growth Temperature οn Uniformity of Cobalt Distribution
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Sawicki, M.
Paszkowicz, W.
Łusakowska, E.
Jakieła, R.
Krajewski, T.
Kowalik, I.
Kowalski, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791350.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
We report on the structural, electrical and magnetic properties of ZnCoO thin films grown by atomic layer deposition method using reactive organic precursors of zinc and cobalt. As a zinc precursor we applied either dimethylzinc or diethylzinc and cobalt(II) acetyloacetonate as a cobalt precursor. The use of these precursors allowed us the significant reduction of a growth temperature to 300°C and below, which proved to be very important for the growth of uniform films of ZnCoO. Structural, electrical and magnetic properties of the obtained ZnCoO layers will be discussed based on the results of secondary ion mass spectroscopy, scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, Hall effect and SQUID investigations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 921-923
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
Autorzy:
Guziewicz, M.
Jung, W.
Grochowski, J.
Borysiewicz, M.
Golaszewska, K.
Kruszka, R.
Baranska, A.
Piotrowska, A.
Witkowski, B.
Domagala, J.
Gryzinski, M.
Tyminska, K.
Stonert, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Jc
29.40.-n
87.53.Bn
Opis:
Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies