Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Trela, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Transformation of AlGaAs/GaAs Interface under Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Domagała, J.
    Trela, J.
    Leszczyński, M.
    Misiuk, A.
    Härtwig, J.
    Prieur, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945264.pdf
    Data publikacji:
    1996-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.40.-z
    65.70.+y
    Opis:
    AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates were investigated before and after high hydrostatic pressure (1.2 GPa) at high temperature (770 K) treatment (HP-HT treatment). An influence of HP-HT treatment on the properties of the AlGaAs/GaAs system was studied by lattice parameter measurements using the high resolution diffractometer and by X-ray topography. Observed changes in the lattice parameter of the AlGaAs layers after HP-HT treatment are related to the strain relaxation and explained by the creation of misfit dislocations and other extended defects which are visible on the topographs.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 3; 405-409
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial AlGaAs Layers Annealed under High Hydrostatic Pressure
    Autorzy:
    Bąk-Misiuk, J.
    Adamczewska, J.
    Misiuk, A.
    Regiński, K.
    Wierzchowski, W.
    Wieteska, K.
    Kozanecki, A.
    Kuritsyn, D.
    Glukhanyuk, W.
    Trela, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030644.pdf
    Data publikacji:
    2002-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.40.-z
    68.55.Ln
    Opis:
    The effect of treatment at up to 1270 K under hydrostatic argon pressure, up to 1.2 GPa, on strain relaxation of AlGaAs layers was investigated by X-ray diffraction and related methods. The 1.5μm thick AlGaAs layers were grown by molecular beam epitaxy method on 001 oriented semi-insulating GaAs substrate at 950 K. An increase in intensity of X-ray diffuse scattering, originating from hydrostatic pressure-induced misfit dislocations, was observed for all treated samples. For the samples treated at 920 K during 1 h under 0.6 GPa, the diffuse scattering was confined to the [110] crystallographic direction perpendicular to the direction of dislocations. For the samples treated at 1.2 GPa at the same temperature and time conditions as for 0.6G Pa, a different behaviour is observed, namely the diffuse scattering extends along all azimuthal directions, indicating that dislocations are created in both [110] and [¯110] directions. The change of strain after the treatment was most pronounced for the samples treated at 1.2 GPa for 1 h at 920 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 689-699
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies