Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Dobrowolski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Magnetic Properties of EuS/PbS Semiconducting Structures
    Autorzy:
    Stachow-Wójcik, A.
    Twardowski, A.
    Story, T.
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Sipatow, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968421.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    Opis:
    We report results of magnetization study of EuS/PbS superstructures with different thicknesses of magnetic and nonmagnetic layers. Reduction of ferromagnetic phase transition temperature was found with decreasing EuS thickness. Reasonable description of this effect is obtained within the model based on the mean field approximation.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 985-988
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fermi Level Position in GaMnAs - a Thermoelectric Study
    Autorzy:
    Osinniy, V.
    Jędrzejczak, A.
    Arciszewska, M.
    Dobrowolski, W.
    Story, T.
    Sadowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2027483.pdf
    Data publikacji:
    2001-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    73.50.-h
    Opis:
    Thermoelectric power was studied in the temperature range 100≤ T≤300 K in 0.3-1μm thick ferromagnetic Ga$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$As epitaxial layers (0.015≤ x≤0.06) in order to determine Fermi energy E$\text{}_{F}$ and carrier concentration p. For 0.015≤ x≤0.05, at T=273 K we find E$\text{}_{F}$=275±50 meV and p=(2.5± 0.5)×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ (approximately Mn content independent). For x= 0.06, the Fermi energy decreases by about 100 meV with the corresponding reduction of hole concentration to p=1.2×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$. At T=120 K, these parameters vary between E$\text{}_{F}$=380 meV and p=3.5×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ for x=0.015 to E$\text{}_{F}$=110 meV and p=5×10$\text{}^{19}$ cm$\text{}^{-3}$ for x=0.06.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 327-334
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetotransport Study of MBE grown Pb$\text{}_{1-x}$Eu$\text{}_{x}$Se Epilayers
    Autorzy:
    Dobrowolski, W.
    Grodzicka, E.
    Story, T.
    Lambrecht, A.
    Bottner, H.
    Tacke, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1950743.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Le
    73.50.Jt
    Opis:
    Hall effect and electron conductivity investigations of MBE grown epilayers of Pb$\text{}_{1-x}$Eu$\text{}_{x}$Se (0 ≤ x ≤ 0.06) as a function of temperature and magnetic field are reported. The strong Hall coefficient dependence on the magnetic field was found for p-type samples grown with Se excess. The possible origins of this effect are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 759-762
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Electrical, Magnetic, and Structural Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy
    Autorzy:
    Nadolny, A. J.
    Sadowski, J.
    Story, T.
    Dobrowolski, W.
    Arciszewska, M.
    Świątek, K.
    Kachniarz, J.
    Adamczewska, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992036.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    68.55.-a
    Opis:
    Layers of Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x ≤ 0.1) with thickness 0.2-2 μm were grown by molecular beam epitaxy on BaF$\text{}_{2}$ substrates with a 0.01-1 μm thick SnTe buffer layer. Both SnTe and Sn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te layers show metallic p-type conductivity with conducting hole concentrations (at T=77 K) p$\text{}_{77}$=7×10$\text{}^{19}$ -2×10$\text{}^{21}$ cm$\text{}^{-3}$. The layers grown under the conditions of an extra Te flux have a high carrier concentration and exhibit ferromagnetic phase transition at T$\text{}_{C}$ ≤ 7 K. The layers grown with no (or very low) additional Te flux show low carrier concentrations (below 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$) and remain paramagnetic in the temperature range studied T=4.5÷70 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 449-453
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport and Magnetic Properties of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Doped with Cr and Mo
    Autorzy:
    Artamkin, A. I.
    Kozhanov, A. E.
    Arciszewska, M.
    Dobrowolski, W. D.
    Story, T.
    Slynko, E. I.
    Slynko, V. E.
    Khokhlov, D. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038231.pdf
    Data publikacji:
    2004-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.28.+d
    Opis:
    Transport and magnetic properties of Pb$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x<0.18) semiconductor alloys doped with Cr or Mo are investigated in a broad range of temperatures and magnetic fields. In PbMnTe(Cr) alloys the Fermi level may be pinned either in the conduction band or in the energy gap, depending on Mn concentration. In PbMnTe(Mo) alloys the pinning of the Fermi level is observed in the valence band as well as in the energy gap. In the latter case persistent photoconductivity is observed at low temperatures. The analysis of the temperature dependence of magnetic susceptibility shows that PbMnTe alloys doped with Cr or Mo are Curie-Weiss paramagnets revealing weak antiferromagnetic interactions between magnetic ions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 223-231
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic Properties of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te (0.002 ≤ x ≤ 0.09)
    Autorzy:
    Story, T.
    Arciszewska, M.
    Dobrowolski, W.
    Gołacki, Z.
    Górska, M.
    Grodzicka, E.
    Łusakowski, A.
    Dynowska, E.
    Witkowska, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952098.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Magnetic, transport and structural properties of bulk crystals of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te with Gd content 0.002 < x < 0.09 and varying carrier concentrations obtained by an isothermal annealing were studied in the temperature range T = 1.5 - 80 K. We found the effect of resonant increase in antiferromagnetic spin-spin exchange interactions in the crystals with 0.025 ≤ x ≤ 0.05. No effect was found in crystals either with higher (x > 0.05) or with lower (x < 0.025) Gd concentration. The observed Gd composition dependence of the magnetic and transport properties of SnGdTe can be explained in a proposed model relating these experimental properties to the Gd composition induced shift of the position of Gd$\text{}^{3+}\text{}^{/}\text{}^{2+}$ level with respect to the top of the valence band of SnGdTe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 935-938
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport and Magnetic Study of Gd Ions in Pb$\text{}_{1-y}$Sn$\text{}_{y}$Te
    Autorzy:
    Story, T.
    Arciszewska, M.
    Łazarczyk, P.
    Łusakowski, A.
    Górska, M.
    Dobrowolski, W.
    Witkowska, B.
    Grodzicka, E.
    Gałązka, R. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968424.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Electric conductivity, Hall effect and magnetic susceptibility of Pb$\text{}_{1-x-y}$ Sn$\text{}_{y}$Gd$\text{}_{x}$Te mixed crystals with 0.13 ≤ y ≤ 0.93 and 0.001 ≤ x ≤ 0.04 were experimentally studied over the temperature range 4K ≤ T ≤ 300 K. The incorporation of Gd ions into the Pb$\text{}_{1-y}$Sn$\text{}_{y}$Te matrix results in semi-metallic n-type conductivity of the crystals with y < 0.6. For crystals with y > 0.6 one observes only semi-metallic p-type conductivity. We present a model explaining these results in terms of the Sn composition dependence of the location of Gd$\text{}^{2+}\text{}^{/}\text{}^{3+}$ level with respect to the band edges of PbSnGdTe.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 997-1000
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic Anisotropy in Eus-pbs Multilayers
    Autorzy:
    Story, T.
    Swüste, C. H. W.
    Swagten, H. J. M.
    de Jonge, W. J. M.
    Stachow-Wójcik, A.
    Twardowski, A.
    Arciszewska, M.
    Dobrowolski, W.
    Gałązka, R. R.
    Sipatov, A. Yu.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2013042.pdf
    Data publikacji:
    2000-03
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    75.70.Ak
    Opis:
    We present the results of ferromagnetic resonance studies of the thickness dependence of magnetic anisotropy in 2 series of EuS-PbS multilayers grown on (111) BaF$\text{}_{2}$ and (100) KCl substrates with the EuS thickness varying in the range d=6-70 Å. The anisotropy constant K was found to follow the dependence K(d)=K$\text{}_{V}$+2K$\text{}_{S}$/d , with the surface term K$\text{}_{S}$ larger for layers grown on BaF$\text{}_{2}$ as compared to KCl. This difference is discussed in terms of different thermal stress-induced distortions of cubic crystal lattice of EuS. We found that the thickness of EuS layer required for the perpendicular (to the layer) magnetization is d ≤ 2-3 Å, i.e., it is below 1 monolayer.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 3; 435-438
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    (Eu,Gd)Te - MBE Growth and Characterization
    Autorzy:
    Dziawa, P.
    Taliashvili, B.
    Domuchowski, W.
    Łusakowska, E.
    Arciszewska, M.
    Demchenko, I.
    Dobrowolski, W.
    Dybko, K.
    Fedorych, O. M.
    Nadolny, A. J.
    Osinniy, V.
    Petrouchyk, A.
    Story, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038228.pdf
    Data publikacji:
    2004-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Pp
    81.15.Hi
    Opis:
    Monocrystalline thin layers of (Eu,Gd)Te, n-type ferromagnetic semiconductor, were grown by molecular beam epitaxy technique on BaF$\text{}_{2}$ (111) substrates. Reflection high-energy electron diffraction, X-ray diffraction, and atomic force microscopy characterization proved epitaxial mode of growth and high crystal quality of the layers. Magnetic susceptibility and magnetic resonance measurements showed that in (Eu,Gd)Te layers ferromagnetic transition takes place at about 13 K. Electrical characterization carried out by the Hall effect and resistivity measurements revealed very high electron concentration of 10$\text{}^{20}$~cm$\text{}^{-3}$ and sharp maximum of resistivity at transition temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 215-221
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ferromagnetism of Narrow-Gap $Ge_{1-x-y}Sn_xMn_yTe$ and Layered $In_{1-x}Mn_xSe$ Semiconductors
    Autorzy:
    Lashkarev, G.
    Sichkovskyi, V.
    Radchenko, M.
    Dmitriev, A.
    Slyn'ko, V.
    Slyn'ko, E.
    Kovalyuk, Z.
    Butorin, P.
    Knoff, W.
    Story, T.
    Szymczak, R.
    Jakieła, R.
    Aleshkevych, P.
    Dobrowolski, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811955.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.My
    75.50.Pp
    75.30.Et
    77.80.Bh
    Opis:
    Magnetic susceptibility, Hall effect and resistivity of narrow-gap $Ge_{1-x-y}Sn_xMn_yTe$ single crystals (x = 0.083÷0.115; y = 0.025÷0.124) were investigated in the temperature range 4.2-300 K revealing a ferromagnetic ordering at $T_C$ ≈ 50 K. Temperature dependence of magnetization indicates a superparamagnetic phase with magnetic clusters arranging in a spin glass state below the freezing temperature $T_f$. Magnetic structure of InSe ⟨Mn⟩ 2D-ferromagnetic single crystals was studied by SQUID magnetometry, neutron diffraction, secondary ion mass spectroscopy, and wave dispersive spectra. Hysteresis loops of magnetization were observed at least up to 350 K. The cluster model of ferromagnetism is considered. The formation of self-assembled superlattice ferromagnetic InSe:Mn/antiferromagnetic MnSe during growth process and further annealing was established.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1219-1227
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies