Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Marczewski, W" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Terahertz Photovoltaic Response of Si-MOSFETs: Spin Related Effect
Autorzy:
Videlier, H.
Dyakonova, N.
Teppe, F.
Consejo, C.
Chenaud, B.
Knap, W.
Lusakowski, J.
Tomaszewski, D.
Marczewski, J.
Grabiec, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492958.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Tv
Opis:
We report on investigations of photovoltaic response of Si-MOSFETs subjected to terahertz radiation in high magnetic fields. Then a DC drain-to-source voltage is developed that shows singularities in magnetic fields corresponding to paramagnetic resonance conditions. These singularities are investigated as a function of incident frequency, temperature and two-dimensional carrier density. We tentatively attribute these resonances to spin transitions of the electrons bound to Si dopants and discuss the possible physical mechanism of the photovoltaic signal generation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 927-929
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
TSSOI as an efficient tool for diagnostics of SOI technology in Institute of Electron Technology
Autorzy:
Barański, M.
Domański, K.
Grabiec, P.
Grodner, M.
Jaroszewicz, B.
Kociubiński, A.
Kucewicz, W.
Kucharski, K.
Marczewski, J.
Niemiec, H.
Sapor, M.
Tomaszewski, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308825.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
SOI CMOS technology
pixel detector
test structure
Opis:
This paper reports a test structure for characterization of a new technology combining a standard CMOS process with pixel detector manufacturing technique. These processes are combined on a single thick-_lm SOI wafer. Preliminary results of the measurements performed on both MOS SOI transistors and dedicated SOI test structures are described in detail.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 85-93
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies