Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lisauskas, A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Dynamics of the Electric Field in a GaAs/AlGaAs Superlattice after Femtosecond Optical Excitation: Application of Time-Resolved Spectroscopic Techniques
Autorzy:
Lisauskas, A.
Blöser, C.
Sachs, R.
Roskos, H.
Juozapavičius, A.
Valušis, G.
Köhler, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1178281.pdf
Data publikacji:
2005-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.Sq
78.47.+p
Opis:
We apply time-resolved photocurrent and differential electroreflectance spectroscopy to study the evolution of the internal field in a GaAs/AlGaAs superlattice after pulsed optical excitation at low temperature. The electric field dynamics is investigated by tracing the spectral position of the Wannier-Stark transitions as a function of delay time. We determine the electron sweep-out time, extract detailed information about the picosecond-time-scale drift of the charge carriers by comparing the measured data with the results of semi-classical self-consistent model calculations, and evaluate the two experimental techniques with respect to their ability to provide information about the carrier and field dynamics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 250-255
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Strong Electric Field Driven Carrier Transport Non-Linearities in n-Type GaAs/AlGaAs Superlattices
Autorzy:
Subačius, L.
Venckevičius, R.
Kašalynas, I.
Seliuta, D.
Valušis, G.
Schmidt, J.
Lisauskas, A.
Roskos, H.
Alekseev, K.
Köhler, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505524.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.Cd
06.60.Jn
73.90.+f
Opis:
Nanosecond pulsed technique was used to study and discriminate strong electric field induced effects in carrier transport in silicon doped GaAs/$Al_{0.3}Ga_{0.7}As$ superlattices at room temperature. The experiment shows that the superlattice can serve as gain media to employ parametric phenomena for microwave amplification.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 167-169
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Broad Band THz Sensing by 2DEG Bow-Tie-Type Diodes
Autorzy:
Valušis, G.
Seliuta, D.
Tamošiūnas, V.
Širmulis, E.
Balakauskas, S.
Gradauskas, J.
Sužiedėlis, A.
Ašmontas, S.
Anbinderis, T.
Narkūnas, A.
Papsujeva, I.
Lisauskas, A.
Roskos, H. G.
Köhler, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041684.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.-h
85.30.De
72.30.+q
Opis:
We suggest a novel approach to detect broad band, 0.078-2.52 THz, electromagnetic radiation at room temperature using an asymmetrically-shaped bow-tie diode based on a modulation-doped GaAs/AlGaAs structure. We show that the voltage sensitivity in the range from 0.078 THz up to 0.8 THz has a plateau and its value is within 0.3-0.5 V/W. We consider the bow-tie diode design to increase the sensitivity of the device.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 184-187
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies