Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Grodzicki, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Badanie drgań struny
Investigation of string vibration
Autorzy:
Grodzicki, M.
Wasielewski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/270944.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Centralny Ośrodek Badawczo-Rozwojowy Aparatury Badawczej i Dydaktycznej, COBRABiD
Tematy:
struna
drgania
analiza drgań
string
vibration
vibration analysis
Opis:
Niniejsza publikacja opisuje prosty zestaw dydaktyczno-pomiarowy zawierający drgającą strunę. Pozwala on na wprowadzenie studenta w świat drgań, ich rejestracji oraz analizy. Ponadto umożliwia pomiar gęstości materiału, z którego wykonana jest drgająca struna. Ideą przewodnią ćwiczenia jest płynne przejście od analizy ruchu drgającego do poznania właściwości fizycznych drgającego materiału (tu w postaci struny). Wykorzystanie współczesnych środków badawczych czynią proces poznawczy intuicyjnym i przyjaznym studentom. Autorzy prezentują stanowisko doświadczalne oraz ilustrują jego działanie wykonanymi pomiarami.
In this paper described is an educational kit containing a vibrating string. The simple model permits the student to enter the world of vibrations, to record and analyze the phenomena. It also allows measurement of the density of the material from which the vibrating string is made. The essence of the exercise is fluent transition from analyzing the oscillating motion to learning the physical properties of a vibrating material (the string) by using contemporary means and in the form intelligible for the student. The authors present the experimental stand and illustrate its performance with standard measurements.
Źródło:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna; 2012, 17, 1; 13-17
2392-1765
Pojawia się w:
Aparatura Badawcza i Dydaktyczna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Excess Silicon on 6H-SiC(0001) during Hydrogen Etching
Autorzy:
Grodzicki, M.
Wasielewski, R.
Surma, S.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807513.pdf
Data publikacji:
2009-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.65.Cf
81.15.Gh
72.80.Jc
79.60.Dp
68.37.Ps
Opis:
The surface of 6H-SiC(0001) samples was subjected to etching under $H_{2}$/Ar gas mixture in a cold-wall tubular furnace. Its topography and properties were characterized by atomic force microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy before and after hydrogen etching. The conditions have been found, under which surface polishing-related damages could be removed. Si droplets were observed under certain etching conditions. The effect of the samples' cooling rate on the obtained surface morphology and chemistry was investigated to unveil the mechanism of Si recrystallization onto the crystal surface upon etching.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-82-S-85
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electronic Properties of Structures Containing Films of Alq₃ and LiBr Deposited on Si(111) Crystal
Autorzy:
Sito, J.
Grodzicki, M.
Lament, K.
Wasielewski, R.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033793.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Pr
73.40.Ty
79.60.-i
Opis:
The electronic structures of Alq₃/Si(111) and Alq₃/LiBr/Si(111) interfaces are presented in this report. The studies were carried out in situ in ultrahigh vacuum by ultraviolet photoelectron spectroscopy. Alq₃ and LiBr layers were vapour deposited onto a single crystal of n-type Si(111). The energy level diagrams were prepared for the structures. The formation of the LiBr interfacial layer results in a decrease of the energy barrier at the interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 357-360
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ru/GaN(0001) Interface Properties
Autorzy:
Wasielewski, R.
Grodzicki, M.
Sito, J.
Lament, K.
Mazur, P.
Ciszewski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1033790.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.47.Fg
73.30.+y
82.80.Pv
Opis:
We report the results of our studies of ruthenium layer structures adsorbed on GaN(0001). Ruthenium was evaporated at room temperature under ultrahigh vacuum conditions onto n-type GaN substrates epitaxially grown on sapphire. While X-ray photoelectron spectroscopy confirmed the presence of Ru bonds in the deposited adlayers, the ultraviolet photoelectron spectroscopy show a peak at the Fermi level as well as lines originating from ruthenium. The height of the Schottky barrier was calculated based on the data measured by X-ray photoelectron spectroscopy and ultraviolet photoelectron spectroscopy and amounts to 1.5 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 354-357
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies