Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dmochowski, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
High Pressure Far-Infrared Magnetooptical Studies of Sn and S Donors in GaAs
Autorzy:
Dmochowski, J. E.
Wang, P. D.
Stradling, R. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888152.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:
The diamond anvil cell technique is applied for magneto-optical far-infrared transmission experiments with LPE grown GaAs:Sn. The 1s-2p(+) intra-shallow-Γ-donor transition is investigated as a function of high hydrostatic pressure for Sn and residual S donors. Both donors are shallow up to 30 kbar. Above this pressure both donors become deep and shallow donor absorption is persistently bleached due to deep non-metastable (non DX-like) states of the donors entering the gap of GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 279-282
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Induced Shallow-Deep A$\text{}_{1}$ Transition for Sn Donor in GaAs Observed in Diamond Anvil Cell Photoluminescence Experiment
Autorzy:
Dmochowski, J. E.
Stradling, R. A.
Sly, J.
Dunstan, D. J.
Prins, A. D.
Adams, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876148.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Variable-pressure Dunstan-type diamond anvil high pressure cell and a low temperature photoluminescence technique are used to observe the shallow-deep A$\text{}_{1}$ transition for Sn donors in highly Sn doped n-type (≈ 10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$) GaAs. Fermi level pinning to the position of the deep Sn donor state entering the gap close to 30 kbar pressure is observed. Drastic narrowing of the near-band-edge luminescence is observed in the transition region. The deep-donor pressure coefficient of 2 meV/kbar with respect to the valence band is deduced from the energy position of the deep donor-acceptor transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 457-460
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies