Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Szmidt, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Cryptanalysis of the FSR-255 hash function
    Autorzy:
    Kontak, M.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/206570.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
    Tematy:
    cryptography
    cryptanalysis
    FSR-255 hash function
    preimage attack
    second-preimage attack
    collision
    Opis:
    In this paper we analyse the security of the FSR-255 cryptographic hash function. As a result of our security analysis we present preimage and second-preimage attacks. The attacks base on practical reversibility of the compression function. The complexity of preimage attack is about 211 evaluations of the compression function. The second-preimage attack has the complexity equivalent to one time evaluation of the compression function. Both of the attacks have been practically realised.
    Źródło:
    Control and Cybernetics; 2014, 43, 2; 365-374
    0324-8569
    Pojawia się w:
    Control and Cybernetics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Nonlinearity of the round function
    Autorzy:
    Kontak, M.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1839189.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Badań Systemowych PAN
    Tematy:
    Boolean functions
    substitution boxes
    Walsh transform
    linear cryptanalysis
    TGR algorithm
    Opis:
    In the paper we present the results which enable to calculate the nonlinearity of the round function with quite large dimensions, e.g. 32 x 32 bits, which are used in some block ciphers. It can be used to estimate resistance of these ciphers against linear cryptanalysis. We give the application to linear cryptanalysis of the TGR block cipher.
    Źródło:
    Control and Cybernetics; 2007, 36, 4; 1037-1044
    0324-8569
    Pojawia się w:
    Control and Cybernetics
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Investigation on the Mechanisms of Nitrogen Shallow Implantation Influence on Trap Properties of $SiO_2$/n-Type 4H-SiC Interface
    Autorzy:
    Król, K.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1363825.pdf
    Data publikacji:
    2014-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Qv
    68.55.ag
    72.20.-i
    72.25.-b
    Opis:
    Silicon carbide (SiC) is the only wide-bandgap semiconductor capable of forming native dielectric layer of $SiO_2$ by thermal oxidation. This unique property of SiC combined with its high thermal conductivity and high critical field makes this semiconductor material suitable for high power electronic devices. Unfortunately, the state-of-the art technology does not use the full benefits of the material, especially in the case of MOSFET transistors. This is caused by insufficient electrical parameters of $SiO_2$/SiC interface. Two-component structure of the material and its high density result in high level of interface traps reducing the surface mobility and thus increasing series resistance of the device. One of the proposed methods of reducing the trap density in SiC MOS structure is a shallow nitrogen implantation prior to oxidation. This technique is based on the observation that introducing nitrogen into the $SiO_2$/SiC system results in significant reduction of trap states density and increase of the channel effective mobility. The shallow implantation technique has been reported to be as much effective as nitric oxide annealing which is one of the most effective techniques for oxide quality improvement in case of SiC. Unlike the diffusion based techniques, like postoxidation annealing, implantation of the nitrogen prior oxidation has the possibility of nitrogen concentration control near the oxide interface during oxidation process itself. This property is important since it was shown that the improvement degree is directly proportional to amount of nitrogen built in the vicinity of $SiO_2$/SiC interface during oxidation. However, previous investigations about this technique were inconclusive about the influence of implantation parameters and process conditions on observed effects. Both improvement and deterioration of interface quality was observed by different researchers. This behavior was never explained clearly. The primary objective of this research is to analyze the impact of implantation conditions on electrical properties of $SiO_2$/SiC MOS structure. This analysis is used to evaluate a hypothetical description of physical phenomena during oxidation of shallowly implanted substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1033-1037
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Phosphorus Incorporation into $SiO_2$/4H-SiC (0001) Interface on Electrophysical Properties of MOS Structure
    Autorzy:
    Król, K.
    Konarski, P.
    Miśnik, M.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1376053.pdf
    Data publikacji:
    2014-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.16.Pr
    77.84.Bw
    77.55.Dj
    Opis:
    This paper describes the influence of phosphorus incorporation into $SiO_2$/4H-SiC system. The main scope is an analysis of the slow responding trap states (near interface traps) since the influence of phosphorus technology on fast traps has already been investigated by numerous research groups. Two different phosphorus incorporation methods were incorporated - the diffusion-based process of $POCl_3$ annealing and ion implantation. We have shown that regardless of method used a new distinct near interface trap center can be found located approximately at $E_{V}$ + 3.0 eV. This trap can be related to the incorporated phosphorus amount as shown through secondary ion mass spectroscopy measurements.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1100-1103
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of the deposition process parameters on electronic properties of BN films obtained by means of RF PACVD
    Autorzy:
    Firek, P.
    Werbowy, A.
    Szmidt, J.
    Kwietniewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/308653.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    III-nitrides
    thin BN films
    electronic properties
    RF PACVD
    Opis:
    This work presents results of investigations of electronic properties of undoped boron nitride (BN) films produced on Si substrates in the course of radio frequency (rf) PACVD process with boron triethyl (C2H5)3B as the boron source. The influence of the deposition process parameters on thickness and electronic properties (resistivity r, dielectric strength EBR) of BN films based on ellipsometry and I-V curve measurements at room temperature is studied. The obtained results show that proper selection of deposition process parameters allows BN layers with the required thickness and advantageous values of r and EBR to be fabricated. BN becomes therefore an interesting material for microelectronics applications.
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 33-36
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electronic properties of thin niobium doped barium titanate films
    Właściwości elektryczne cienkich warstw tytanianu baru domieszkowanego niobem
    Autorzy:
    Firek, P.
    Ćwil, M.
    Werbowy, A.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192411.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    BaTiO3
    cienka warstwa
    thin films
    Opis:
    This work presents results of investigations of barium titanate thin films with Nb2O5 admixture, deposited on Si substrates by means of Radio Frequency Plasma Sputtering (RF PS) of sintered BaTiO3 + Nb2O5 target. Round, aluminum (Al) electrodes were evaporated on the top of deposited layers. Thus, metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were created with BaTiO3 thin films playing the role of the insulator. They enabled subsequent electrical characterization (current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements) of studied material. This allowed extraction of several electronic parameters (e.g. εn, ρ, VFB ΔVH). Films composition were additionally studied using secondary ion mass spectroscopy (SIMS) techniques.
    W pracy prezentowane są wyniki badań dotyczące cienkich warstw tytanianu baru (BaTiO3) z domieszką Nb2O5. Powłoki zostały osadzone metodą rozpylania targetu w plazmie o częstotliwości radiowej (Radio Freąuency Plasma Sputtering - RF PS), a następnie poprzez próżniowe naparowanie elektrod aluminiowych na powierzchnie BaTiO3, zostały wytworzone struktury metal-dielektryk-półprzewodnik (MIS). Pozwoliło to na charakteryzacje elektryczną (pomiary prądowo-napięciowe (I-V) i pojemnościowo-napięciowe (C-V)) kondensatorów, gdzie warstwa tytanianu baru występowała jako dielektryk. Wyznaczone zostały parametry takie jak: εn, ρ, VFB, ΔVH, . Ponadto zmierzono profil warstwy przy użyciu spektroskopii mas jonów wtórnych (secondary ion mass spectroscopy - SIMS).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 110-116
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Depth Profile Analysis of Phosphorus Implanted SiC Structures
    Autorzy:
    Konarski, P.
    Król, K.
    Miśnik, M.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Turek, M.
    Żuk, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402214.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.49.Sf
    68.55.Ln
    82.80.Ms
    85.40.Ry
    Opis:
    Secondary ion mass spectrometry depth profile analyses were performed on two sets of 4H-SiC(0001) substrate samples implanted with phosphorus. Both sets were processed under the same conditions. We implanted the samples with 100 keV (10¹¹-10¹⁴ cm¯²) phosphorus ions through the thin chemical vapor deposition deposited silicon dioxide stopping mask in order to obtain an ultra-shallow implantation profile. After phosphorus implantation, secondary ion mass spectrometry depth profile analysis was performed on the first set of samples and the second set was subjected to thermal oxidation procedure at 1200°C in order to create a dielectric layer. The aim of the oxidation process was formation of the silicon dioxide layer enriched with phosphorus: the element, which is considered to be suitable for trap density reduction. Ion implantation parameters as well as oxidation and chemical etching procedures were examined for the proper incorporation of phosphorus into the subsurface structure of the silicon oxide. Secondary ion mass spectrometry depth profile analysis was performed with Physical Electronics 06-350E sputter ion gun and QMA-410 Balzers quadrupole mass analyser. The analytical parameters such as: 1.7 keV Ar⁺ ion beam digitally scanned over 3×3 mm² area and ion erosion rate of 1.4 nm/min and sampling rate of 0.3 nm, were suitable for samples oxidized after ion implantation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 864-866
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
    Autorzy:
    Taube, A.
    Sochacki, M.
    Szmidt, J.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    gallium nitride
    MOS-HEMT
    high electron mobility
    transistor
    AlGaN
    GaN
    simulation
    Opis:
    The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
    Źródło:
    International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
    2300-1933
    Pojawia się w:
    International Journal of Electronics and Telecommunications
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
    The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
    Autorzy:
    Caban, P.
    Kościewicz, K.
    Strupiński, W.
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    LP MOVPE
    GaN
    4H-SiC
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
    The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Gain prediction theory of single foil gas electron multiplier detector
    Teoria wzmocnienia jednofoliowego detektora z gazowym powielaniem elektronów
    Autorzy:
    Domański, G.
    Szabatin, R.
    Kalenik, J.
    Jaworski, A.
    Wróblewski, P.
    Smolik, W.
    Kurjata, R.
    Konarzewski, B.
    Dziewiecki, M.
    Marzec, J.
    Zaremba, K.
    Ziembicki, M.
    Rychter, A.
    Kryszyn, J.
    Brzeski, P.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/408074.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
    Tematy:
    Gas Electron Multiplier
    ionizing radiation detector
    detektor z gazowym powielaniem elektronów
    detektor promieniowania
    Opis:
    Gain prediction theory of single foil Gas Electron Multiplier detector was developed. Gas electron multiplier (GEM) detector with single foil was developed. Soft X-ray spectra with an energy of 5.9 keV emitted by the isotope Fe-55 were measured. On this basis, the dependence of gain and energy resolution from the detector voltage was determined. The simple theory of gain dependence on various detector parameters was developed. Preliminary results of the study confirmed the potential usefulness of the GEM detector as a substitute for the multiwire proportional chamber.
    Opracowano teorię wzmocnienia jednofoliowego detektora z gazowym powielaniem elektronów. Opracowano detektor z gazowym powielaniem elektronów z pojedynczą folią. Zmierzono widmo miękkiego promieniowania X, o energii 5,9 keV, emitowanego przez izotop Fe-55. Na tej podstawie wyznaczono zależność wzmocnienia i energetycznej zdolności rozdzielczej od napięcia zasilającego detektor. Opracowano prosta teorią zależności wzmocnienia od różnych parametrów detektora. Wstępne rezultaty badań potwierdzają potencjalną przydatność detektora GEM jako substytutu wielodrutowej komory proporcjonalnej.
    Źródło:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2017, 7, 1; 130-132
    2083-0157
    2391-6761
    Pojawia się w:
    Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies