Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Anderson, J. R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
High Field Magnetization of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te
Autorzy:
Górska, M.
Anderson, J. R.
Wolters, C.
Łusakowski, A.
Story, T.
Gołacki, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969093.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.Ck
75.30.Et
Opis:
The magnetization of p-type Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te with x up to 0.045 and the hole concentration, p, varying from 2.7 to 8.3×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ has been measured in magnetic fields up to 27 T, at the temperatures 4.2 and 1.3 K. The data were fitted to a magnetization equation with single-ion and pair terms. From comparison of the exchange parameters determined from the high-field magnetization with those previously obtained from the high-temperature magnetic susceptibility it was found that in samples with p>5×10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$ the exchange was of a short-range type, while in samples with a lower carrier concentration the long-range exchange mechanism was observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 347-350
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Properties of Epitaxial (Ge,Mn)Te Thin Films with Varying Crystal Stoichiometry
Autorzy:
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dybko, K.
Dziawa, P.
Górska, M.
Jakieła, R.
Łusakowska, E.
Taliashvili, B.
Story, T.
Reszka, A.
Anderson, J.
Rotundu, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811940.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
Opis:
Magnetization of 1 μm thick ferromagnetic IV-VI (Ge, Mn)Te semiconductor layers with 10 at.% of Mn was studied by SQUID magnetometry method up to the magnetic fields of 70 kOe. The layers were grown on BaF₂ (111) substrates by molecular beam epitaxy with varying Te molecular flux, which permitted the control of layer stoichiometry and conducting hole concentration. X-ray diffraction and in situ electron diffraction characterization of layer growth and crystal structure revealed two-dimensional mode of growth and monocrystalline rhombohedral crystal structure of (Ge, Mn)Te layers. Controlling the layer stoichiometry influences the temperature dependence of magnetization with the ferromagnetic Curie temperature varying in $Ge_{0.9}Mn_{0.1}Te$ layers from $T_c$=30 K (low Te flux) to $T_c$=42 K (high Te flux).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1159-1165
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies