Temat: 61.72.Yx - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Defect Structure of Pressure Treated Czochralski Grown Silicon Investigated by X-Ray Topography and Diffractometry
Autorzy:: Misiuk, A.
Härtwig, J.
Prieur, E.
Ohler, M.
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Surma, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1964154.pdf
Data publikacji:: 1997-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Yx
81.40.Vw
61.10.-i
Opis:: The defect structure of Czochralski grown silicon single crystals annealed at 870-1400 K under hydrostatic pressure up to 1 GPa was investigated by conventional and synchrotron radiation X-ray topography and by reciprocal space mapping. Hydrostatic pressure promotes oxygen precipitation from oversaturated Si-O solid solution and the creation of structural defects.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 987-991
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Oxygen Precipitation in Si:O Annealed under High Hydrostatic Pressure
Autorzy:: Misiuk, A.
Bąk-Misiuk, J.
Bryja, L.
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Jun, J.
Surma, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2030659.pdf
Data publikacji:: 2002-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.10.-i
61.72.Yx
81.40.Vw
Opis:: Effect of hydrostatic pressure up to 1.2 GPa on oxygen-implanted silicon, Si:O (O$\text{}^{+}$ dose, D, within the 6×10$\text{}^{17}$-2×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-2}$ range), treated at 1230-1570 K, was investigated by X-ray, transmission electron microscopy and photoluminescence methods. The pressure treatment affects oxygen precipitation and defect creation, especially in low oxygen dose implanted Si:O (D=6×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-2}$). Such investigation helps in understanding the stress related phenomena in Si wafers with buried insulating layer.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 719-727
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja