Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "ogniwo słoneczne" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Influence of material properties on parameters of silicon solar cells
Wpływ właściwości materiałowych na parametry eksploatacyjne krzemowych ogniw słonecznych
Autorzy:
Swatowska, B.
Stapiński, T.
Całko, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192308.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
ogniwo słoneczne
ARC
silicon solar cell
Opis:
Multicrystalline and monocrystalline silicon solar cells are the most popular for commercial applications. Numerous material parameters could affect solar cell performance. The application of antireflective coatings of amorphous silicon based alloys can increase device efficiency. Such coatings due to tunable energy gap and refractive index and non-expensive fabrication method - Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition at 13.56 MHz are good candidates for large scale application. The authors presented the influence of material properties of bulk cell on solar cell efficiency by the use of computer PC-ID simulation program, which solves the fully coupled nonlinear equations for the quasi-one-dimensional transport of electrons and holes in crystalline devices, with emphasis on photovoltaic devices. The temperature, series and shunt resistance, recombination velocity and wafer thickness have the influence on current--voltage photo-characteristics of solar cells and their efficiency. Also the influence of thickness, reflective coefficient and refractive index of antireflective coatings on solar cells performance was examined. The optimal parameters of efficient solar cell were determined.
Światowa produkcja ogniw słonecznych opiera się przede wszystkim na krzemie mono- i multikrystalicznym. Właściwości materiałowe istotnie wpływają na jakość, a przede wszystkim na ich parametry użytkowe. Wydatny wzrost sprawności ogniw można uzyskać poprzez zastosowanie warstw ARC. Tego typu powłoki, z możliwością optymalizacji współczynnika załamania oraz przerwy optycznej, można otrzymywać metodami Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej (RFCVD - Radio Frequency Chemical Vapour Depositiori). Autorzy zbadali wpływ właściwości materiałowych na sprawność ogniw korzystając z metody numerycznej - program PC-1D. Program umożliwia wyznaczenie końcowych parametrów ogniw z uwzględnieniem zarówno stałych materiałowych podłoża, jak i elementów modyfikujących to ogniwo. Na kształt charakterystyki prądowo-napięciowej I-V (model dwudiodowy) i sprawność ogniwa mają wpływ: temperatura, rezystancja szeregowa i zwierająca, szybkość rekombinacji oraz grubość podłoża. W przypadku warstw antyrefleksyjnych, decydujące są: grubość, współczynnik załamania oraz współczynnik odbicia. Program symulacyjny pozwolił określić optymalne parametry wydajnych ogniw słonecznych na bazie krzemu, z uwzględnieniem bardzo istotnego wpływu warstw ARC.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 114-123
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The main properties of amorphous antireflective coating for silicon solar cells
Najważniejsze właściwości amorficznych warstw antyrefleksyjnych (ARC) do zastosowań w krzemowych ogniwach słonecznych
Autorzy:
Swatowska, B.
Stapiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192020.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
warstwa antyrefleksyjna
krzemowe ogniwo słoneczne
antireflective coating
silicon solar cells
Opis:
Modification of solar cells by the use of antireflective coating (ARC) is very important for their final properties. Last time more frequently hydrogenated amorphous materials, for example silicon-nitrogen (a-Si:N:H) and silicon-carbon (a-Si:C:H), were applied as ARC on silicon solar cells. The authors developed the Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Method (RF PECVD) for preparation this films for potential optoelectronic applications. To obtain a-Si:N:H and a-Si:C:H films the gaseous mixtures SiH4+CH4 and SiH4+NH3 were used. On base of optical and structural research the main properties of amorphous films like: refractive index, reflection coefficient, thickness and hydrogen bondings content were found. Film structure was determined by the use Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) and morphology was determined using a Scanning Electron Microscopy (SEM). The silicon substrates for solar cell constructions with discussed ARC revealed a considerable decrease in reflection coefficient. The results indicated that a-Si:N:H and a-Si:C: H are promising materials for improvement of solar cells efficiency.
Modyfikowanie ogniw słonecznych z użyciem warstw antyrefleksyjnych (ARC - antireflective coating) jest bardzo ważnym procesem w aspekcie ich finalnych właściwości. W ostatnich latach coraz częściej stosuje się jako pokrycia antyrefleksyjne amorficzne warstwy uwodornione, np. warstwy a-Si:C:H lub a-Si:N:H. Do wytwarzania takich warstw autorzy wybrali metodę Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej, wspomaganego falami radiowymi (RFCYD - Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Yapour Deposition). W procesie otrzymywania warstw a-Si:C:H i a-Si:N:H zastosowano następujące mieszaniny gazowe: SiH4+CH4 oraz SiH4+NH3. Na podstawie optycznych i strukturalnych badań określono najważniejsze właściwości warstw antyrefleksyjnych: współczynnik załamania, współczynnik odbicia, grubość oraz rodzaj i koncentrację wiązań wodorowych. Struktura warstw była badana przy użyciu metody spektroskopii w podczerwieni (FTIR), a morfologia - mikroskopii skaningowej (SEM). Podłoża krzemowe do ogniw słonecznych, pokryte takimi warstwami, cechuje znaczna redukcja wartości współczynnika odbicia. Analiza charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych, zmodyfikowanych warstwami ARC, pokazuje znaczne zwiększenie ich sprawności i parametrów prądowych. Otrzymane rezultaty wskazują, że warstwy typu a-Si:C:H oraz a-Si:N:H są bardzo obiecującymi materiałami do tego typu zastosowań.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 128-137
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of external conditions on parameters of silicon solar cells
Wpływ warunków zewnętrznych na parametry krzemowych ogniw słonecznych
Autorzy:
Swatowska, B.
Stapiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192322.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
krzemowe ogniwo słoneczne
charakterystyka I-V
model dwudiodowy
sprawność ogniwa słonecznego
silicon solar cell
I-V characteristic
two diod model
efficiency of solar cell
Opis:
Praca skupia się na badaniu wpływu zmian temperatury zewnętrznej oraz stopnia zacienienia powierzchni ogniw słonecznych na ich parametry elektryczne. Charakterystyki prądowo-napięciowe I-V ogniw słonecznych na bazie krzemu multikrystalicznego były wyznaczone przy oświetleniu AM 1.5 za pomocą urządzenia sterowanego komputerowo I-V Curve Tracer For Solar Cells Qualification. Poprzez zastosowanie elektrycznego modelu dwudiodowego, pomiary charakterystyk I-V ogniw pozwoliły określić sprawność ogniw oraz ich prąd zwarcia i napięcie obwodu otwartego. Pomiary temperaturowe przeprowadzono w zakresie od 5 do 55 °C, przy stałym i równomiernym oświetleniu całej powierzchni ogniw. Zmienny stopień zacienienia powierzchni ogniw miał bardzo istotny wpływ na ich parametry elektryczne. Obniżenie sprawności ogniw słonecznych wraz z temperaturą oraz stopniem zacienienia jest czynnikiem bardzo istotnym przy optymalizacji warunków pracy systemów fotowoltaicznych.
The purpose of the work is the investigation of influence of rapid change of temperature and the shadowing of light on silicon solar cells operation. Current-voltage characteristics for multicrystalline silicon solar cells were measured by the use of computer controlled global spectrum sun simulator under an AM 1.5. The measurements of I-V characteristics allow the determination of basic electrical parameters and efficiency using the double exponential relationship from two-diode solar cells model. Temperature measurements were carried out in the temperature range from 5 to 55 °C under constant irradiance. Under changeable area of illumination of solar cells was also observed the variation of their parameters. The rate of decrease of solar cells efficiency with temperature and shadowing area are important to estimate optimal working conditions of PV systems.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 13-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies