Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Witkowski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Wpływ odpadowej stłuczki kineskopowej na wybrane właściwości zaprawy cementowej
    Influence of waste CRT cullet on some features of cement mortar
    Autorzy:
    Witkowski, B.
    Pietrzak, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2067871.pdf
    Data publikacji:
    2018
    Wydawca:
    Politechnika Częstochowska
    Tematy:
    zaprawa
    szkło
    cement
    recykling
    mortar
    glass
    ecology
    recycling
    Opis:
    Odpady szklane stanowią poważny problem ekologiczny na całym świecie. Szkło jako niebiodegradowalny materiał zajmuje ogromną część miejsca na wysypiskach, powodując poważne zanieczyszczenie środowiska. Najlepszym sposobem, aby przezwyciężyć ten negatywny wpływ na otaczający nas świat, jest ponowne wykorzystanie, przetworzenie – recykling. W artykule przedstawiono analizę wpływu dodatku stłuczki szklanej kineskopowej na właściwości zaprawy cementowej. Stłuczkę szklaną kineskopową dodano do zaprawy betonowej odpowiednio w ilości 3, 6, 9 i 12% masy cementu, ujmując cement i w ilości 3, 6, 9 i 12% masy cementu ujmując piasek. Przeprowadzone wstępne badania, przedstawione w niniejszej pracy, wskazują na możliwość zastosowania stłuczki szklanej do wytwarzania zapraw cementowych, gdyż uzyskane parametry wytrzymałościowe są porównywalne z serią kontrolną, w której nie użyto stłuczki szklanej kineskopowej.
    Glass waste is a serious problem for environment all over the world. Glass as a non–biodegradable material, takes enormous part of room on dumps, what causes seriously environment pollution. The best way to overcome the negative influence on environment is to recycling. In this article has shown the analysis of influence addition of CRT cullet on features of cement mortar. CRT cullet has added to a cement mortar in amount 3, 6, 9 and 12% of cement mass with cement subsrtaction and in amount 3, 6, 9 and 12% of cement mass with sand subsrtaction. Preliminary surveys that has shown in this article, exhibits possibilities of using CRT cullet in cement mortar production, as obtained results are comparable with control series without using CRT cullet.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe Politechniki Częstochowskiej. Budownictwo; 2018, 24 (174); 373-376
    0860-7214
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe Politechniki Częstochowskiej. Budownictwo
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Absorption Fine Structure Investigation of the Low Temperature Grown ZnCoO Films
    Autorzy:
    Wolska, A.
    Klepka, M.
    Witkowski, B.
    Witkowski, M.
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1431568.pdf
    Data publikacji:
    2012-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.70.Dm
    75.50.Pp
    68.55.-a
    Opis:
    ZnO based diluted magnetic semiconductors are intensively investigated for possible spintronic applications. In the present work we investigate the ZnCoO layers grown at low temperature by atomic layer deposition. The local atomic structure of a series of layers with different Co concentration is investigated by the X-ray absorption fine structure measurements. Two groups of ZnCoO layers are investigated - the ones with an uniform Co distribution and highly nonuniform films. For uniform samples we observe that a majority of Co atoms is built into the ZnO matrix substituting the Zn atoms. In contrast, for the nonuniform samples, metallic Co inclusions are also observed. These results are in strong correlation with the magnetic properties of the films studied separately. Samples with the uniform Co distribution (Co substitutes Zn in ZnO) are paramagnetic, whereas the nonuniform ones show a ferromagnetic response.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 4; 883-887
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    (Zn,Cu)O Films by Atomic Layer Deposition - Structural, Optical and Electric Properties
    Autorzy:
    Łukasiewicz, M.
    Witkowski, B.
    Wachnicki, Ł.
    Kopalko, K.
    Gierałtowska, S.
    Wittlin, A.
    Jaworski, M.
    Guziewicz, E.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492571.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.Ln
    68.55.Nq
    78.66.Hf
    81.15.Kk
    Opis:
    ZnCuO thin films have been deposited on silicon, glass and quartz substrates by atomic layer deposition method, using reactive organic precursors of zinc and copper. As zinc and copper precursors we applied diethylzinc and copper(II) acetyloacetonate. Structural, electrical and optical properties of the obtained ZnCuO layers are discussed based on the results of scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, the Hall effect and photoluminescence investigations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-034-A-036
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Jung, W.
    Grochowski, J.
    Borysiewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Kruszka, R.
    Baranska, A.
    Piotrowska, A.
    Witkowski, B.
    Domagala, J.
    Gryzinski, M.
    Tyminska, K.
    Stonert, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Jc
    29.40.-n
    87.53.Bn
    Opis:
    Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    RBS/Channeling Analysis of Zinc Oxide Films Grown at Low Temperature by Atomic Layer Deposition
    Autorzy:
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Guziewicz, E.
    Gierałtowska, S.
    Krajewski, T.
    Luka, G.
    Wachnicki, L.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400467.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.55.hf
    81.05.Dz
    81.15.Hi
    68.55.ag
    82.80.Yc
    61.85.+p
    Opis:
    The results of the Rutherford backscattering/channeling study of ZnO layers are presented. ZnO layers were deposited on the silicon single crystals and GaN epitaxial layers at low temperature by atomic layer deposition. Deposition temperature varied between 100 and 300°C. A random spectra analysis was performed to determine layer thickness and composition. In turn, analysis of the aligned spectra allows us to study evolution of ingrown defects. The Rutherford backscattering study supports the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurements, performed separately, that the ZnO-ALD layers deposited at low temperature contain a higher oxygen content. Composition measurements, performed as a function of growth temperature, show that oxygen content decreases with the increasing temperature of the atomic layer deposition growth process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 899-903
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Epitaxial ZnO Films Grown at Low Temperature for Novel Electronic Application
    Autorzy:
    Wachnicki, Ł.
    Dużyńska, A.
    Domagala, J.
    Witkowski, B.
    Krajewski, T.
    Przeździecka, E.
    Guziewicz, M.
    Wierzbicka, A.
    Kopalko, K.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492723.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Aa
    61.05.cp
    81.05.Dz
    Opis:
    Monocrystalline films of zinc oxide were grown at 300C by atomic layer deposition. ZnO layers were grown on various substrates like ZnO bulk crystal, GaN, SiC and $Al_2O_3$. Electrical properties of the films depend on structural quality. Structural quality, surface morphology and optical properties of ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence, respectively. High resolution X-ray diffraction spectra show that the rocking curve FWHM of the symmetrical 00.2 reflection equals to 0.058° and 0.009° for ZnO deposited on a gallium nitride template and a zinc oxide substrate, respectively. In low temperature photoluminescence sharp excitonic lines in the band-edge region with a FWHM equal to 4 meV, 5 meV and 6 meV, for zinc oxide deposited on gallium nitride, zinc oxide and sapphire substrate, respectively.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-007-A-010
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
    Autorzy:
    Krajewski, T.
    Luka, G.
    Smertenko, P.
    Zakrzewski, A.
    Dybko, K.
    Jakiela, R.
    Wachnicki, L.
    Gieraltowska, S.
    Witkowski, B.
    Godlewski, M.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.ag
    73.50.-h
    73.50.Bk
    73.61.Ga
    81.15.-z
    81.15.Gh
    Opis:
    The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies